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[发明专利]一种MOSFET晶体管的栅极及其制造方法-CN200810105970.2无效
发明人：林大野;骆国泉;方绍明 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2008-05-06 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种MOSFET晶体管的栅极及其制造方法，涉及半导体芯片工艺技术领域，解决了现有的MOSFET晶体管的栅极容易被击穿或产生漏电的技术问题。本发明实施例MOSFET晶体管的栅极，包括栅极介质层以及栅极本体，栅极介质层形成于半导体材料的外延层和阱上，栅极本体形成于栅极介质层上，栅极介质层包括形成于外延层和阱上的第一介质层以及在第一介质层上形成的致密介质层。本发明实施例MOSFET晶体管的栅极的制造方法，包括如下步骤：在半导体材料的外延层和阱上形成第一介质层；在第一介质层上形成致密介质层；在致密介质层上形成栅极本体。本发明主要应用于晶体管等半导体器件中栅极的制造。
一种 mosfet 晶体管栅极及其制造方法

[发明专利]作为薄膜晶体管的介电层或平面化层的低温溶胶－凝胶硅酸盐-CN200710152741.1无效
发明人： T·A·布雷默;C·P·克雷茨;T·J·马克利;S·J·韦格尔 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：作为薄膜晶体管的介电层或平面化层的低温溶胶－凝胶硅酸盐传统上已经报导了在400℃进行高温处理的溶胶－凝胶硅酸盐可获得显示出良好漏电流密度(＜5×10^－8A/cm²)的相当致密的膜。最近我们发现，尽管降低处理温度，我们也能由在135℃－250℃下进行固化并给出良好的漏电流密度值(9×10^－9A/cm²－1×10^－10A/cm²)的溶胶－凝胶硅酸盐前体的特定组合来制成膜。这些是首次可在低温进行固化的硅酸盐的一些实例，其漏电流密度是足够低的，从而可用作柔性薄膜晶体管或轻质薄膜晶体管的可低温处理、可低温溶液处理或可低温印刷的栅极介电层。这些组合物也可用于平面化薄膜晶体管和其它电子器件所用的不锈钢箔中。
作为薄膜晶体管介电层平面化低温溶胶凝胶硅酸盐

[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法-CN200680032093.X有效
发明人：谷本智;川本典明;鬼头孝之;三浦峰生 -专利权人：日产自动车株式会社;罗姆股份有限公司
申请日： 2006-08-22 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种碳化硅半导体器件(90)，包括：1)碳化硅衬底(1)；2)由多晶硅构成的栅电极(7)；以及3)ONO绝缘膜(9)，该ONO绝缘膜(9)被夹在碳化硅衬底(1)与栅电极(7)之间，从而形成栅极结构，并且该ONO绝缘膜(9)包括从碳化硅衬底(1)开始依次形成的如下部分：a)第一二氧化硅膜(O)(10)，b)SiN膜(N)(11)，以及c)SiN热氧化膜(O)(12、12a、12b)。其中氮包括在如下位置中的至少一个中：i)在第一二氧化硅膜(O)(10)中和在碳化硅衬底(1)附近，以及ii)在碳化硅衬底(1)与第一二氧化硅膜(O)(10)之间的界面中。
碳化硅半导体器件及其制造方法

[发明专利]使用高K电介质中的空穴捕集的存储器-CN200680029934.1无效
发明人：伦纳德·福布斯;凯·Y·阿恩 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明描述一种非易失性存储器，其具有带有栅极电介质(312)的存储器单元。所述栅极电介质是处于晶体管的控制栅极(310)与沟道区(308)之间的多层电荷捕集电介质，用以捕集带正电的空穴。所述多层电荷捕集电介质包含至少一个高K层。背栅极(306)与衬底(300)形成p－n结。
使用电介质中的空穴存储器

