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[发明专利]支持多种NAND闪存的固化代码的执行方法-CN201210017100.6无效
发明人：袁宏骏;孙纪坤;李相斌 -专利权人：苏州希图视鼎微电子有限公司
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：本发明提供一种支持多种NAND闪存的固化代码的执行方法，该方法包括如下步骤：S1、启动固化代码以初始化NAND闪存，并为读取NAND闪存中的装载代码做准备，其中，所述固化代码中包括一保存多种型号NAND闪存参数的设备参数表，且固化代码支持设备参数表中保存的各型号NAND闪存；S2、读取并解析所述NAND闪存中的装载代码。本发明通过在固化代码中使用一定的设备参数表来保存多种NAND闪存的信息，在固化代码初始化NAND闪存时，首先检测当前NAND闪存的型号，再读取与当前NAND闪存型号对应的固化代码参数，从而实现对多种NAND
支持多种 nand 闪存固化代码执行方法

[发明专利]NAND FLASH系统、控制器及其数据处理方法-CN201410300095.9在审
发明人：刘会娟;苏志强;张君宇 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种NAND FLASH系统、NAND FLASH控制器及其数据处理方法，其中的NAND FLASH系统包括：依次相连的串行外设接口SPI、NAND FLASH控制器和NAND FLASH裸片；其中，所述NAND FLASH控制器通过串口与所述SPI连接，以及通过并口与所述NAND FLASH裸片封装连接，用于将所述NAND FLASH裸片输入的第一并行数据转换成第一串行数据并通过SPI输出，以及，将所述SPI输入的第二串行数据转换成第二并行数据并输出给所述NAND FLASH裸片。本发明能够降低与电子设备之间的通信难度，以及减小NAND FLASH裸片所占用的体积。
nand flash 系统控制器及其数据处理方法

[发明专利]一种基于磨损状态的NAND控制方法、装置及设备-CN202011568124.1在审
发明人：毕延帅;李敬超;张彬 -专利权人：北京浪潮数据技术有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磨损状态的NAND控制方法、装置、设备及计算机可读存储介质，基于固态硬盘控制器对固态硬盘的NAND磨损状态进行监控，得到NAND磨损状态监控结果；在固态硬盘处于返修阶段时，利用当前时刻的NAND磨损状态监控结果来更新固态硬盘的NAND控制参数，从而无需维修人员对固态硬盘的NAND磨损情况进行检测，减少了人工维修任务量，提高了固态硬盘维修效率，且能够保证固态硬盘返修后对返修前NAND磨损状态的继承性，利用与固态硬盘的实际NAND磨损情况对应的NAND控制参数对固态硬盘的NAND颗粒进行控制，保证了返修后固态硬盘的质量和寿命。
一种基于磨损状态 nand 控制方法装置设备

[发明专利]一种NAND颗粒的坏块识别方法及相关装置-CN202210183430.6在审
发明人：张琪 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种NAND颗粒的坏块识别方法，包括：通过测试工具从NAND颗粒中读取原厂标记的坏块；根据所述NAND颗粒中原厂标记的坏块以及预设筛选标准，对所述NAND颗粒进行筛选；剔除不满足所述预设筛选标准的所述NAND颗粒；保留满足所述预设筛选标准的所述NAND颗粒，并将满足所述预设筛选标准的所述NAND颗粒的坏块信息保存到满足所述预设筛选标准的所述NAND颗粒中。该方法在组装SSD前对NAND颗粒进行坏块识别，能够避免SSD返工，提升SSD的品质，减少人工的工作量。本申请还公开了一种NAND颗粒的坏块识别装置、设备以及计算机可读存储介质，均具有上述技术效果。
一种 nand 颗粒识别方法相关装置

[发明专利]一种自动识别测试模式和产品模式的方法及芯片-CN202211552785.4有效
发明人：周林 -专利权人：仲联半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种自动识别NAND测试模式和产品模式的方法及NAND芯片，通过在NAND芯片中预置用于固件识别的标志数据，当NAND芯片上电开始初始化时，利用NAND芯片中内置的固件即可控制读取标志数据，判断标志数据是否符合判定标准，并根据不同判断结果，对应设置NAND芯片进入测试模式或产品模式。本发明通过对NAND芯片及其内部的固件进行改进，可在NAND芯片上实现测试模式和产品模式的自动识别，不仅能够减少NAND芯片上原用于模式识别的额外引脚，而且能够兼容现有NAND芯片的上电和初始化流程，从而降低了设计的复杂度
一种自动识别测试模式产品方法芯片

[发明专利]NAND快闪热警报-CN201880078541.2有效
发明人： N·V·普拉布;A·S·马德拉斯瓦拉;S·拉梅其 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G11C7/04 文献下载
摘要：本文中揭示用于NAND快闪热警报的装置及技术。在包含NAND阵列的存储装置的控制器处接收NAND阵列操作。所述控制器响应于接收到所述NAND阵列操作而评估所述NAND阵列的热状况。所述控制器接着连同所述NAND阵列操作的结果一起传递所述热状况。
nand 快闪热警报

