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[发明专利]三维存储器件及其制作方法-CN201880005575.9有效
发明人：朱继锋;吕震宇;陈俊;胡禺石;陶谦;S·S-N·杨;S·W·杨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：NAND存储器件(200)包括衬底(202)、在衬底(202)上的多个NAND串(230)、在NAND串(230)上的一或多个外围器件、在周边组件上方的单晶硅层、以及在外围器件与NAND串(230)之间的一个或多个互连层NAND存储器件(200)包括键合接口(219)，阵列互连层与外围互连层在所述接口处接触。
三维存储器件及其制作方法

[发明专利]对NAND Flash的文件保密方法、装置及系统-CN200910196852.1无效
发明人：祝建华 -专利权人：上海华为技术有限公司
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2010-04-14 - 主分类号： G06F17/30 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种对NAND Flash的文件保密方法、装置及系统。一种对NAND Flash的文件保密方法实施例包括：接收NAND Flash文件系统发送的用于保存的文件系统信息；对所述文件系统信息进行加密，在NAND Flash中保存所述加密后的文件系统信息。本发明实施例提高了应用于嵌入式系统的NAND Flash文件系统的安全性。
nand flash 文件保密方法装置系统

[发明专利]一种系统级芯片利用NAND闪存启动的方法-CN201110111172.2无效
发明人：陆伟 -专利权人：北京凡达讯科技有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：本发明公开了一种系统级芯片利用NAND闪存启动的方法，其特征在于从NAND闪存读取启动标头信息，根据启动标头信息读取NAND闪存中的启动代码，执行启动代码。根据本发明的方法可以用较小的代价来标识NAND闪存的规格信息，使得系统级芯片能从任意新型的NAND闪存启动，同时仍保持使用足够的ECC强度保护用户标识的信息，可靠性高。
一种系统芯片利用 nand 闪存启动方法

[发明专利]一种加密卡的文件存储方法及安全删除方法-CN201611005940.5在审
发明人：杨硕;王申 -专利权人：航天信息股份有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及闪存领域，提供一种加密卡的文件存储方法，其中所述加密卡包括NOR Flash和NAND Flash，所述存储方法包括将大容量的敏感信息存储在所述NAND Flash中；将辅助性的NAND Flash管理信息存放在所述NOR Flash中，所述辅助性的NAND Flash管理信息包括与存储在所述NAND Flash文件相对应的密钥。本发明在现有加密卡平台上实现安全存储的方法，不需要改动现有加密卡的硬件结构，利用现有加密卡的自有接口即可，充分利用了NAND Flash和NOR Flash的特性，大大降低了NAND Flash擦写的次数
一种加密文件存储方法安全删除

[发明专利]一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法-CN202111342713.2在审
发明人：李栋 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本申请提供一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法，用于对待测NandFlash芯片进行功耗测试，该系统包括测试板卡和测试主机，待测Nand Flash芯片的状态信号线连接测试板卡；测试主机用于根据当前功耗测试需求向测试板卡发送测试指令；测试板卡用于在接收到测试指令后，按照测试指令对待测Nand Flash芯片中的样本颗粒进行相应的测试；当测试板卡基于状态信号线确定待测Nand Flash芯片进入工作状态时，采集待测Nand Flash上述方案提供的系统使得到的功耗数据与待测Nand Flash颗粒的工作时间同步，从而保证了测得的Nand Flash功耗数据的准确性。
一种 nand flash 颗粒功耗测试系统方法

[实用新型]基于SPI接口的数据存储装置-CN201120309421.4有效
发明人：孙银明 -专利权人：四川和芯微电子股份有限公司
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种基于SPI接口的数据存储装置，包括一SPI接口电路、一用于存储数据的NAND闪存、一连接于所述SPI接口电路及所述NAND闪存之间用于控制所述SPI接口电路与所述NAND闪存之间数据传输的NAND闪存接口、一连接于所述SPI接口电路及所述NAND闪存接口之间用于将所述SPI接口电路接收的指令转换为所述NAND闪存可以识别的指令的指令控制电路及一连接于所述SPI接口电路及所述NAND闪存接口之间用于实现串行数据与并行数据之间转换的数据转换电路
基于 spi 接口数据存储装置

