[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有某一浓度的衬底；

具有另一浓度的反向掺杂区，所述反向掺杂区设置在所述衬底中并且使得所述另一浓度低于所述某一浓度；

包括所述反向掺杂区的肖特基势垒二极管(SBD)区；

设置在所述肖特基势垒二极管(SBD)区中的阱区；

其中所述反向掺杂区包括设置在所述肖特基势垒二极管(SBD)区中的第一掺杂区，以及设置在所述阱区中的第二掺杂区，

其中所述反向掺杂区设置为具有比所述阱区的深度更浅的深度；以及

其中所述半导体器件还包括在所述衬底中的具有第一深度的第一沟槽和在所述衬底中的具有第二深度的第二沟槽，所述第一深度深于所述第二深度；以及其中所述第一沟槽设置在MOSFET区与肖特基势垒二极管(SBD)区之间的边界线上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括与所述反向掺杂区接触的金属层，其中

所述衬底具有某一导电类型；以及

所述肖特基势垒二极管还包括所述金属层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括具有另一种导电类型并且设置在所述衬底中的体区。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述反向掺杂区还包括：

设置在所述体区中的第三掺杂区。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第三掺杂区具有比所述第二掺杂区的掺杂浓度更高的掺杂浓度。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

所述体区包括第一体区和第二体区；

所述阱区包括第一阱区、第二阱区和第三阱区；以及

所述第一体区由所述第一阱区或所述第三阱区包围。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一沟槽包括顶部多晶Si层、底部多晶Si层以及设置在所述顶部多晶Si层与所述底部多晶Si层之间的绝缘层。

8.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述体区具有比所述阱区更小的深度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述阱区的深度小于所述第一沟槽的深度。

10.一种半导体器件的制造方法，包括：

形成具有第一导电类型的衬底；

使用具有第二导电类型的掺杂剂向衬底区中执行离子注入，由此在所述衬底区中形成反向掺杂区；

在所述衬底区中形成沟槽；

形成相邻于所述沟槽的体区；以及

形成相邻于所述沟槽并且设置在肖特基势垒二极管(SBD)区中的阱区，

其中所述反向掺杂区包括设置在所述肖特基势垒二极管(SBD)区中的第一掺杂区，以及设置在所述阱区中的第二掺杂区，所述反向掺杂区配置成减小所述衬底的顶部处的净掺杂浓度；

其中所述反向掺杂区设置为具有比所述阱区的深度更浅的深度；以及

所述形成沟槽包括形成多个沟槽，所述多个沟槽包括在所述衬底中的具有第一深度的第一沟槽和在所述衬底中的具有第二深度的第二沟槽，所述第一深度深于所述第二深度；以及其中所述第一沟槽设置在MOSFET区与肖特基势垒二极管(SBD)区之间的边界线上。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其中

所述形成体区包括形成具有所述第二导电类型的体区；

所述形成阱区包括形成具有所述第二导电类型的阱区；以及

所述第一沟槽直接接触所述阱区。

12.根据权利要求10所述的制造方法，其中所述体区具有比所述阱区的深度更小的深度，并且所述阱区的深度小于所述沟槽的深度。