[发明专利]具有混合高介电材料层的电子元件及其制造方法-CN200710001664.X有效
发明人：林蔚伶;温景发;李文熙;胡堂祥;王俊杰;李正中 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-01-09 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供一种具有混合高介电材料层的电子元件及其制造方法。该电子元件包括基板，第一电极层设置于基板上。多层绝缘层包括第一介电层以及第二介电层，其中第一介电层与第二介电层之间互溶且实质上无界面存在。第二电极层设置于该多层绝缘层上。
具有混合高介电材料电子元件及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管-CN200680017271.1无效
发明人： K·沃格特莱恩德;J·杜尔;U·沃斯特拉多维斯基;A·查鲍德 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2006-04-05 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有源极、漏极和栅极的场效应晶体管，该场效应晶体管在栅极和源极之间或者在栅极和漏极之间或者在栅极和基底之间具有引导漏电流的连接。
场效应晶体管

[发明专利]具有栅叠层的半导体结构和制造这种半导体结构的方法-CN200710126817.3无效
发明人： R·杰米;S·扎法;V·K·帕鲁丘里;张立伦;韩金平;M·M·弗兰克;E·古谢夫;K·K·陈;D·A·布坎南;E·A·卡蒂尔;C·P·德埃米克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-06-27 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构特别地是一种在场效应晶体管(FET)中有用的栅叠层，其中通过对栅电介质材料引入固定空间分布的电荷密度来控制其阈电压。公开nFET和/或pFET结构。按照本发明，栅叠层或FET的固定空间分布的电荷密度指示占据空间的电荷密度，它在器件操作条件下基本上保持为时间函数的常量，并且至少在电介质材料之内的一个位置处，或在它与沟道、栅电极、隔离件或器件的任何其他结构元件之间的界面处为非零。
具有栅叠层半导体结构制造这种方法

[发明专利]具有高k栅电介质和金属栅电极的半导体器件的制造方法-CN200580046271.X有效
发明人： J·布拉斯克;S·裴;J·卡瓦利罗斯;M·梅茨;M·多齐;S·达塔;R·乔;J·麦滋 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2005-12-07 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：描述了一种半导体器件的制造方法。该方法包括将氮添加到二氧化硅层以在衬底上形成氮化二氧化硅层。在氮化二氧化硅层上形成牺牲层后，去除牺牲层以形成沟槽。在沟槽内的氮化二氧化硅层上形成高k栅介电层，且在高k栅介电层上形成金属栅电极。
具有电介质金属电极半导体器件制造方法

[发明专利]具有超顺电性栅极绝缘体的半导体器件-CN200580043631.0有效
发明人：古川裕希子;科内利斯·A·H·A·穆特塞尔斯 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-12-13 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括半导体的沟道区18、与沟道区18相邻的导电栅电极12、以及导电栅电极12和沟道区18之间的栅极电介质10。栅极电介质10由处于超顺电性状态的材料形成，该材料在体材料中是铁电性。例如，栅极电介质可以是化学式为AXO₃的材料，其中A是I或II族元素，而X是钛、铌、锆和/或铪。这种栅极电介质10例如可以通过栅极电介质10的低温沉积、或通过使用金属氧化物掺杂剂以防止畴生长、或者使用这两者来形成。
具有超顺电性栅极绝缘体半导体器件

[发明专利]介电层与薄膜晶体管-CN200710109412.9无效
发明人：许建宙 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种介电层包括含氧的硅合物膜与含氮的硅合物膜。其中含氮的硅合物的傅立叶转换红外线光谱中，Si－N基的吸收峰强度与含氮的硅合物的膜厚比值实质上大于或实质上等于0.67/um。上述的介电层可应用于开关组件中。
介电层薄膜晶体管