[实用新型]一种用于MLC NAND Flash存储器的嵌入ECC读取电路装置-CN201820051423.X有效
发明人：杨燕;王滨;王海时;彭映杰;李英祥;王天宝;杜江;陈霞 -专利权人：成都信息工程大学
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：提供了一种用于MLC NAND Flash存储器的嵌入ECC读取电路装置，包括：ECC译码器电路、读取状态机电路。对MLC NAND Flsah存储器读取操作时，从MLC NAND Flash存储器的阵列单元读出的数据经过ECC解码器译码后读出至I/O口。MLC NAND Flash存储器的嵌入ECC读取电路装置，具备一定的纠正读取数据出错的能力，从而很大程度上解决了MLC NAND Flash存储器读取操作中数据易出错的问题，降低了外部NAND Flash存储控制器的设计复杂度，极大地提高了MLC NAND Flash存储器芯片的可靠性，解决了现有存储器可靠性技术瓶颈。
读取电路嵌入读取操作读出出错存储器可靠性设计复杂度译码器电路读取状态技术瓶颈阵列单元装置提供机电路译码外部纠正

[发明专利]具有源极偏压全位线感测的非易失性存储器-CN200880105019.5有效
发明人：李升弼;浩·T·古延;梅文龙 -专利权人：桑迪士克公司
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种NAND串，其中，在感测该NAND串中的所选非易失性存储元件的编程状态之前，释放位线到位线的噪声。施加升高导电的NAND串中的电压的源极电压。电压升高导致噪声与相邻NAND串的电容性耦合。在执行感测之前，使用电流下拉器件来对每个NAND串放电。在每个NAND串被耦接到放电路径达预定时间量后，NAND串的位线被耦接到电压感测组件，用于基于位线的电势来感测所选非易失性存储元件的编程状况。
有源偏压全位线感测非易失性存储器

[发明专利]用于确定字线与存储器孔短路的全位线感测-CN202011237818.7在审
发明人：李靓;刘晓华;蔚倩倩 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明提供了用于检测存储器设备中的短路并且具体地检测字线与沟道短路以及在NAND串顶部处的位线触点之间的短路的装置和技术。短路检测操作包括沟道预清洁阶段，该沟道预清洁阶段对非短路NAND串的沟道放电，同时使短路NAND串的位线升压，之后是位线预充电阶段，该位线预充电阶段使非短路NAND串的位线升压，之后是位线放电阶段，该位线放电阶段使非短路NAND串的位线放电，之后是感测阶段，该感测阶段将短路NAND串识别为处于编程状态或非导电状态。
用于确定存储器短路全位线感测

[发明专利]缩短测试所需时间的半导体存储器-CN03110218.2无效
发明人：伊藤孝 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-04-07 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：在读出时即使被激活的字线切换，位线对的电位也总是相同的情况下，输入两位线的闩锁数据的NAND电路(207)的输出为“L”电平，在位线对的电位变化的情况下，NAND电路(207)的输出为“H”电平。在写入时，NAND电路(207)的输出为“L”电平。在读出时，对与位线BL和NAND电路(207)连接的第1晶体管(208)的栅输入“H”电平。在写入时，对与位线/BL和NAND电路(207)连接的第2晶体管(209)的栅输入“H”电平。根据NAND电路(207)的输出，给位线对带来电位变化。
缩短测试时间半导体存储器

