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[发明专利]掺杂稀土金属氧化物的复合介电材料及其制造方法-CN201010591461.2无效
发明人：杨弘敦;马书第;陈庆轩 -专利权人：中山大学
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开一种掺杂稀土金属氧化物的复合介电材料及其制造方法，其复合介电材料掺杂有稀土金属氧化物纳米粒子，所述纳米粒子嵌于二氧化硅玻璃基材内，且所述稀土金属氧化物纳米粒子与二氧化硅的玻璃复合物是由溶胶—凝胶法加以合成制备。所述玻璃复合物的介电值明显高于纯稀土金属氧化物的介电值。在磁场作用下，所述玻璃复合物的介电值有显著的提升。
掺杂稀土金属氧化物复合材料及其制造方法

[发明专利]使用高介电常数栅介质的耐压器件-CN201110007009.1无效
发明人：李平;李俊宏;霍伟荣;张国俊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：使用高介电常数栅介质的耐压器件，涉及半导体功率器件。本发明包括衬底，外延区，源极注入区，沟道注入区，漏极注入区，漂移区，栅极，P+注入区，源极，漏极，源极注入区，沟道注入区，漏极注入区，漂移区，P+注入区构成第一层，还包括由高介电常数介质层和SiO2缓冲层构成的复合介质层，栅极、漏极和源极位于复合介质层的上方，漏极和源极各自通过复合介质层的小孔连接至复合介质层下方的注入区，SiO2缓冲层均匀覆盖于第一层上方，厚度均匀的高介电常数介质层位于SiO2缓冲层上方。本发明在器件方面能同时提高器件的栅极和源漏或阴阳极耐压，降低比导通电阻；在应用上可允许使用更高的电压进行栅驱动，降低耐压器件的导通电阻。
使用介电常数介质耐压器件

[发明专利]CMOS器件叠层栅形成方法及其结构-CN200910237800.4无效
发明人：陈世杰;王文武;王晓磊;韩锴 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提出了一种金属氧化物半导体MOS器件的栅介质结构，包括：在半导体衬底表面上形成的界面层薄膜；和在所述界面层薄膜表面之上形成的至少两层绝缘薄膜，其中，所述至少两层绝缘薄膜中的每一个都具有与其他相邻绝缘薄膜不同的元素组分和/或不同的浓度，且所述界面层薄膜和所述至少两层绝缘薄膜经过优化的退火工艺，所述优化的退火工艺与所述界面层薄膜和所述至少两层绝缘薄膜的元素组分和/或浓度相关，以达到希望的所述元素和/或浓度的分布。本发明通过按照一定顺序淀积多层不同材料组分或不同浓度的薄膜来形成MOS器件的叠层栅介质结构，然后通过优化的退火工艺以促使该叠层栅介质结构中的各种元素组分和浓度达到理想的分布状态。
cmos 器件叠层栅形成方法及其结构

[发明专利]用于锑化物基反向二极管毫米波探测器的方法和装置-CN200980119371.9有效
发明人：帕特里克·费;苏宁 -专利权人：诺特戴姆杜拉大学
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：公开了用于锑化物基反向二极管毫米波探测器的示例性方法和装置。公开的一种示例性反向二极管包括靠近非均匀掺杂分布的第一侧的阴极层，和靠近间隔层的第二侧的锑化物隧道势垒层。
用于锑化物基反向二极管毫米波探测器方法装置

[发明专利]一种非晶三元高K栅介质材料及其制备方法-CN200910237251.0有效
发明人：杜军;季梅;王磊 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶三元高K栅介质材料及其制备方法，及用于制备上述非晶三元高K栅介质材料所需的氧化铪陶瓷靶材和氧化钆陶瓷靶材的制备方法。本发明的非晶三元高K栅介质材料由单晶n型Si片和在它上面沉积的氧化钆掺杂氧化铪的非晶薄膜组成，氧化钆的掺杂浓度为0～13.4％。本发明采用传统的陶瓷烧结技术制备高纯度的氧化铪及氧化钆靶材，以单晶n型Si片作为基片，在基片上使用磁控共溅射的方法形成氧化钆掺杂氧化铪的非晶薄膜，通过改变氧化钆的溅射功率来调整掺杂浓度。本发明制备的氧化钆掺杂氧化铪高K栅介质薄膜为非晶薄膜；并且具有较高的介电常数和非常小的漏电流密度，适于做高K栅介质使用。
一种三元介质材料及其制备方法

