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[发明专利]一种HfO2-CN202210733885.0在审
发明人：蒋然;刘颖巧;孙立莹;陆云龙;黄季甫;吴夕;黄强;孟雨;蒋成霖 -专利权人：苏州吴夕江科技有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供了一种HfO2基铁电薄膜，包括衬底层，衬底层的上表面从下到上依次设置有底电极层、第一HfO2基薄膜层、HfSe2散片层、第二HfO2基薄膜层和顶电极层，本发明还提供了上述HfO2基铁电薄膜的制备方法，与现有技术相比，本发明具有如下优点：本发明通过将二维HfSe2嵌入层界面固定氧空位，规律晶格错位引入非对称性铁电相核，显著提高HfO2铁电薄膜的极化强度，具体表现为将HfO2铁电薄膜的极化值提高至接近于理论值。
一种 hfo base sub

[发明专利]碳化硅半导体场效晶体管的栅源极保护结构及制备方法-CN202211081391.5在审
发明人：李振道;孙明光 -专利权人：江苏应能微电子有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了碳化硅半导体场效晶体管的栅源极保护结构及制备方法，包括N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层的上表面设有离子注入工艺形成的P‑阱区，P‑阱区的外表面设有场氧化层，场氧化层的上表面设有栅极氧化层，栅极氧化层的上表面设有多晶硅层，多晶硅层的上表面设有介电质层，本发明的有益效果是：同样在其栅极金属端下完成，以旋涡方式从内圈连接栅极端，并往外旋连接至源极端，并且多晶硅层内含N型及P型相互交错，P型多晶硅以硼所注入而成，N型多晶硅层以磷所注入而成，以此对N型P型交接处的面积大有提升，对ESD能力大有帮助。
碳化硅半导体晶体管栅源极保护结构制备方法

[发明专利]一种具有超低功耗的场效应晶体管及其制备方法-CN202010966726.6有效
发明人：熊杰;王雪芃;汪洋;储隽伟;张淼;饶高峰;龚传辉;陈心睿;周婷;晏超贻;王显福 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供一种具有超低功耗的场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管技术领域。本发明场效应晶体管创新性地采用具有良好铁电性和稳定性的LiNbO3作为铁电栅极材料，不同于现有常规的铁电材料HfZrO2、PVDF以及PZT等，使得基于LiNbO3材料的场效应晶体管具有超低的亚阈值特性，同时还具有小回滞的稳定转移特性。
一种具有功耗场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种半导体元件及其制备方法-CN202210013765.3有效
发明人：罗志云;王飞;潘梦瑜 -专利权人：恒泰柯半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件及其制备方法，其中制备方法包括：提供衬底，在衬底上形成外延层；外延层远离衬底的一侧包括沟槽；于沟槽的侧壁以及底部形成第一绝缘层，并在第一绝缘层所围空间中形成第一多晶硅层和第二多晶硅层；其中第二多晶硅层作为栅极多晶硅，第二多晶硅层与沟槽之间的第一绝缘层作为栅绝缘层；在外延层中形成体区和源极区；在沟槽底部的第一绝缘层中形成补偿电荷区；补偿电荷区中电荷产生的电场用于减弱外延层中耐压较弱位置的电场强度，以提高半导体元件的耐压值至目标耐压值。本发明实施例提供的技术方案有效的提高器件的耐压性能，无需在沟槽不同的深度精准把控第一绝缘层不同的厚度，简化了提高器件耐压性能的方式。
一种半导体元件及其制备方法

[发明专利]功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法-CN202210725780.0在审
发明人：邹有彪;王全;倪侠;张荣;徐玉豹 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，涉及半导体器材加工技术领域。包括制备步骤如下：步骤一、提供MOSFET器件：步骤二、对MOSFET器件的表面进行预处理，预处理时间为25min～35min；步骤三、将MOSFET器件放置到内部倒有酸性溶液的浸泡池内，浸泡15min～25min；步骤四、将MOSFET器件从浸泡池内捞出，然后将其安装到放置装置上固定。本发明通过在制备功率MOSFET器件时，对MOSFET器件表面进行预处理，并在预处理后用酸溶液进行清洗，最后再将其放置到加热炉内通过网加热炉内填充惰性气体，完成了对功率MOSFET器件表面的退火处理，在增强了MOSFET器件栅氧化层的整体强度时，还对MOSFET器件表面的附着杂质进行了全面的清理，提高了MOSFET器件栅氧化层的内部纯度。
功率 mosfet 器件氧化制备方法

