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[发明专利]基于子块位置操作存储器装置的方法和相关存储器系统-CN201810796330.4有效
发明人： 朴世桓;金完东 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种存储器装置、一种存储器系统以及一种操作存储器装置的方法。所述存储器装置可包括操作性地连接至共源极线和多条位线的存储器块，其中存储器块包括相对于共源极线和所述多条位线在存储器块中各自具有对应的位置的第一子块和第二子块。可通过从存储器装置外部接收命令和地址来操作存储器装置，并且基于包括被构造为响应于地址而被激活的字线的第一子块或第二子块的对应的位置，利用经过存储器块的第一预充电路径或者经过存储器块的第二预充电路径，响应于命令对存储器块执行预充电操作。
基于位置操作存储器装置方法相关系统

[发明专利]基于虚拟现实的二次电池生产用火灾应对模拟方法及装置-CN202280013451.1在审
发明人：权民喜;朴世桓;朴俊燮;金永得;金南赫;全秀镐;崔永相 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G09B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及基于虚拟现实(VR)的二次电池生产用火灾应对模拟装置。基于虚拟现实的二次电池生产用火灾应对模拟装置包括：存储器，用于存储至少一个指令；以及至少一个处理器，用于执行存储在存储器的至少一个指令。至少一个指令包括用于执行如下步骤的多个指令：从头戴式显示器(HMD)接收被识别的用户的凝视方向及凝视位置；基于头戴式显示器的显示区域来显示与所接收的凝视方向及凝视位置相对应的二次电池生产装置关联的火灾应对内容，火灾应对内容包括多个火灾应对场景；获取表示用户的动作的用户行为信息，上述用户的动作由头戴式显示器及与头戴式显示器关联的控制器中的至少一个来确定；以及基于所获取的用户行为信息来执行与二次电池生产装置关联的火灾应对内容。
基于虚拟现实二次电池生产火灾应对模拟方法装置

[发明专利]非易失性存储器设备-CN201710740518.2有效
发明人：金志锡;朴一汉;朴世桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一种非易失性存储器设备，包括：包括存储器单元串的存储器单元阵列，所述存储器单元串包括接地选择晶体管和多个串联连接的非易失性存储器单元；连接到接地选择晶体管的接地选择线和连接到多个存储器单元的多个字线；被配置为生成施加到多个字线的编程验证电压和读取电压的电压生成器；以及被配置为基于编程验证温度偏移来控制对编程验证电压的补偿并且基于读取温度偏移来控制对读取电压的补偿的控制电路。
非易失性存储器设备

[发明专利]非易失性存储装置以及操作非易失性存储装置的方法-CN202211096242.6在审
发明人：金俊镐;金真怜;朴世桓;李书荣;李知尚;张俊锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：提供了非易失性存储装置以及操作非易失性存储装置的方法。通过基于一个或更多个分组读取电压针对一条或更多条干扰源字线执行读取操作，来将连接到所述一条或更多条干扰源字线的干扰源存储单元分组成干扰源单元组，其中所述干扰源字线与存储块的字线当中的对应于读取地址的选定字线相邻。将连接到所述选定字线的选定存储单元分组成分别对应于所述干扰源单元组的选定单元组。确定分别对应于所述选定单元组的组读取条件并且基于所述组读取条件针对所述多个选定单元组执行组读取操作。通过根据操作环境的变化将所述选定存储单元分组成所述选定单元组来减少读取错误。
非易失性存储装置以及操作方法

[发明专利]闪存设备及其数据恢复读取方法-CN202211405464.1在审
发明人：朴恩香;张俊锡;朴世桓;李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：一种闪存设备包括与字线连接的存储器单元阵列和通过数据恢复读取操作对字线执行阈值电压补偿的控制逻辑。当在选择的字线之后对其执行编程的字线是虚设字线时，控制逻辑基于在选择的字线之前对其执行编程的数据恢复读取操作的结果对选择的字线执行阈值电压补偿。当在选择的字线之后对其执行编程的下一字线是虚设字线时，控制逻辑基于在选择的字线之前对其执行编程的前一字线的数据读取恢复读取操作的结果对选择的字线执行阈值电压补偿。
闪存设备及其数据恢复读取方法