[发明专利]一种基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法-CN201010225694.0有效
发明人：程新红;徐大伟;王中健;何大伟;宋朝瑞;俞跃辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-07-13 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明介绍了一种在SOI材料上制备多层高介电常数材料栅结构的方法。首先通过O2等离子体对SOI表面进行预处理，同时SOI衬底表面将形成一层超薄的SiO2界面层，接着在这层超薄的SiO2上利用原子层沉积(ALD)方式生长一层超薄的Si3N4，这层Si3N4将有效隔离高介电常数材料层中的杂质元素与SOI顶层硅之间的扩散，以及阻止下方SiO2层在后期热处理过程中的再生长。接着在Si3N4上沉积一层高介电常数材料，并对高介电常数材料进行适当的氮化处理，使得高介电常数材料上层形成一层高介电常数的氮氧化合物，这层氮氧化合物将有效阻止金属栅电极与高介电常数材料层之间的元素扩散。最后溅射生长金属电极。
一种基于 soi 衬底介电常数材料结构及其制备方法

[发明专利]基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法-CN201010225685.1无效
发明人：程新红;徐大伟;王中健;何大伟;宋朝瑞;俞跃辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-07-13 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明介绍了一种基于SOI衬底生长的可进行高温处理的高介电常数材料栅结构及其制备方法。该栅结构的制备与现有CMOS工艺中高温处理步骤相兼容。首先通过O2等离子体对SOI表面进行预处理，同时SOI衬底表面将形成一层超薄的SiO2界面层，接着在这层超薄的SiO2上利用原子层沉积(ALD)方式生长一层超薄的氮化铝(AlN)，这层AlN将有效隔离高介电常数层中的杂质元素与SOI顶层硅之间的扩散，以及阻止下方SiO2层在后期热处理过程中的再生长。接着在AlN上沉积一层含铝的高介电常数复合薄膜，该含铝的高介电常数复合薄膜可在较高退火温度下仍保持非晶特性。最后在复合薄膜上再沉积一层用来阻挡电极杂质向高介电常数材料扩散的超薄Al2O3膜层，并溅射生长金属电极。
基于 soi 衬底介电常数材料结构及其制备方法

[发明专利]一种可提高沟槽栅MOS器件性能的沟槽栅及其制造方法-CN201010153744.9有效
发明人：刘宪周;克里丝 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-04-22 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供一种可提高沟槽栅MOS器件性能的沟槽栅及其制造方法。现有技术中栅介质层的底端部分仅为氧化硅，从而造成栅漏电容过大且在制造时易出现过刻蚀损伤硅衬底并影响器件性能。本发明的可提高沟槽栅MOS器件性能的沟槽栅包括层叠在栅极沟槽中的栅介质层和多晶栅层，该栅介质层具有分别位于栅极沟槽侧壁和底端的侧壁部分和底端部分，该侧壁部分为氧化硅，该底端部分包括依次层叠的第一氧化硅层、化学机械抛光终止层和第二氧化硅层，本发明的沟槽栅制造方法在进行氧化硅的化学机械抛光时在化学机械抛光终止层上终止。本发明可避免过刻蚀损伤硅衬底和器件的性能，并可有效降低栅漏电容。
一种提高沟槽 mos 器件性能及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910260410.9无效
发明人：文在渊 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底上的第一绝缘层图案、第一绝缘层图案上的包含氟的第二绝缘层、第二绝缘层图案上的第三绝缘层图案以及第三绝缘层图案上的多晶硅图案。氟被包含在第二绝缘层中，所述第二绝缘层可以是氮化物层，其在闪存器件中存储数据，从而在不对电容特性施加影响的情况下改善数据保持和可靠性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种用于高介电常数栅介质的外延薄膜及其制备方法-CN200810239915.2无效
发明人：杜军;魏峰;屠海令;王毅;岳守晶 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2008-12-15 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种用于新一代集成电路场效应管中高介电常数(高k)栅介质的材料及其制备方法。该用于高介电常数栅介质的外延薄膜材料，是在Si(001)衬底上单一高取向外延薄膜，该薄膜为具有焦绿石相结构的单晶态铪镧复合氧化物La2Hf2O7，该薄膜与Si(001)衬底的晶体学取向关系为La2Hf2O7(001)//Si(001)。此方法涉及通过反应烧结的方法获得具有焦绿石相的铪镧复合氧化物(La2Hf2O7)陶瓷靶材，然后采用激光分子束沉积技术，在超高真空的条件下在Si(001)衬底沉积获得表面光滑、界面平整的单一高取向外延薄膜。用来应用于新一代集成电路中场效应管的栅介质。
一种用于介电常数介质外延薄膜及其制备方法

