[发明专利]用于半导体器件的封装方法有效
申请号: | 201210055766.0 | 申请日: | 2012-03-05 |
公开(公告)号: | CN103065984A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 黄贵伟;林威宏;林志伟;林俊成;陈孟泽;郑明达;刘重希 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58;H01L21/60 |
代理公司: | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 陆鑫;房岭梅 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体器件 封装 方法 | ||
1.一种封装半导体器件的方法,所述方法包括:
提供工件,所述工件包括多个封装基板;
去除所述多个封装基板之间的所述工件的一部分;以及
将管芯附接至所述多个封装基板的每一个。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,附接所述管芯包括:提供包括设置其表面上的多个凸块的管芯;以及将所述管芯的表面上的所述多个凸块附接至所述多个封装基板的每一个。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,提供所述管芯包括:提供设置在其上的所述多个凸块包括焊料的管芯。
4.根据权利要求3所述的方法,还包括:实施焊接工艺、回流焊接工艺或热压接合工艺。
5.根据权利要求3所述的方法,其中,去除所述工件的一部分包括:去除大约20μm或者更多的所述工件。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,去除所述工件的一部分包括:去除所述工件接近所述管芯的顶部、去除所述工件与所述管芯相对面上的底部或者去除所述工件接近所述管芯的顶部和去除所述工件与所述管芯相对面上的底部。
7.根据权利要求1所述的方法,还包括:在所述管芯的上方形成底部填充材料;以及在所述管芯和所述底部填充材料的上方形成模塑料。
8.一种封装半导体器件的方法,所述方法包括:
提供工件,所述工件包括多个封装基板;
在所述工件的上方形成介电材料;
在所述介电材料的上方形成焊接掩模;
至少去除所述多个封装基板之间的所述焊接掩模;
将管芯附接至所述多个封装基板的每一个,所述管芯包括设置在其上的多个凸块;以及
将所述管芯的所述多个凸块电连接至所述多个封装基板。
9.根据权利要求8所述的方法,还包括:去除所述多个封装基板之间的所述介电材料的至少一部分。
10.一种封装半导体器件的方法,所述方法包括:
提供包括多个封装基板的工件;
在所述工件的上方形成介电材料;
在所述介电材料的上方形成焊接掩模;
去除所述多个封装基板之间的分离区域上的所述多个封装基板之间的所述焊接掩模和所述介电材料的至少一部分;
将管芯附接至所述多个封装基板的每一个,所述管芯包括设置在其上的多个凸块,所述多个凸块包括焊料;
使用回流焊接工艺对所述管芯的所述多个凸块的焊料进行回流;
在所述管芯上方形成底部填充材料;
在所述管芯、所述底部填充材料和所述多个封装基板的上方形成模塑料;以及
切割所述多个封装基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造