[发明专利]在非易失性存储器(NVM)装置中读取数据的方法和NVM装置-CN202211224415.8在审
发明人：张孝正;金真怜;朴世桓;李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了在包括具有多个状态的多个存储器单元的非易失性存储器装置中读数据的方法和非易失性存储器装置，该多个状态包括第一状态和第二状态。在该方法中，执行针对第一状态的第一读取操作，执行针对第二状态的第二读取操作。为了执行第一读取操作，通过执行针对第一状态的谷单元计数操作获得针对第一状态的谷的单元计数，基于单元计数和针对第一状态的至少一个第一参考参数确定针对第一状态的第一读取电压电平，通过使用第一读取电压电平来执行针对第一状态的第一感测操作。为了执行第二读取操作，基于单元计数和第二状态的至少一个第二参考参数确定针对第二状态的第二读取电压电平，通过使用针对第二读取电压电平执行针对第二状态的第二感测操作。
非易失性存储器 nvm 装置读取数据方法

[发明专利]非易失性存储器装置、存储器控制器和存储装置的读方法-CN202210181050.9在审
发明人：徐荣德;金真怜;朴世桓;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：一种非易失性存储器装置包括：存储器块，其包括存储器区域；片上谷搜索(OVS)电路，其对存储器块执行OVS读出操作；以及缓冲存储器，其存储至少一个变化表，该至少一个变化表包括从OVS读出操作获得的存储器单元的阈值电压的变化信息。响应于由存储器控制器施加的读取命令，对存储器区域执行包括OVS读出操作和主读出操作的读取操作，以OVS读出电平执行OVS读出操作，并且以反映变化信息的主读出电平执行主读出操作。在非易失性存储器装置中，可以提高对字线阈值电压的劣化的校正精度，并且可以减少存储器控制器的负担。
非易失性存储器装置存储器控制器存储方法

[发明专利]存储设备和操作存储设备的方法-CN202111333481.4在审
发明人： 朴世桓;金真怜;徐荣德;申东旻;张俊锡;曹诚敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：存储设备包括非易失性存储器件和控制非易失性存储器件的存储器控制器。非易失性存储器件包括存储单元阵列。存储单元阵列包括正常单元区域、奇偶校验单元区域和冗余单元区域。第一位线连接到正常单元区域和奇偶校验单元区域，第二位线连接到冗余单元区域。存储器控制器包括用于产生奇偶校验数据的纠错码(ECC)引擎。存储器控制器将用户数据存储在正常单元区域中，控制非易失性存储器件对第一位线中的第一缺陷位线执行列修复，将附加列地址分配给第一缺陷位线和第二位线，以及将奇偶校验数据的至少一部分存储在与附加地分配的列地址相对应的区域中。
存储设备操作方法

[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法和存储器系统-CN202111170351.3在审
发明人： 朴世桓;金真怜;徐荣德;申东旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：公开了非易失性存储器装置及其操作方法和存储器系统。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括存储芯片级信息的元数据区域；控制逻辑，响应于命令识别目标单元；机器学习(ML)逻辑，基于作为输入被施加到人工神经网络模型的芯片级信息和与目标单元相关联的物理信息来推断最佳参数；以及缓冲存储器，被配置为存储人工神经网络模型的权重参数。
非易失性存储器装置及其操作方法存储器系统

[发明专利]垂直非易失性存储器件、半导体封装件和存储器件的散热方法-CN202111412771.8在审
发明人：边宰范;金钟三;朴世桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：提供了能够以芯片级稳定地维持工作温度的垂直非易失性存储器件、包括该存储器件的半导体封装件以及该存储器件的散热方法。该垂直非易失性存储器件包括：衬底，所述衬底上限定有单元阵列区域和扩展区域；垂直沟道结构，所述垂直沟道结构形成在所述衬底上；热电器件，所述热电器件包括形成在所述衬底上的至少两个半导体柱；以及堆叠结构，所述堆叠结构位于所述衬底上。所述堆叠结构包括沿着垂直沟道结构的侧壁和所述至少两个半导体柱的侧壁交替堆叠的栅电极层和层间绝缘层。所述至少两个半导体柱包括通过所述衬底上的导电层彼此电连接的n型半导体柱和p型半导体柱。
垂直非易失性存储器半导体封装存储器件散热方法