[发明专利]一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法-CN200910242119.9有效
发明人：王振兴;张志勇;彭练矛;王胜 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-12-08 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法，氧化钇直接作为碳基场效应晶体管的顶栅介质。以碳纳米管或石墨烯等碳基材料作为导电通道，在沟道区域生长一层金属钇薄膜，然后通过热氧化的方法将钇氧化为氧化钇，得到的氧化钇薄膜作为顶栅介质。本发明首次实现了在碳纳米管和石墨烯表面直接生长高介电常数顶栅介质，解决了原子层沉积无法在碳纳米管或者石墨烯表面成核生长高介电常数栅介质薄膜的问题，氧化钇顶栅介质具有很高的介电常数和良好的绝缘性质，并实现高效的栅调制，且制作工艺简单，材料和工艺成本低廉，为碳基高性能器件的实现提供了一个解决方案，满足碳基规模化集成电路的需求。
一种场效应晶体管介质及其制备方法

[发明专利]高k栅介质材料及其制备方法-CN200910102013.9无效
发明人：方泽波;陈伟 -专利权人：绍兴文理学院
申请日： 2009-08-27 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种高k栅介质材料及其制备方法，属于半导体技术领域，尤其涉及金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的应用领域，这种高k栅介质材料为氧化铒-氧化铝(Er₂O₃-Al₂O₃，ErAlO)复合材料，采用射频磁控溅射制备方法，溅射靶为Er₂O₃和Al₂O₃混合陶瓷靶，在P型Si(100)衬底上制备得到ErAlO非晶栅介质复合氧化物薄膜，经检测，本发明的ErAlO薄膜具有良好的热稳定性、良好的平整度和低的漏电流密度，可取代SiO₂成为一种新型高k栅介质材料。
介质材料及其制备方法

[发明专利]一种高介电常数栅介质SrHfON薄膜及其制备方法-CN200910023240.2无效
发明人：冯丽萍;刘正堂 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2009-07-08 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电常数栅介质SrHfON薄膜及其制备方法。高介电常数栅介质SrHfON薄膜包括质量百分比分别为11～22％、39～46％、28～34％和4～14％的Sr元素、Hf元素、O元素和N元素，总含量不超过100％。用稀Hf溶液、去离子水、丙酮和酒精反复清洗Si衬底，在靶材经过预溅射后，采用射频磁控共溅射方法在Si衬底上沉积SrHfON薄膜，并退火处理，获得SrHfON栅介质薄膜。本发明制备的SrHfON栅介质薄膜具有较高的介电常数，明显改善了SrHfO₃薄膜的晶化温度，具有晶化温度高、界面产物少、漏电流密度低优点，使SrHfON成为一种具有较好前景的高k栅介质候选材料。
一种介电常数介质 srhfon 薄膜及其制备方法

[发明专利]高介电系数栅电介质材料硅酸镧薄膜和制备方法及其应用-CN200810157085.9无效
发明人：高立刚;国洪轩;夏奕东;殷江;刘治国 -专利权人：南京大学
申请日： 2008-09-24 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电系数栅电介质材料硅酸镧薄膜和制备方法及其应用，该薄膜的化学式为(La₂O₃)_x(SiO₂)_1－x，其中x的取值范围为0.4≤x≤0.6，其制备方法是启动KrF准分子激光器(1)，使脉冲激光束通过聚焦透镜(2)将激光束聚焦在LSO陶瓷靶材(5)上，用脉冲激光剥离LSO陶瓷靶材(5)，产生的激光离子体沉积在硅衬底材料上而制得硅酸镧薄膜，其物理厚度为5nm的非晶态薄膜，具有较高的热力学稳定性，其介电常数为16.9，等效氧化物厚度为1.11nm，漏电流为21.7A/cm²，没有界面层产生，本发明的硅酸镧薄膜应用于金属－氧化物－半导体场效应管的栅电介质材料。
高介电系数电介质材料硅酸薄膜制备方法及其应用

[发明专利]氧化硅膜、其制备方法以及具有使用其的栅极绝缘膜的半导体器件-CN200810109584.0有效
发明人：森茂;田边浩;田中淳 -专利权人： NEC液晶技术株式会社
申请日： 2008-06-02 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供了一种作为栅极绝缘膜的高性能氧化硅膜并且提供一种具有半导体器件，所述的氧化硅膜和半导体器件具有优良的电特性。根据本发明的氧化硅膜在膜中包含CO₂，其中，当红外吸收光谱中的峰的积分强度由(半高峰宽)×(峰高)表示时，相对于在波数1,060cm^－1附近出现的SiO₂－特征峰的积分强度，在波数2,340cm^－1附近出现的CO₂－特征峰的积分强度是8E－4倍以上。
氧化制备方法以及具有使用栅极绝缘半导体器件