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[发明专利]一种存内计算单元-CN202210880747.5有效
发明人：乔树山;李润成;尚德龙;周玉梅 -专利权人：中科南京智能技术研究院
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G06F7/544 文献下载
摘要：该单元中与非门NAND1的第一输入端与位线BL1连接，与非门NAND1的第二输入端与输入符号位连接；与非门NAND1的输出端与反相器的输入端以及与非门NAND2的第一输入端连接，反相器的输出端与与非门NAND3的第一输入端连接，与非门NAND2的第二输入端及与非门NAND3的第二输入端与输入数据位连接，与非门NAND2的输出端控制第二SRAM的字线WL1和第三SRAM的字线WL1，与非门NAND3的输出端控制第二
一种计算单元

[发明专利]一种存储器电路-CN201810029754.8有效
发明人：杨燕;王海时;彭映杰;李英祥;王天宝;杜江;陈霞;王滨 -专利权人：成都信息工程大学
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：在MLC NAND Flash存储器中嵌入ECC编解码电路，对MLC NAND Flash存储器编程操作时，编程的数据通过ECC编码器编码后将数据传送至MLC NAND Flash存储器阵列单元中；对MLC NAND Flsah存储器读取操作时，从MLC NAND Flash存储器的阵列单元读出的数据经过ECC解码器译码后读出至I/O口。MLC NAND Flash存储器中内嵌ECC模块，具备一定的纠正读写数据出错的能力，从而很大程度上解决了MLC NAND Flash存储器编程和读取操作中数据易出错的问题，降低了外部NAND Flash存储控制器的设计复杂度，提高了MLC NAND Flash存储器芯片的可靠性。
一种存储器电路

[实用新型]一种NAND Flash芯片的掉电保护电路及固态硬盘-CN201820766752.2有效
发明人：林世清;刘青;周成亮 -专利权人：北京紫光得瑞科技有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种NAND Flash芯片的掉电保护电路及固态硬盘，该电路包括：电源通断控制电路，检测外部电源的掉电事件，并在检测到外部电源的掉电事件后，断开供电转换电路与外部电源的供电通路；储能电路，在供电通路断开之后为SSD系统、NAND Flash芯片供电，使NAND Flash芯片的供电电压在时间长度T内处于芯片工作电压额定值，让SSD在外部掉电后能够在时间长度T内将存放在DDR的易失性数据迁移到Nand Flash芯片保存；放电加速电路，在检测到NAND Flash芯片的供电电压小于芯片工作电压阈值时对Nand Flash芯片进行放电，以使Nand Flash恢复供电之前，降低到NAND Flash本实用新型能够降低Nand Flash恢复供电后出现错误事件发生的概率，提高系统在掉电后的再次开机响应速度。
掉电外部电源掉电保护电路芯片工作电压本实用新型供电电压固态硬盘恢复供电放电检测电源通断控制电路供电通路断开供电转换电路易失性数据储能电路错误事件放电电压供电通路加速电路阈值时断开电路开机迁移供电保存外部响应概率

[发明专利]一种基于FLASH的数据掉电位置的恢复方法-CN201811560744.3在审
发明人：万波;何建樑;叶明 -专利权人：成都旋极历通信息技术有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FLASH的数据掉电位置的恢复方法，其特征在于：在NAND FLASH数据存储、读取和擦除中，采用NvRAM记录NAND FLASH的块存储状态；在NAND FLASH上电时，遍历NvRAM中记录的NAND FLASH的块存储状态，计算出NAND FLASH的数据掉电存储位置。
数据掉电块存储读取存储位置遍历擦除记录上电恢复存储保证安全

[发明专利]非易失性存储器件及包括该器件的存储卡和电子系统-CN201010171725.9无效
发明人：金元住;朴允童;成政宪;庆龙九;崔相武;李太熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-01-14 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：层叠NAND单元阵列可以具有至少一个NAND组，每个NAND组可以包括垂直层叠在衬底上面的多个NAND串。至少一条信号线可以排列在衬底上从而与所述至少一个NAND组公共耦合。
非易失性存储器包括器件存储电子系统