[发明专利]存储器控制器、存储器装置和存储装置-CN202210035693.2在审
发明人： 朴世桓;金真怜;朴一汉;徐荣德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：公开了存储器控制器、存储器装置和存储装置。当从执行读取操作的存储器装置接收的读取数据中的错误无法被纠正时，存储器装置可以从存储器单元的阈值电压分布确定单元计数信息，并且可以基于单元计数信息确定检测情况。存储器控制器可以控制存储器装置使用考虑读取电压的与检测情况对应的偏移电压而确定的发展时间来执行读取操作。当读取数据中的错误被成功地纠正时，存储器控制器可以使用通过将单元计数信息输入到机器学习模型而获得的动态偏移电压来更新存储在存储器控制器中的表。
存储器控制器装置存储

[发明专利]非易失性存储器装置、控制器及其操作方法-CN202111476322.X在审
发明人：申东旻;金真怜;朴世桓;徐荣德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：提供了非易失性存储器装置、控制器及其操作方法。所述控制器包括：非易失性存储器接口电路，连接到至少一个非易失性存储器装置，并且被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置；以及纠错电路，被配置为：根据从多个纠错解码等级之中选择的纠错解码等级，对从非易失性存储器接口电路接收的码字执行纠错操作，其中，非易失性存储器接口电路还被配置为：从所述至少一个非易失性存储器装置接收辅助信息，基于辅助信息预测存储器单元的分布，以及根据预测的分布从所述多个纠错解码等级之中选择纠错解码等级。
非易失性存储器装置控制器及其操作方法

[发明专利]包括非易失性存储器设备的存储设备及操作其的方法-CN202111192474.7在审
发明人：徐荣德;金真怜;朴世桓;申东旻;姜宇现;吴信镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种操作非易失性存储器设备的方法。该方法包括：将设置在非易失性存储器设备中的多个存储器块中的存储器块划分为多个保留组；生成包括与多个保留组对应的多个擦除编程间隔(EPI)值的时间差信息；生成包括与多个默认读取电压和多个纠正的读取电压之间的差对应的多个偏移值的偏移信息；基于偏移信息和时间差信息生成与读取地址对应的补偿的读取电压；和基于读取地址和补偿的读取电压执行读取操作以从非易失性存储器设备读取数据。
包括非易失性存储器设备存储操作方法

[发明专利]执行擦除操作以保持数据可靠性的存储器件-CN202111581392.1在审
发明人：金真怜;朴世桓;朴一汉;徐荣德;申东旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：存储器件可以包括存储块和控制电路。存储块可以包括第一子块和第二子块，第一子块和第二子块连接在公共源极线与多条位线之间并且可以竖直堆叠。控制电路可以被配置为基于第一子块和第二子块的位置，选择公共源极线和多条位线中的一者作为擦除电压的传输路径，并以子块为单位对第一子块和第二子块执行擦除操作。
执行擦除操作保持数据可靠性存储器件

[发明专利]存储装置的读取方法及非易失性存储器装置-CN202111085058.7在审
发明人： 朴世桓;金真怜;徐荣德;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了存储装置的读取方法及非易失性存储器装置。存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的控制器。所述至少一个非易失性存储器装置通过根据命令锁存启用(CLE)信号和地址锁存启用(ALE)信号在写入启用(WE)信号的边沿锁存读取命令来执行片上谷搜索(OVS)操作。响应于特定命令，控制器从所述至少一个非易失性存储器装置接收根据OVS操作的检测信息。OVS操作包括使用读取电平的第一OVS操作和使用改变后的读取电平的第二OVS操作。
存储装置读取方法非易失性存储器

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