[发明专利]柔性石墨烯场效应晶体管及制备方法-CN202210733104.8在审
发明人：贾原;胡波;张文伟;孙浩;王程;田金鹏;宋秋明 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管加工技术领域，具体涉及石墨烯场效应晶体管集成器件及制备方法，包括以下步骤：提供基片的步骤，基片固定在衬底上；利用热蒸镀的方式在基片上形成栅极；利用ALD原子层沉积镀膜的方法在栅极上依次形成一层Ti成核层和HfO2栅极介电层；在HfO2栅极介电层上利用印章法转移石墨烯，得到石墨烯层；利用掩膜版光刻的方式在石墨烯层上制备得到源极和漏极；利用ALD原子层沉积镀膜的方法在石墨烯层上形成包覆层，源极和漏极露出包覆层；将基片与衬底剥离，得到石墨烯场效应晶体管；利用掩膜版光刻的方式通过金属层分别将至少两个石墨烯场效应晶体管进行串联和/或并联。本发明克服了现有石墨烯场效应晶体管器件性能不均匀性的问题。
柔性石墨场效应晶体管制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810765977.0有效
发明人：蔡惠铭;叶凌彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：在制造负电容结构的方法中，在设置在衬底上方的第一导电层上方形成铁电介电层，并且在铁电介电层上方形成第二导电层。铁电介电层包括非晶层和晶体。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法-CN202210196597.6在审
发明人：崔鹏;陈思衡;韩吉胜;徐现刚;林兆军;展杰;徐明升;崔潆心;钟宇 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS‑HEMT及其制备方法，该结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InGaN势垒层、GaN帽层和ScAlN介质层。在GaN帽层上高温生长ScAlN介质层，高温生长的ScAlN与GaN帽层之间的界面陷阱态较少，界面电荷散射较弱，而且ScAlN可以有效钝化材料表面，减少表面陷阱态，从而提高器件的的最大饱和电流IDmax，降低导通电阻Ron。同时，可有效抑制栅下电子隧穿，降低器件栅极漏电和关态漏电流，从而提高栅极控制能力，增加开关电流比Ion/Ioff，以及降低亚阈值摆幅SS。
一种基于 scaln 介质 inaln gan mis hemt 及其制备方法

[发明专利]范德华间隙场效应晶体管及其制备方法-CN202210358434.3在审
发明人：罗鹏飞;段鑫沛;刘兴强;廖蕾;林均;洪若豪 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供了一种范德华间隙场效应晶体管，所述晶体管具有过饱和氧增大物理吸附界面，包括衬底，在所述衬底上形成半导体沟道层，栅极介电层位于所述半导体沟道层上方并与之交叠，所述栅极介电层通过将二硫化铪氧化成二氧化铪制成。本发明利用臭氧处理机的富氧环境对二维材料进行可控充分氧化，实现了过饱和氧增大物理吸附界面的范德华间隙场效应晶体管，制备简单，性能卓越，可控性强。
范德华间隙场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]基于多层2D-hBN的晶体管及多值存储器-CN202210294975.4在审
发明人：陈杰智;向昱桐;桑鹏鹏 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开一种基于多层2D‑hBN的晶体管及多值存储器，基于多层2D‑bBN的晶体管，包括衬底、形成于衬底上的沟道以及分别形成于沟道上的源极、漏极、介质层，介质层位于栅极和沟道之间，晶体管的介质层由多层2D‑hBN制成，多层2D‑hBN的每层之间错位堆叠，错位堆叠的多层2D‑hBN造成外层电子云的畸变，从而得到自发极化，极化后的多层2D‑hBN通过层间滑移，即沿着armchair方向平移单胞中层内相邻B、N原子之间的距离，实现面外电极化的翻转。本发明还提供一种基于多层2D‑hBN的多值存储器，多值存储器通过晶体管介质层的层间滑移，得到不同的极化强度大小结构，最终调控阈值电压大小。
基于多层 hbn 晶体管存储器

