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[发明专利]存储器控制器、操作该存储器控制器的方法以及存储器系统-CN201810230803.4有效
发明人：邵惠晶;李东焕;崔城赫;吴银珠;孔骏镇;孙弘乐;尹弼相 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器控制器、一种操作该存储器控制器的方法以及一种存储器系统。该操作存储器控制器的方法包括：基于与处于擦除状态的多个存储单元有关的擦除状态信息，将处于擦除状态的多个存储单元分类成多个组；为多个组中的至少一个组中包括的存储单元中的至少一些存储单元设置至少一种目标编程状态；以及将已经设置了至少一种目标编程状态的至少一些存储单元编程为多种编程状态中除了目标编程状态之外的编程状态。
存储器控制器操作方法以及系统

[发明专利]纠错码（ECC）解码的方法和执行该方法的存储器系统-CN202211110168.9在审
发明人：李岗䄷;柳根荣;崔城赫;孙弘乐;黄映竣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：公开了纠错码(ECC)解码的方法和执行该方法的存储器系统。在纠错码(ECC)解码的方法中，基于正常读取电压从非易失性存储器装置读取正常读取数据，并且对所述正常读取数据执行第一ECC解码。当第一ECC解码失败时，基于与阈值电压的翻转范围对应的翻转读取电压从非易失性存储器装置读取翻转读取数据。通过对所述正常读取数据的位之中的包括在所述翻转范围中的错误候选位进行反转，基于所述翻转读取数据生成纠正后的读取数据，并且对所述纠正后的读取数据执行第二ECC解码。当基于所述正常读取数据的ECC解码失败时，可通过重试基于所述纠正后的读取数据的ECC解码来增强纠错能力。
纠错码 ecc 解码方法执行存储器系统

[发明专利]存储器控制器、存储器系统以及存储器控制器的操作方法-CN202210540102.7在审
发明人：鲁官宇;宋弦钟;李伟植;孙弘乐;申东旻;崔城赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：提供一种计算最佳读取电平的存储器控制器、一种包括存储器控制器的存储器系统、以及一种存储器控制器的操作方法。存储器控制器包括处理器和读取电平计算模块，处理器被配置为控制对存储器件的存储器操作，读取电平计算模块被配置为：接收基于对使用多个电平读取的数据的计数操作生成的N个计数值，N个计数值分别对应于N个读取电平，以从N个读取电平选择的选定读取电平作为输入并且以与选定读取电平相对应的计数值作为输出，建模出至少两个单元计数函数，并且基于从至少两个单元计数函数选择的最佳单元计数函数来计算最佳读取电平，其中，N是等于或大于四的整数，其中，N个计数值包括与不同的至少四个读取电平相对应的计数值。
存储器控制器系统以及操作方法

[发明专利]被配置为控制存储装置的存储器控制器的操作方法-CN202211115494.9在审
发明人： 崔城赫;申东旻;孙弘乐;宋弦钟;赵映澈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本文公开了控制存储装置的存储器控制器的操作方法。该方法包括：将写入数据存储在存储装置的第一区域中，提取指示包括在存储在第一区域中的数据中的至少一个错误的位置的第一错误位置信息，将第一错误位置信息存储在存储装置的第二区域中，从存储装置的第一区域读取读取数据；从存储装置的第二区域读取第一错误位置信息，基于第一错误位置信息对读取数据进行改进以生成改进数据，基于改进数据执行软判决解码以生成校正数据，以及输出校正数据。
配置控制存储装置存储器控制器操作方法

[发明专利]预测非易失性存储器件的剩余寿命的方法以及存储设备-CN202111227999.X在审
发明人：尹钟轮;宋弦钟;崔城赫;孙弘乐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：提供了预测非易失性存储器件的剩余寿命的方法以及执行该方法的存储设备。在预测非易失性存储器件的剩余寿命的方法中，执行读取序列。所述读取序列包括多个读取操作，所述多个读取操作中的至少一个读取操作被顺序地执行，直到成功地得到所述非易失性存储器件中存储的读取数据。生成序列类别和纠错码(ECC)解码信息。基于所述序列类别和所述ECC解码信息中的至少一者确定所述非易失性存储器件的寿命阶段。当确定所述非易失性存储器件对应于第一寿命阶段时，执行对所述非易失性存储器件的所述剩余寿命的粗略预测。当确定所述非易失性存储器件对应于所述第一寿命阶段之后的第二寿命阶段，执行对所述非易失性存储器件的所述剩余寿命的精细预测。
预测非易失性存储器剩余寿命方法以及存储设备

[发明专利]使用机器学习控制非易失性存储器设备的操作的方法和存储系统-CN202011260929.X在审
发明人： 崔城赫;孙弘乐;宋太铉;曹贤相 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：根据一种使用机器学习来控制非易失性存储器设备的操作的方法，通过使用机器学习模型执行推断操作来确定非易失性存储器设备的操作条件。收集基于特征信息和错误信息生成的训练数据，其中错误信息指示非易失性存储器设备的错误校正码(ECC)解码的结果。通过基于训练数据执行学习操作来更新机器学习模型。通过在存储系统中收集训练数据并基于训练数据执行学习操作和推断操作来提供针对各个用户环境的最优操作条件。
使用机器学习控制非易失性存储器设备操作方法存储系统

[发明专利]存储装置和存储装置的操作方法-CN202011410313.6在审
发明人：韩泫升;崔城赫;罗渶锡;孙弘乐;宋太铉;全甫皖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了存储装置和存储装置的操作方法。一种存储装置包括非易失性存储器装置和存储器控制器。存储器控制器基于第一读取命令从非易失性存储器装置接收第一数据，并且对第一数据执行错误校正。当错误校正失败时，存储器控制器将第二读取命令和第二读取电压信息发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第二数据，将第三读取命令和第三读取电压信息发送至非易失性存储器装置，以及从非易失性存储器装置接收第三数据。存储器控制器基于第二数据和第三数据调整偏移，将第四读取命令、第四读取电压信息和偏移发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第四数据，以及基于第四数据执行软判决处理。
存储装置操作方法

[发明专利]存储器控制器的操作方法、存储设备及其操作方法-CN202010790981.X在审
发明人：申东旻;金玟昱;罗渶锡;宋太铉;崔城赫;孙弘乐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：提供了一种存储器控制器的操作方法。该操作方法包括：接收第一读取数据和第二转换信息，第二转换信息包括通过基于线性运算转换第二读取数据而获得的数据，并且第一读取数据和所述第二读取数据包括从相同存储器单元读取的数据；基于线性运算转换第一读取数据以生成第一转换信息；对第一转换信息和第二转换信息执行逻辑运算以生成运算信息；对运算信息执行线性运算的逆运算以生成可靠性信息；以及基于第一读取数据和可靠性信息，纠正第一读取数据的错误。
存储器控制器操作方法存储设备及其

[发明专利]存储器件及其自交织方法-CN201110280452.6有效
发明人： 崔城赫;孙弘乐;孔骏镇;金宰弘;赵庆来;金容俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种存储器件包括：存储单元阵列；自交织器，配置为使用交织方案将数据即时交织和加载到缓冲器电路中；以及控制逻辑，配置为控制存储单元阵列中交织数据的编程。
存储器件及其交织方法

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