[发明专利]3D垂直NAND以及通过前侧工艺和后侧工艺制造其的方法-CN201280028751.3有效
发明人： J.阿尔斯梅尔 -专利权人：桑迪士克科技股份有限公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：单片式三维NAND串及制造方法。该方法包括前侧工艺和后侧工艺两者。利用所述前侧工艺和后侧工艺的组合，NAND串可以被形成为在NAND串中的浮置栅极之间包括空气间隙。NAND串可以被形成有单个垂直沟道。备选地，NAND串可以具有U形，其具有与水平沟道连接的两个垂直沟道。
垂直 nand 以及通过工艺制造方法

[发明专利]一种提高NANDFLASH可靠性的方法及装置-CN201610784259.9在审
发明人：吴旋 -专利权人：福建联迪商用设备有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明涉及闪存技术领域，具体涉及一种提高NAND FLASH可靠性的方法及装置，所述方法包括如下步骤NAND控制器接收到中断信号后，判断NAND FLASH当前的操作的类型；若为编程操作，利用所述电容完成编程操作，通过NAND FLASH控制器复位NAND FLASH，结束当前正在进行的操作；若不为编程操作，通过NAND FLASH控制器复位NAND FLASH，结束当前正在进行的操作。
一种提高 nandflash 可靠性方法装置

[发明专利]取代NAND型闪存专用硬件接口的方法-CN200510023437.8无效
发明人：李赟;何代水 -专利权人：英华达（上海）电子有限公司
申请日： 2005-01-19 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： G06F13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种取代NAND型闪存专用硬件接口的方法，所述的NAND型闪存支持CE don’t care操作模式，将CPU的六个引脚分别与NAND型闪存引脚CLE、ALE、WE、RE、CE、R/B连接；对与所述NAND型闪存引脚CE相连接的CPU引脚设定映像地址；对与所述NAND型闪存引脚R/B相连接的CPU引脚设定为输入模式；根据与所述NAND型闪存引脚CLE、ALE、CE相连接的CPU引脚，确定闪存操作地址这样利用软件编程和CPU引脚取代了现有NAND型闪存专用硬件接口，降低整个项目成本的目的。该方法特别适用于PDA等移动手持设备上。
取代 nand 闪存专用硬件接口方法

[发明专利]一种NANDFLASH阵列写失败的处理方法-CN201710266509.4在审
发明人：尹超;赵鑫鑫;李朋;姜凯 -专利权人：济南浪潮高新科技投资发展有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明特别涉及一种NAND FLASH阵列写失败的处理方法。该NAND FLASH阵列写失败的处理方法，当NAND FLASH阵列在写过程中出现写错误时，从备用块RAM表中查找一个可替换块的地址，并将数据搬移到新的替换块中。该NAND FLASH阵列写失败的处理方法，能够实现NAND FLASH阵列坏块的替换及数据搬移，保证了数据的完整。
一种 nandflash 阵列失败处理方法

[发明专利]3D NAND Flash存储器的测试算法及其装置-CN201910160841.1有效
发明人：王颀;张桔萍;刘飞;霍宗亮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种3D NAND Flash存储器3D NAND Flash存储器的测试算法及其装置，基于3D NAND Flash存储器的结构，考虑3D NAND Flash存储器的故障模型，提出新的测试方法，按照特定的测试顺序和测试向量进行测试，可以更多覆盖或进一步全面覆盖3D NAND Flash存储器干扰故障。
nand flash 存储器测试算法及其装置

[发明专利]用于SSD异常掉电的写保护方法、装置、设备及介质-CN202310523934.2在审
发明人：茆玉鹏;罗宗扬;宗名扬 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于SSD异常掉电的写保护方法、装置、设备及介质，该方法，包括：判断SSD掉电时的电压是否低于设定值；若SSD掉电时的电压低于设定值，则触发VDT中断；判断Nand中是否存在未执行完成的命令；若Nand中存在未执行完成的命令，则使能Nand写保护。本发明通过在异常掉电发生后，触发VDT中断，然后对Nand中存在未执行完成的命令，进行使能Nand写保护，避免了将DDR中不稳定数据写入Nand，提升了SSD的可靠性。
用于 ssd 异常掉电写保护方法装置设备介质

