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[发明专利]大容量NVM接口控制器-CN201611213755.5有效
发明人：沈飞;王晨阳;王祎磊 -专利权人：北京忆芯科技有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本申请提供了大容量NVM接口控制器。所提供的NVM接口控制器，包括命令队列与NVM命令处理单元，NVM命令处理单元耦合到多个NVM芯片，命令队列用于接收IO命令，NVM命令处理单元用于从命令队列获取IO命令，并根据IO命令的指示向NVM芯片发送NVM接口命令或从NVM芯片接收数据或状态，NVM命令处理单元包括多个处理单元，用于访问对应的NVM芯片，其特征在于，NVM命令处理单元通过一个或多个CE扩展器耦合到NVM芯片的CE端口，NVM命令处理单元还用于通过设置CE扩展器向指定的NVM芯片发出芯片使能信号，以访问对应的NVM芯片。
容量 nvm 接口控制器

[发明专利]乱序执行NVM命令的方法与装置-CN201810380329.3有效
发明人：孙明浩;王祎磊;薛立成 -专利权人：贵阳忆芯科技有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本申请公开了乱序执行NVM命令的方法与装置。本申请的介质接口控制器，包括：消息队列和NVM命令处理单元，消息队列与NVM命令处理单元耦合，NVM命令处理单元还与多个NVM芯片耦合；消息队列用于接收访问NVM芯片的消息，NVM命令处理单元从消息队列获取信息，并根据消息的指示生成NVM接口命令并发送给NVM芯片；NVM命令处理单元改变发送NVM接口命令的顺序。
执行 nvm 命令方法装置

[发明专利]多平面NVM命令融合方法与装置-CN201810381673.4有效
发明人：孙明浩;薛立成;王祎磊 -专利权人：贵阳忆芯科技有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本申请公开了多平面NVM命令融合方法与装置。本申请的介质接口控制器，消息队列和NVM命令处理单元，消息队列与NVM命令处理单元耦合，NVM命令处理单元还与多个NVM芯片耦合；消息队列用于接收访问NVM芯片的逻辑单元的多个平面的消息，NVM命令处理单元从消息队列获取信息，并根据消息的指示生成NVM接口命令并发送给NVM芯片；NVM命令处理单元融合NVM接口命令。
平面 nvm 命令融合方法装置

[发明专利]优化NVM接口命令执行顺序的方法与装置-CN202010290860.9在审
发明人：孙明浩;薛立成;王祎磊 -专利权人：贵阳忆芯科技有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本申请公开了优化NVM接口命令执行顺序的方法与装置。该方法包括获取待执行的第一NVM接口命令；识别第一NVM接口命令是否命中NVM芯片的页缓存；响应于页缓存命中，根据第一NVM接口命令生成访问页缓存的命令，用访问页缓存的命令替代第一NVM接口命令。本申请中的介质接口控制器包括消息队列和NVM命令处理单元；消息队列用于接收访问NVM芯片的逻辑单元的多个平面的消息，NVM命令处理单元从消息队列获取信息，并根据消息的指示生成NVM接口命令并发送给NVM芯片；NVM命令处理单元融合NVM接口命令。
优化 nvm 接口命令执行顺序方法装置

[发明专利]用于执行具有多位输入矢量的矩阵计算的多级单元(MLC)非易失性(NV)存储器(NVM)矩阵电路-CN201880045785.0有效
发明人：李夏;康相赫;W-C·陈 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G11C11/54 文献下载
摘要：公开了用于执行具有多位输入矢量的矩阵计算的多级单元(MLC)非易失性(NV)存储器(NVM)矩阵电路。MLC NVM矩阵电路包括多个NVM存储串电路，每个NVM存储串电路包括多个MLC NVM存储电路，每个MLC NVM存储电路包括多个NVM位单元电路，每个NVM位单元电路被配置为存储1位存储器状态。因此，每个MLC NVM存储电路根据其相应NVM位单元电路的存储器状态来存储多位存储器状态。每个NVM位单元电路包括晶体管，该晶体管的栅极节点被耦合到被配置为接收输入矢量的多个字线中的字线。MLC NVM存储电路中的给定NVM位单元电路的栅极节点的激活控制其电阻是否对耦合到相应源极线的MLC NVM存储电路的总电阻做出贡献。
用于执行具有输入矢量矩阵计算多级单元 mlc 非易失性 nv 存储器 nvm 电路