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610135633.9无效
发明人：平濑顺司;粉谷直树;竹冈慎治;冈崎玄;濑部绍夫;相田和彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-10-18 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种半导体装置，在使用高介电常数栅极绝缘膜的MISFET中，不会恶化高介电常数栅极绝缘膜，提高MISFET的特性。在基板(1)的活性区域上通过高介电常数栅极绝缘膜(4A)形成栅电极(5)。在栅电极(5)的侧面上形成具有高介电常数的绝缘性侧壁(7)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]形成溶液处理器件的方法-CN200580031428.1无效
发明人： P·马迪洛维奇;R·霍夫曼;G·S·赫尔曼 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2005-08-17 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种方法，包括借助于一种或者多种溶液处理工艺，在衬底(102)的至少一部分上沉积(142)第一材料，以形成第一材料层(108)，所述第一材料层(108)的至少一部分包括无机介电材料；借助于一种或者多种溶液处理工艺，在所述第一材料层(108)的所述至少一部分上和/或与所述第一材料层(108)的所述至少一部分接触地沉积(146)第二材料，以形成第二材料层(108)，所述第二材料层(108)的至少一部分包括有机介电材料，以形成介电器件层的至少一部分；和至少部分地改变所述第一和/或所述第二材料层(108)的至少一部分。
形成溶液处理器件方法

[发明专利]氮化闪速存储器形成底氧化层的方法-CN200610129061.3有效
发明人：施彦豪;吕函庭;赖二琨;谢光宇 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-09-06 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种位于半导体衬底上的非易失性存储器设备，包括位于衬底上的底氧化层，位于底氧化层上的氮化硅中间层，及位于中间层上的顶氧化层。底氧化层的氢浓度最高达5E19cm^－3及界面陷阱密度最高达5E11cm^－2eV^－1。三层结构可以是存储器元件的电荷陷获结构，且存储器元件还包括在该结构上形成栅极，及在衬底内形成源极及漏极区。
氮化存储器形成氧化方法

[发明专利]一种钽酸锶铋－钛酸锶钡异质介电材料及其合成方法和应用-CN200610116873.4无效
发明人：杨平雄 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种SBT－BST异质介电材料及其合成方法和应用。该材料以Si片作衬底，由多层衬底电极和沉积在其上的多层膜组成，多层衬底电极由Si片和依次沉积在Si片的表面上的SiO₂、Ti和Pt薄膜组成，多层膜由N个周期的SBT和BST的薄膜交替叠合而成，其中N为3～99。该材料的合成方法：在较低的温度下，用辉光放电等离子体辅助激光蒸发(PLD)技术将SBT和BST的薄膜交替沉积在Pt/Ti/SiO₂/Si多层衬底电极上。该材料的应用：以该材料作衬底，用标准的IC工艺在衬底的SBT－BST异质介电材料多层膜上制备IC的有源器件MOS管。本发明具有合成温度低，能与标准的IC工艺兼容，用该材料作衬底和以MOS管为有源器件的IC品质高、性能好等优点。
一种钽酸锶铋钛酸锶钡异质介电材料及其合成方法应用

[发明专利]深沟槽内栅极氧化层上的脆弱点的消除-CN200610078750.6无效
发明人：谢福渊 -专利权人：谢福渊
申请日： 2006-05-11 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：具有0.7至2.0微米深沟槽的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)之加工方法，是先在半导体衬底上开沟槽，然后在沟槽内沉积厚绝缘层并使在沟槽底部的绝缘层比沟槽侧壁的绝缘层厚得多。随后侧壁的绝缘层被除掉，继之以生成一合成的双层，形成栅极氧化物。另一种具体方法是在栅极氧化物生长后再沉积绝缘层，再覆盖一个薄氮化物层，此氮化物层用作在除去沟槽侧壁绝缘层和多晶硅化学机械平整过程中的阻挡层。本发明的这些方案，体现于能消除当在有厚的底部氧化物的0.2微米深的沟槽内生成栅极氧化时出现在沟槽底部角落处的脆弱点。本发明还可以很好地控制沟槽的形状和栅极氧化物厚度的外形轮廓。
深沟栅极氧化脆弱消除