[发明专利]一种Nand flash接口工作协议自适应方法、系统、设备及存储介质-CN202010195533.5有效
发明人：段小康 -专利权人：江苏芯盛智能科技有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G06F13/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种Nand flash接口工作协议自适应方法，包括如下步骤：将Nand flash复位；控制器切换成Toggle协议；所述控制器向所述Nand flash发送握手信号；判断所述Nand flash是否响应；若是，则建立通信通道；若否，则执行如下步骤：所述控制器复位且切换至SDR协议；将所述Nand flash再次复位，建立通信通道。本发明公开的Nand flash接口工作协议自适应方法，解决了额外设置GPIO所带来的耗费PCB面积，同时增加了PCB功耗的弊端。
一种 nand flash 接口工作协议自适应方法系统设备存储介质

[发明专利]一种Nand设备的硬件控制器、控制方法及液晶显示器-CN201810530147.X在审
发明人：周学兵 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种Nand设备的硬件控制器、控制方法以及液晶显示器，其中，该硬件控制器包括：坏块管理模块，用于管理Nand设备的坏块信息，所述坏块信息表示所述Nand设备中的坏块集合；主控制模块，用于接收终端的操作命令；所述操作命令用于指示对所述Nand设备的目标块集合进行读/写操作以及进行所述读/写操作所采用的数据传输方式，所述数据传输方式包括并行传输和串行传输中的至少一种；读写模块，用于跳过所述Nand设备中同时存在于所述坏块集合和所述目标块集合的块本发明不仅适用于不同数据传输方式的Nand设备，且能够在对Nand设备坏块管理的基础上进行读/写操作，提高Nand设备的适用性。
写操作集合数据传输方式硬件控制器目标块液晶显示器操作命令坏块信息坏块坏块管理模块主控制模块并行传输串行传输读写模块坏块管理接收终端跳过管理

[发明专利]涉及多NAND闪存的并行访问方法、固态硬盘和计算机-CN201711483137.7在审
发明人：黄敏;陈大庆;殷艳超;许宜申;吴迪;陶智;詹耀辉 -专利权人：苏州大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多NAND闪存组成的存储系统中的并行访问方法，所述NAND闪存的数量为N，通道的数量等于NAND闪存的数量，所述NAND闪存的物理页的数量为M，一次连续的请求的逻辑地址为0到M*N‑1，其中，M和N都是正整数，M≥2，N≥2，包括：所述连续的请求通过队列管理器，对于第i通道的第j次请求，分配的逻辑地址为M*N‑1‑i*N‑j；依次经过闪存转译层地址映射、请求分配管理器和NAND闪存控制器后写入到多NAND闪存组成的存储系统中。系统I/O性能提高，减少了基于NAND Flash SSD的垃圾回收时脏块的擦除次数及有效页复制次数。发明还涉及一种多NAND闪存组成的存储系统中的访问方法、固态硬盘和计算机。
存储系统并行访问固态硬盘逻辑地址队列管理器地址映射垃圾回收请求分配控制器管理器计算机物理页有效页正整数转译层擦除闪存写入复制分配访问

[发明专利]一种提高NAND FLASH器件文件存取速度的方法及系统-CN201811512203.3在审
发明人：邱礼胜;唐琪;杨磊 -专利权人：成都嘉泰华力科技有限责任公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高NAND FLASH器件文件存取速度的方法及系统，在现有NAND FLASH存储结构中，增加一种存取速度比NAND FLASH器件快的存储器件，并将原存放在NAND FLASH备份区域中的文件组织的链表结构存放于所述的快速存储器件中，通过所述的快速存储器件与原有的NAND FLASH之间的分工协同来提高NAND FLASH器件文件存取速度。包括处理器、NAND FLASH存储器件和快速存储器，处理器、NAND FLASH存储器件和快速存储器通过总线连接。
文件存取快速存储器件快速存储器表操作处理器次链操作实时性单周期操作备份区域存储器件链表结构文件组织总线连接块擦除速度比原有的存取协同分工改进