[发明专利]半导体器件、制造方法以及晶体管电路

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一化合物半导体膜；

层压膜，其中层叠有第二化合物半导体膜和绝缘膜；以及

电极，包括第一部分和第二部分，所述第一部分嵌入在形成于所述层压膜上的凹陷中，所述第二部分在所述第一部分与所述绝缘膜这两者之上延伸，

其中所述第一部分包括第一嵌入部分和第二嵌入部分，所述第一嵌入部分沿所述第二部分的延伸方向具有第一长度，所述第二嵌入部分被置于所述第一嵌入部分与所述凹陷的底部之间，且所述第二嵌入部分具有小于所述第一长度的第二长度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述凹陷抵达所述第二化合物半导体膜的内部。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述凹陷抵达所述第二化合物半导体膜的表面或停止在所述第一绝缘膜的内部。

4.根据权利要求1至3中的任何一个所述的半导体器件，

其中绝缘层被设置在所述电极与所述层压膜之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二部分扩展到所述第一部分的两侧，以及

所述第一嵌入部分扩展到所述第二嵌入部分的两侧。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述半导体器件是高电子迁移率晶体管，

所述第一化合物半导体膜是所述高电子迁移率晶体管的沟道层，

所述第二化合物半导体膜是所述高电子迁移率晶体管的阻挡层，

所述电极是将栅极和两个场板结合于其中的电极，以及

所述延伸方向是从所述高电子迁移率晶体管的源极朝向漏极的方向。

7.一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：

形成第一化合物半导体膜；

在所述第一化合物半导体膜上形成第二化合物半导体膜；

在所述第二化合物半导体膜上形成具有第一宽度的第一凹陷区；

在其上形成有所述第一凹陷区的所述第二化合物半导体上形成绝缘膜；

在所述绝缘膜上形成具有大于所述第一宽度的第二宽度的第二凹陷区，从而暴露出所述第一凹陷区和所述第一凹陷区的两侧；以及

形成电极，该电极在所述第一凹陷区和所述第二凹陷区上方延伸，并位于所述第二凹陷区外侧的所述绝缘膜上。

8.根据权利要求7所述的半导体器件制造方法，还包括以下步骤：

在包括所形成的第二凹陷区、所暴露的第一凹陷区和该第一凹陷区两侧的所述绝缘膜上连续层压绝缘层和导电膜；以及

通过蚀刻所述绝缘层和所述导电膜形成所述电极。

9.根据权利要求7或8所述的半导体器件制造方法，其中，

所述半导体器件是高电子迁移率晶体管，

所述第一化合物半导体膜是所述高电子迁移率晶体管的沟道层，

所述第二化合物半导体膜是所述高电子迁移率晶体管的阻挡层，以及

所述延伸方向是从所述高电子迁移率晶体管的源极朝向漏极的方向。