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[发明专利]反铁电电容器-CN202210272830.4在审
发明人： 陈敏璋;易圣涵;黄继震 -专利权人：汉民科技股份有限公司;陈敏璋
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提出反铁电电容器。所提出的结构能使反铁电晶体产生压缩内压而能降低其迟滞行为，从而使反铁电具有高储能密度(Energy Storage Density,ESD)和低能量损失。所提供的反铁电电容器具有纪录新高的ESD(94J/cm3)和80％的高效率，以及高达5×1010W/kg的最大功率密度。除此之外，该多层堆叠的结构能够缓解了随着薄膜厚度增加而导致的储能性能下降，使其厚度在扩增到48nm时仍具有80J/cm3的高ESD和82％的效率。这种改进源自于界面对电子树的阻挡效应从而提高了反铁电的介电崩溃强度。此外，此电容器还表现出高达1010次操作循环的出色耐久性。
反铁电电容器

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310062131.1在审
发明人：王俊元;陈敏璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置及其制造方法。用于制造半导体装置的方法包括：在半导体基板上方沉积栅极介电层；通过原子层沉积(ALD)工艺在栅极介电层上方沉积功函数层，其中功函数层包含金属元素及非金属元素，并且ALD工艺包含多个循环。循环的每一者包含：将包含金属元素的前驱物气体引入腔室以在腔室中的半导体基板上形成前驱物表面层；从腔室吹净掉前驱物气体的剩余部分；使用包含非金属元素的反应性气体电浆执行反应性气体电浆处理以将前驱物表面层转化为功函数层的单层；从腔室吹净掉反应性气体电浆的剩余部分，及在腔室中执行惰性气体电浆处理。
半导体装置及其制造方法

[实用新型]一种适用于10kV绝缘电缆线路过渡供电的电缆装置-CN202222016182.4有效
发明人：雷明;江雷;钱武;方杰;易南健;甘星;王天锷;汪胜;邹永兴;瞿纲举;黄雨华;谌乐成;凌云;黄安;陈琦;陈敏璋 -专利权人：国网湖南省电力有限公司;湖南省送变电工程有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H02G15/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于10kV绝缘电缆线路过渡供电的电缆装置，包括多个对接箱、中间电缆和端头电缆，各对接箱内对称设置左、右两个插拔头，插拔头的外端可拆卸连接导电杆至对接箱的侧壁开孔处，侧壁开孔处连接电缆封堵管；相邻的对接箱之间通过电缆封堵管连接固定中间电缆，第一个和最后一个对接箱外侧的电缆封堵管分别连接端头电缆，两端头电缆的末端连接至杆塔。过渡电缆分段处理，各分段之间通过对接箱连接，对接箱与电缆连接采用插接固定方式，整个装置可灵活适应不同长度的过渡供电。对接箱及其连接的零部件可预先制作及装配成整体运输至施工现场，将电缆与电缆封堵管插接固定，将端头电缆连接至杆塔，实现即插即用的快速供电效果。
一种适用于 10 kv 绝缘电缆线路过渡供电装置

[发明专利]前驱物循环式原子层沉积设备与方法-CN202210218394.2在审
发明人：殷瑀彤;黄继震;陈敏璋 -专利权人：汉民科技股份有限公司;陈敏璋
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明是一种前驱物循环式原子层沉积设备与方法。所述原子层沉积设备包含一个或多个内循环机构、一个或多个待镀物、一个或多个进气管线，以及一个或多个气体扰动装置。一个或多个待镀物设置于每个内循环机构内。进气管线在制程循环(cyc l e)的不同时段提供前驱物气体至每个内循环机构内，前驱物气体包含前驱物及至少一个载气。气体扰动装置提供动力使该前驱物气体在该内循环机构内循环流动。
前驱循环原子沉积设备方法

[发明专利]高介电常数介电层、其制造方法及执行该方法的设备-CN201810920927.5有效
发明人： 陈敏璋;锺镇阳 -专利权人： 陈敏璋
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明揭示一种高介电常数介电层、其制造方法及执行该方法的设备。本发明的高介电常数介电层包含依序形成于半导体元件的材料层上的M层原子层沉积薄膜，其中M是大于1的整数。该材料层可以是半导体材料层、金属层或另一介电层。每一层原子层沉积薄膜是由氧化物且通过原子层沉积制程所形成。M层原子层沉积薄膜中的N层选定的薄膜，于原子层沉积制程期间或之后，经非反应性气体等离子体轰击，其中N是自然数且小于或等于M。
介电常数介电层制造方法执行设备

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110348508.0在审
发明人：李东颖;陈则安;王梓仲;陈敏璋;殷瑀彤;杨孟谦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括在衬底上方形成鳍结构，该鳍结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构。在牺牲栅极结构的任一侧上形成间隔件。去除牺牲栅极结构以在间隔件之间形成沟槽。从沟槽去除第一半导体层，而留下悬置于沟槽中的第二半导体层。在沟槽中的间隔件的侧壁上形成自组装单层。分别环绕悬置的第二半导体层形成界面层。在界面层上以比在自组装单层上更快的沉积速率沉积高k介电层。在高k介电层上方形成金属栅极结构。本发明的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110194410.4在审
发明人：周君易;郑柏贤;陈则安;陈敏璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括在晶圆上方形成伪栅极结构。栅极间隔件形成在伪栅极结构的任意一侧上。去除伪栅极结构以在栅极间隔件之间形成栅极沟槽。栅极介电层形成在栅极沟槽中。在该栅极介电层上方形成栅电极。形成栅极介电层包括向晶圆施加第一偏压。在接通第一偏压的情况下，第一前体被馈送到晶圆。第一偏压关闭。在关闭第一偏压之后，第二前体被馈送到晶圆。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201910618466.0在审
发明人： 陈敏璋;谢宗霖;林柏廷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：根据本文描述的实施方式的技术涉及包括氮化铝AlN层或氮化铝镓AlGaN层作为铁电层的半导体装置，以及制造具有铁电性质的AlN/AlGaN的薄膜的方法。在铁电晶体管中，在介于栅极电极和第二半导体层(例如GaN层)之间形成表现铁电性质的AlN/AlGaN的薄膜。
半导体装置