[发明专利]一种NANDFlash存储器的寿命预警方法及装置-CN201510299986.1在审
发明人：申川;孙承华;熊晖 -专利权人：杭州海康威视数字技术股份有限公司
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND Flash存储器的寿命预警方法及装置，属于数据存储技术领域，以解决用户无法获知NAND Flash存储器的剩余使用寿命，导致NAND Flash存储器失效时用户数据损失、无法恢复的技术问题该NAND Flash存储器的寿命预警方法包括：获取NAND Flash存储器的最大写入数据量；获取NAND Flash存储器工作过程中的累计已擦除块数据量；根据所述最大写入数据量和所述累计已擦除块数据量，计算NAND Flash存储器的剩余可擦除块数据量；当判断所述剩余可擦除块数据量达到预设阈值时，生成报警指令；根据所述报警指令，向用户展示报警信息。
一种 nandflash 存储器寿命预警方法装置

[发明专利]一种次良品3D NAND降容使用的方法-CN201911316457.2在审
发明人：李凯 -专利权人：华天科技（西安）有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种次良品3D NAND降容使用的方法，包括以下步骤：步骤一、在封装过程中，检测出次良品3D NAND；步骤二、对次良品3D NAND进行标记，在系统中输入次良品缺陷项目与数量；步骤三、将次良品3D NAND后流，降容处理并进行降容测试；步骤四、按照次良品3D NAND的不同容量进行包装出货。由于次良品3D NAND的叠层芯片之间属于并连关系，不同于其它产品，任意一芯片异常不会影响整颗产品性能，同时3D NAND芯片来料造价成本高，本发明通过降容测试处理可以将成本损失降低到最低。
一种次良品 nand 使用方法

[发明专利]用于多管芯操作的峰值功率管理-CN202210975132.0在审
发明人：汤强 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G06F1/3225 文献下载
摘要：提供了一种用于两个NAND存储管芯的峰值功率管理(PPM)方法。每个NAND存储管芯包括具有保持在所述两个NAND存储管芯之间所共有的电势的PPM接触焊盘的PPM电路。该方法包括以下步骤：在用于第一NAND存储管芯的第一峰值功率检查(PPC)例程期间检测电势；如果所检测到的电势处于高于第二电压电平的第一电压电平，则将电势驱动到第二电压电平；如果未检测到暂停信号，则在电势中生成暂停信号，以暂停用于第二NAND存储管芯的第二PPC例程；以及在第一NAND存储管芯完成了第一峰值功率操作之后，在电势中生成恢复信号，以恢复用于第二NAND存储管芯的第二PPC例程。
用于管芯操作峰值功率管理

[发明专利]一种NAND闪存单元-CN201310389411.X有效
发明人：苏志强;刘会娟 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND闪存单元，包括分立的NAND存储芯片和控制芯片，其中，所述控制芯片与所述NAND存储芯片相连，并且包含控制模块和管理模块，所述控制模块用于对所述NAND存储芯片进行控制，所述管理模块用于接收所述控制模块的数据和指令，并且对所述数据和所述指令进行管理，然后发送给所述NAND存储芯片。本发明通过将分立的NAND存储芯片和控制芯片进行连接，控制芯片可以选择工艺单独制造，因此可以降低生产成本，而且也可以降低控制芯片的生产工艺的难度，避免了可能出现的工艺问题，另外，由于控制芯片还包含闪存传输层管理模块，可以对NAND存储芯片进行管理，不仅优化了管理，而且提高了集成度，降低了成本。
一种 nand 闪存单元

[发明专利]一种使用MRAM的固态硬盘及读写缓存管理方法-CN201510177791.X有效
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种使用MRAM的固态硬盘，包括主控芯片、用于存储数据的一组NAND芯片以及MRAM，NAND芯片、MRAM分别与主控芯片连接，MRAM包括读写缓存以及缓存表。本发明提供的固态硬盘及读写缓存管理方法，MRAM包括读写缓存，读写MRAM比读写NAND快得多，因此能够提高固态硬盘的读写性能，同时减少了写NAND次数，延长了NAND的寿命；通过读写权重，将频繁操作的页保留在读写缓存中，从而提高固态硬盘的读写性能；将读、写操作赋予不同的权重值，能够有效减小写回NAND的次数，从而延长NAND的寿命；不再需要使用断电保护系统，降低了固态硬盘的成本，同时降低了功耗。
一种使用 mram 固态硬盘读写缓存管理方法