[发明专利]氧化铪材料作栅介质层的V型沟槽MOS结构及制备方法-CN202210338996.1在审
发明人：李京波;雷剑鹏;王小周 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及氧化铪材料作栅介质层的V型沟槽MOS结构及制备方法。结构包括N+碳化硅衬底和氮化镓外延层，N+碳化硅衬底生长有生长异质结构，生长异质结构的表面上形成有槽形结构，槽形结构的上部镀有氧化铪薄膜。方法在N+碳化硅衬底上利用MOCVD设备生长氮化镓外延层；采用ICP设备通过控制刻蚀气体的比例形成合适坡度的V型沟槽，减弱普通沟槽拐角处的电场集中现象，有效提高了器件的击穿电压；利用直流磁控溅射设备，结合适当的退火工艺处理，在沟槽上沉积氧化铪薄膜，利用氧化铪材料的高介电常数特性，减弱介质层厚度对器件跨导特性的影响，并在厚度减薄的情况下有效抑制隧穿电流的产生，提高器件栅控能力。
氧化材料介质沟槽 mos 结构制备方法

[发明专利]具有高电容率材料的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法-CN202210143115.0在审
发明人：张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本申请是关于一种具有高电容率材料的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、高电容率耐压区、沟槽区、源极、漏极以及金属栅极；漂移区设置在衬底区与基体区之间，漏极设置在衬底区下方；漂移区包括：N型耐压区和高电容耐压区；高电容耐压区采用高电容率材料；N型耐压区和高电容耐压区并排分部在衬底区上方；沟槽区包括：由上至下依次设置的控制栅和屏蔽栅，以及将控制栅和屏蔽栅相互隔离的绝缘层；沟槽区设置在高电容率耐压区的上方，使得高电容率耐压区的顶面与屏蔽栅的底面相接。本申请提供的方案，能够提高晶体管的击穿电压。
具有电容材料屏蔽场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]可移动离子薄膜及铁电场效应晶体管、电容、制备方法-CN202210533430.4在审
发明人：刘欢;玉虓;韩根全;刘艳;金成吉;陈佳佳 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种可移动离子薄膜及铁电场效应晶体管、电容、制备方法。本发明的可移动离子薄膜为绝缘氧化层，总厚度为3‑10nm；绝缘氧化层内含有可移动离子，可移动离子由带正电荷的氧空位和带负电荷的氧离子组成。可移动离子可以下电场作用下发生迁移形成偶极子。本发明的可移动离子薄膜具有类铁电特性，可作为新型铁电栅介质层代替传统钙钛矿结构和HfO2基铁电介质层用于铁电场效应晶体管，极大降低热预算和减少栅泄漏电流，离子移动的反转方式可提升器件的抗疲劳特性。
移动离子薄膜电场效应晶体管电容制备方法

[发明专利]萤石基材料薄膜和包括其的半导体器件-CN202111439345.3在审
发明人：崔德铉;许镇盛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：提供一种萤石基材料薄膜，其包括：具有对称段和非对称段的正交晶体结构；以及至少两个具有不同的极化方向的畴。在畴之间的壁处不存在对称段，或者对称段中的至少两个是连续相邻的。还提供了包括具有正交晶体结构的萤石基材料薄膜的半导体器件。萤石基材料薄膜的极化方向被配置为通过对称段和非对称段之间的结构转变而改变。
萤石基材薄膜包括半导体器件

[发明专利]半导体结构及制备方法-CN202210059897.X在审
发明人：查天庸 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体结构及制备方法，其中，所述半导体结构包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括位于衬底表面且依次堆叠的介电层、隔离层、金属层和多晶硅层；其中，所述隔离层的材料包括MX，M表示金属元素，X至少表示为以下其中一种：氧元素或氮元素，且MX中X元素与M元素的配比值不大于预设配比值。
半导体结构制备方法