[发明专利]铁电MFM结构-CN201910773330.7在审
发明人： 陈敏璋;郑柏贤;殷瑀彤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种铁电MFM结构，包括基板、在基板上方的半导体主体区域、至少部分覆盖半导体主体区域的栅极结构、及邻近半导体主体区域的源极/漏极结构。栅极结构包括栅极介电层及在栅极介电层上方的金属‑铁电‑金属栅极堆叠。金属‑铁电‑金属栅极堆叠具有第一金属层、第二金属层及夹在第一金属层与第二金属层之间的铁电ZrO2层。
mfm 结构

[发明专利]半导体元件-CN201910313720.6在审
发明人： 陈敏璋;易圣涵;吕承轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种半导体元件，其包括基板、第一含锆氧化物层、第一金属氧化物层及顶电极。第一含锆氧化物层位于基板上方且具有铁电性或反铁电性。第一金属氧化物层与第一含锆氧化物层接触。第一金属氧化物层的厚度小于第一含锆氧化物层的厚度。顶电极位于第一含锆氧化物层上方。
含锆氧化物金属氧化物层顶电极基板半导体元件反铁电铁电性

[发明专利]无需光刻胶的带电粒子束图案化-CN201510047961.2有效
发明人：蔡坤谕;陈敏璋;潘正圣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;陈敏璋;蔡坤谕
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了用于制造集成电路的工艺。该工艺包括：提供衬底，通过原子层沉积和分子层沉积的一种沉积在衬底上形成硬掩模，以及将硬掩模暴露于来自一种或多种带电粒子束的带电粒子以在硬掩模中图案化间隙。可选地，该工艺包括将硬掩模暴露于来自一种或多种带电粒子束的带电粒子以在硬掩模上图案化结构。
无需光刻带电粒子束图案

[发明专利]制造高电子迁移率晶体管的方法-CN201710976389.7在审
发明人： 陈敏璋;李伟豪;施奂宇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;陈敏璋
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在制造高电子迁移率晶体管的方法中，第一Ⅲ‑V族半导体层在基板上形成。第一Ⅲ‑V族半导体层经图案化以形成鳍及凹陷表面。第二Ⅲ‑V族半导体层形成以覆盖鳍及凹陷表面的顶表面及全部侧表面。第二Ⅲ‑V族半导体层通过等离子辅助原子层沉积形成，其中在每次形成刚沉积的单层时进行等离子处理。
制造电子迁移率晶体管方法

[发明专利]制造金属通道元件的方法-CN201610910128.0在审
发明人： 陈敏璋;刘继文;郑柏贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;陈敏璋
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造金属通道元件的方法，包含形成金属层于基材上，金属层透过原子层沉积技术而形成且具有第一厚度；形成绝缘层于金属层上；形成栅极接触层于绝缘层上；处理已形成的栅极接触层、绝缘层与金属层以移除栅极接触层、绝缘层与金属层不位于源极‑漏极区上的部分，金属层位于源极‑漏极区上的剩余部分具有第二厚度，第二厚度小于第一厚度；以及形成源极与漏极金属接触于金属层的剩余部分。
制造金属通道元件方法

[发明专利]用于制造精细结构的方法-CN201710349130.X在审
发明人： 陈敏璋;刘继文;郑柏贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;陈敏璋
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：在一种用于制造精细结构的方法中，在衬底上方通过使用原子层沉积形成金属氧化物层；以及去除金属氧化物层。在金属氧化物层和衬底之间形成界面氧化物层。界面氧化物层是构成衬底的元素的氧化物和去除界面氧化物层。本发明实施例涉及用于制造精细结构的方法。
用于制造精细结构方法

[发明专利]外延用基材的制造方法-CN201610893221.5在审
发明人： 陈敏璋;庄咏荃;施奂宇;施英汝;徐文庆 -专利权人：环球晶圆股份有限公司;陈敏璋
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种外延用基材的制造方法，包括于一基板上设置一缓冲层，该缓冲层为使用原子层沉积工艺形成多个层叠的氮化物层所构成。该缓冲层也可由叠置的至少一第一次缓冲层与至少一第二次缓冲层所构成，其中，第一次缓冲层为使用原子层沉积工艺形成多个层叠的第一氮化物层所构成，第二次缓冲层为使用原子层沉积工艺形成多个层叠的第二氮化物层。在制作缓冲层的步骤中，于形成每一层氮化物层、第一氮化物层或第二氮化物层后，后续进行离子轰击。借此，基板及缓冲层形成外延用基材，且有效提升缓冲层的结晶程度。
外延基材制造方法

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