[发明专利]以非NVM区内的同时蚀刻来图形化非易失性存储器的栅极叠层-CN201110251644.4有效
发明人： M·D·施罗夫 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了以非NVM区内的同时地蚀刻来图形化非易失性存储器的栅极叠层。一种在具有NVM区(82)和不与NVM区重叠的非NVM区(80)的衬底(84)之上形成非易失性存储器(NVM)的栅极叠层的方法包括在NVM区和非NVM区内的衬底之上形成选择栅极层(92)；同时地蚀刻在NVM区和非NVM区内的选择栅极层；在NVM区和非NVM区内的衬底之上形成电荷存储层(96)；在NVM区和非NVM区内的电荷存储层(96)之上形成控制栅极层(98)；以及同时地蚀刻在NVM区和非NVM区内的电荷存储层对NVM区内的选择栅极层的蚀刻产生了电荷存储层的在选择栅极层的一部分之上并叠盖选择栅极层的侧壁的部分，并且产生了控制电极层的在电池存储层的一部分之上的部分。
nvm 区内同时蚀刻图形非易失性存储器栅极

[发明专利]一种基于磨损感知的NVM条间磨损均衡方法-CN201910154125.2在审
发明人：肖春华;冯子佩;张林;潘妍樾;孙舒婷 -专利权人：重庆大学
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于磨损感知的NVM条间磨损均衡方法。在有多核多NVM条的系统中，通过每个CPU维护每个NVM的私有写次数计数器和私有的空闲链表实现对多个NVM条的带有条间磨损程度感知的管理，将多个CPU和多个NVM条解耦合以实现无锁结构提高并行处理性能。当上层应用下发NVM空间分配请求后，设计的NVM管理策略首先依据记录的CPU对每个NVM条的写次数找到写次数最少的那个NVM条，然后按照LUFO(least used first out)算法找到最近最少使用的NVM页，进而实现对多个NVM条的空间分配。当上层应用对NVM进行写操作时，每个CPU只需要更新各自私有的NVM写次数计数器，每个一段时间将写次数计数器信息刷回到NVM上，进而将NVM写次数信息持久化以免系统崩溃或是掉电。
磨损次数计数器磨损均衡感知空间分配上层应用算法并行处理性能空闲空间链表最近最少使用计数器次数信息管理策略空闲链表数据结构系统崩溃持久化解耦合写操作掉电多核无锁并发均衡管理更新记录维护

[发明专利]一种兼容磨损均衡NVM模式的设计方法，应用及系统-CN202310054921.5在审
发明人：江立晓 -专利权人：惠州市德赛西威汽车电子股份有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种兼容磨损均衡NVM模式的设计方法，应用及系统；所述设计方法包括：设置Sector空间；然后分别配置普通NVM模式和磨损均衡NVM模式，在所述普通NVM模式中，每个内容条目对应一个固定的Sector空间，并在普通NVM模式的代码中分别定义内容条目和数据长度；在所述磨损均衡NVM模式中，每个内容条目对应多个Sector空间；在每个Sector空间上添加Header信息，Trailer信息和CRC校验信息，并在磨损均衡NVM模式的代码中分别定义内容条目，数据长度和条目属性；通过以上配置实现应用软件可以根据内容条目结构访问不同的NVM模式。本发明同时兼容普通NVM模式和磨损均衡NVM模式，实现不同内容条目结构可以访问不同的NVM模式，在节省成本的同时，还增加了NVM的擦写寿命。
一种兼容磨损均衡 nvm 模式设计方法应用系统

[发明专利]加密的群编程-CN202080018802.9在审
发明人：克里福德·齐特洛;马库斯·翁泽尔德;桑迪普·克莉丝涅戈达;中田大辅;冈田伸介;斯蒂芬·罗斯纳 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G06F12/14 文献下载
摘要：公开了一种用于对多个非易失性存储器(NVM)设备进行编程的装置和方法。每个NVM设备自生成并存储唯一加密密钥。每个NVM设备从与所有NVM设备通信地耦接的多设备编程系统同时接收图像。每个NVM设备使用这样的NVM设备的唯一加密密钥对所接收到的图像进行加密，以针对每个NVM设备产生唯一的加密图像。每个NVM设备将其唯一的加密图像存储在这样的NVM设备的非易失性存储器内。然后可以将唯一加密密钥安全地传输至主机设备，以对从NVM设备之一访问的图像进行解密。
加密编程

[发明专利]NVM测试加速方法及系统-CN201811003043.X有效
发明人：吕品;关媛;张海峰;唐晓柯;袁远东;邵明驰 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种NVM测试加速方法及系统，该NVM测试加速方法包括如下步骤：通过测试命令打入第一NVM操作指令，其中，第一NVM操作指令包括数据和地址信息；对第一NVM操作指令进行解码和处理以提取出数据和地址信息；基于第一NVM操作指令，产生满足NVM存储器擦、写以及读操作时序信息的第一控制信号，其中，基于第一NVM操作指令，第一控制信号被选择为并行控制多个NVM存储器；基于第一控制信号，并根据数据和地址，进行NVM存储器的对应操作并生成输出数据；以及基于第一NVM操作指令，对输出数据进行比较处理，并输出代表比较结果的失败信号。本发明的NVM测试加速方法能够大幅降低测试时间，从而降低测试成本，并显著提升测试效率。
nvm 测试加速方法系统

