[发明专利]半导体器件、半导体晶片及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括划片区和芯片区；

多个布线层，形成在所述半导体晶片上方；

通路层，插在所述多个布线层之间；

导电薄膜，分别形成在所述多个布线层中；以及

通路塞，设置在所述通路层中，使得所述通路塞将分别位于所述通路层的上方和下方的所述布线层的导电薄膜彼此连接，

其中所述划片区沿所述半导体衬底的边缘而位于所述芯片区的外缘，

所述划片区包括位于所述边缘附近的焊盘区，在从垂直于所述衬底而看到的平面图中，所述焊盘区与所述多个布线层的导电薄膜重叠，

所述多个布线层包括第一布线层和第二布线层，

在从垂直于所述衬底而看到的平面图中，所述第一布线层的导电薄膜包括形成在所述焊盘区的整个表面上方的第一导电图案，以及

在从垂直于所述衬底而看到的平面图中，所述第二布线层的导电薄膜包括形成在一部分所述焊盘区中的第二导电图案。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二布线层的导电薄膜包括构成所述第二导电图案的多个部件，所述多个部件相互分离地设置在所述焊盘区内。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述第二导电图案至少形成在从所述边缘偏移的位置处。

4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述第二导电图案至少沿所述焊盘区的一部分外缘而设置，使得所述第二导电图案与所述边缘不重叠。

5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述焊盘区被这样的部分所限定：与所述边缘相对的第一外缘部分；延伸到所述边缘和所述第一外缘部分的第二外缘部分；以及延伸到所述边缘和所述第一外缘部分的第三外缘部分，所述焊盘区具有由所述第一外缘部分和所述第二外缘部分形成的第一顶点，由所述第一外缘部分和所述第三外缘部分形成的第二顶点，并且其中所述第二导电图案被设置在邻近所述第一顶点和所述第二顶点处。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第二导电图案呈钩状且被设置在邻近所述第一顶点或所述第二顶点处。

7.一种晶片，包括：

半导体衬底，包括划片区和由所述划片区限定的芯片区；

布线层，形成在所述半导体衬底上；

金属焊盘，沿所述划片区的中心线形成；以及

第一和第二导电图案，形成在所述布线层中，所述第一导电图案电性连接至所述焊盘，并且从平面图中观看，所述第一导电图案被设置为至少与所述焊盘重叠，

从平面图中观看，所述第二导电图案被设置为至少与所述焊盘重叠，并且所述第二导电图案与所述第一导电图案分离。

8.根据权利要求7所述的晶片，其中位于所述焊盘下面的所述第一和第二导电图案被形成在进行切割工艺时被切割刀片去除的区域中。

9.根据权利要求8所述的晶片，其中所述区域的宽度为15μm到50μm。

10.根据权利要求7-9中任一项所述的晶片，其中所述第二导电图案与所述焊盘电性隔离。

11.一种半导体器件的制造方法，包括：

在半导体晶片上形成监控装置，所述半导体晶片的表面形成有划片区，所述划片区在所述表面上限定多个芯片区；

在形成所述监控装置之后，在所述半导体晶片上方形成多层布线结构，所述多层布线结构包括交替层叠的通路层和布线层；以及

沿所述划片线切割所述半导体晶片以将所述半导体晶片分成多个芯片，

所述通路层具有连接位于所述通路层的上方和下方的所述布线层的导电薄膜的通路塞，

所述划片区包括去除区和焊盘区，所述去除区沿所述划片区的宽度方向的尺寸小于所述焊盘区的尺寸，

当从平面图中观看时，所述焊盘区与所述多个布线层重叠，

所述多个布线层包括第一布线层和第二布线层，

当从平面图中观看时，所述第一布线层的导电薄膜具有占用所述焊盘区的整个区域的第一导电图案，

当从平面图中观看时，所述第二布线层的导电薄膜包括占用一部分所述焊盘区的第二导电图案，所述切割通过切割刀片来去除所述去除区，但留下一部分所述焊盘区未被去除。