[发明专利]一种数据读取方法、集成电路及芯片-CN201710154782.8有效
发明人：温浪明;陈恒;易冬柏;方励 -专利权人：珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据读取方法、集成电路及芯片，集成电路包括：低电压检测逻辑电路和NVM控制器，在NVM控制器从NVM读取数据之前，低电压检测逻辑电路会首先从NVM的预烧区域读取预烧区域返回值，通过比较预烧区域返回值和预先烧写到预烧区域的目标预烧值是否相等，确定NVM的供电电压是否正常，并且只有在预烧区域返回值和目标预烧值相等时，即NVM的供电电压正常时，NVM控制器才会从NVM内读取数据。由此可知，本发明是在确定NVM的供电电压正常后，才读取NVM内的数据，因此，能够有效保证读取NVM的数据的稳定性，避免因NVM的供电电压处于非正常状态所带来的读取数据不稳定的问题。
一种数据读取方法集成电路芯片

[实用新型]一种集成电路及芯片-CN201720255469.9有效
发明人：温浪明;陈恒;易冬柏;方励 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成电路及芯片，集成电路包括低电压检测逻辑电路和NVM控制器，在NVM控制器从NVM读取数据之前，低电压检测逻辑电路会首先从NVM的预烧区域读取预烧区域返回值，通过比较预烧区域返回值和预先烧写到预烧区域的目标预烧值是否相等，确定NVM的供电电压是否正常，并且只有在预烧区域返回值和目标预烧值相等时，即NVM的供电电压正常时，NVM控制器才会从NVM内读取数据。由此可知，本实用新型是在确定NVM的供电电压正常后，方可读取NVM内的数据，因此，能够有效保证读取NVM的数据的稳定性，避免因NVM的供电电压处于非正常状态所带来的读取数据不稳定的问题。
一种集成电路芯片

[发明专利]基于异构混合内存的NVM内存擦写控制方法和系统-CN201410830327.1有效
发明人：薛英仪;马先明;庞观士;陈志列;王志远;沈航;梁艳妮;徐成泽 -专利权人：研祥智能科技股份有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于异构混合内存的NVM内存擦写控制方法，该方法包括：获取NVM页面擦写次数记录表，所述NVM页面擦写次数记录表中记录了NVM内存的页面序号和所对应的擦写次数；根据NVM页面擦写次数记录表，采用均衡算法对所述NVM内存的页面序号对应的擦写次数进行运算，得到擦写次数的运算值；根据所述页面序号为所述运算值的NVM内存的页面，将数据写入NVM内存中。由于均衡算法可以保证NVM的所有页面被选择的次数相对随机平均，从而控制了NVM不同存储单元之间的擦写次数，使各个存储单元的寿命比较平均。此外，还提供了一种基于异构混合内存的NVM内存擦写控制系统。
基于混合内存 nvm 擦写控制方法系统

[发明专利]基于操作温度调整NVM单元偏置条件以降低性能退化的方法和系统-CN201310316735.0有效
发明人：穆复宸;王彦卓 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：公开了用于对非易失性存储器(NVM)单元的偏置条件进行基于温度的调整以改进NVM系统的性能和产品寿命的方法和系统。系统实施例包括具有NVM控制器（212）、偏压发生器（150）和NVM单元阵列（204）的集成NVM系统（102）。此外，NVM系统可以在存储电路中存储基于温度的偏置条件信息。所公开的实施例基于温度测量选择和运用NVM单元的偏置条件。
基于操作温度调整 nvm 单元偏置条件降低性能退化方法系统

[发明专利]一种双离合器变速器NVM数据校验方法及模块-CN201811151081.X有效
发明人：马培义;徐瑞雪;周沛泽;王祺明;朱成;王烨 -专利权人：安徽江淮汽车集团股份有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种双离合器变速器NVM数据校验方法及模块，方法包括下电存储过程、TCU刷写存储过程和上电校验过程：上电校验过程包括：判断底层软件接口NVM数据返回是否成功；若是，则在上一次保存的N份NVM数据Dstart‑1中筛选出正常数据Dnor；将正常数据Dnor中一致的NVM数据Dcon中最大份数M对应的NVM数据记录为Dfinal；选取NVM数据Dfinal为执行NVM数据，或者获取最近一次的执行NVM数据或变速器下线时学习的NVM数据为执行NVM数据。本发明的双离合器变速器NVM数据校验方法通过在不同的进程中对NVM数据的校验，提高使用的NVM数据的准确性，有利于保证整车的正常行驶。
一种离合器变速器 nvm 数据校验方法模块

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