[发明专利]一种AXI总线访问NAND FLASH的方法及装置-CN201811510254.2有效
发明人：杨海波;曹朋朋;胡小婷;王泉;赵强;霍卫涛 -专利权人：中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明属于集成电路设计技术领域，涉及一种AXI(Advanced extensible interface高性能可扩展接口)总线访问NAND FLASH(NAND闪存)的方法及装置，将AXI读操作转换为所需的两相位NAND存取命令，通过NAND控制器对NAND FLASH进行存取操作，而对于非NAND数据存取的总线传输，可直接进行透传的实现方法，从而大大提高了对NAND FLASH的访问效率。
一种 axi 总线访问 nand flash 方法装置

[实用新型]Nand-flash烧录拷贝电路及Nand-flash烧录设备-CN201420066817.4有效
发明人：王涛 -专利权人：深圳创维-RGB电子有限公司
申请日： 2014-02-14 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种Nand-flash烧录拷贝电路及Nand-flash烧录设备，该Nand-flash烧录拷贝电路包括电源输入端及分别与电源输入端连的MCU、源Nand-flash和至少一个目标Nand-flash，MCU读取源Nand-flash中的数据，并将读取到的数据写入到目标Nand-flash中。本实用新型的Nand-flash烧录拷贝电路及Nand-flash烧录设备，电路结构简单、器件少，成本低，降低了数字电视开发调试、生产和维修的成本；并且体积小，操作、携带方便且适用于手持操作。Nand-flash烧录拷贝的同时就完成了频道预置用户数据一起拷贝，省去了做频道预置用户数据调整的工位，减少了Nand-flash的生产工序，降低了成本，提高了生产效率。
nand flash 拷贝电路设备

[发明专利]一种控制Nand flash内存读写的装置和方法-CN201510661821.4在审
发明人：王振 -专利权人：上海斐讯数据通信技术有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制Nand flash内存读写的装置和方法，该装置包括：命令模块，用于产生控制Nand flash内存的操作指令，操作指令至少包括读取指令和写入指令；解析模块，通过I2C数据总线连接到命令模块，用于接收并解析操作指令；执行模块，连接Nand flash内存，用于根据解析得到的操作指令使Nand flash内存进行读取或写入操作；以及，传输模块，用于在确定Nand flash内存将进行的操作后，读取存储于Nand flash内存中的命令模块指定的数据或命令并传输到命令模块，或者接收Nand flash内存将写入的命令模块传输的数据或命令，以写入到Nand flash内存。本发明能够通过I2C总线来访问Nand flash内存，既可利用Nand flash内存的高存储密度，同时结构简单。
一种控制 nand flash 内存读写装置方法

[发明专利]一种NAND闪存设备及其操作方法-CN201310247465.2有效
发明人：楚一兵 -专利权人：深圳市瑞耐斯技术有限公司
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明属于NAND闪存的结构设计领域，提供了一种NAND闪存设备及其操作方法。该NAND闪存设备及其操作方法是根据NAND闪存芯片擦除次数而动态调整NAND闪存芯片的实际工作电压，可使得相应NAND闪存芯片的实际工作电压在允许的范围内具有较高值，从而在保证NAND闪存芯片可靠工作的同时，提高擦除操作和写入操作的执行速度，使得NAND闪存芯片在执行擦除操作和写入操作时具有较高的性能，提升了用户使用的体验性。
一种 nand 闪存设备及其操作方法

[发明专利]一种降低nand flash控制器功耗的方法-CN201310531141.1在审
发明人：胡光东;宋蔚皓;李骥;金文;李宝 -专利权人：北京航天长征飞行器研究所;中国运载火箭技术研究院
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低nand flash控制器功耗的方法，包括以下步骤：步骤1，将nand flash控制器的系统时钟频率降为之前的1/2；步骤2，对系统时钟进行反向操作；步骤3，nand flash控制器进行读写操作；步骤4，步骤3进行的同时，系统时钟与nand flash控制器产生的读写使能信号进行“或”操作，从而生成新的nand flash芯片读写信号。本发明在不改变nand flash控制器对nand flash芯片读写速度的前提下，将nand flash控制器的系统时钟频率减少到之前的1/2，从而降低了nand flash控制器的功耗。
一种降低 nand flash 控制器功耗方法

[发明专利]闪存电压自适应调节方法、系统和存储设备-CN202210749007.8在审
发明人：梁小龙;叶云杰;王斐 -专利权人：深圳市德明利技术股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种闪存电压自适应调节方法、系统和存储设备，该方法包括：当读取到NAND颗粒的标识号时，基于NAND颗粒的标识号，确定NAND颗粒所支持的工作电压；将NAND颗粒的当前供电电压与NAND颗粒支持的工作电压进行比较，以确定是否进行电压调整；若进行电压调整，则发送电压调整信号，以控制电源切换模块调整NAND颗粒的供电电压。本发明实施例实现了NAND颗粒的供电电压的自适应调整，避免NAND颗粒因供电电压过高而发生损坏的风险，并且此过程无需人力进行调整，节省了人力资源，提升了NAND颗粒的使用效率。
闪存电压自适应调节方法系统存储设备

[发明专利]NAND闪存设备中减少空间的编程方法、装置、存储器及系统-CN202211708522.8在审
发明人：沈嘉怡 -专利权人：东芯半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开一种NAND闪存设备中减少空间的编程方法、装置、存储器及系统，编程方法包括以下步骤：对NAND单元施加第一次电压脉冲和第一验证操作；对NAND单元施加第二次电压脉冲和第二验证操作；对NAND单元施加第三次电压脉冲和第三验证操作；对NAND单元进行第一列扫描；对NAND单元施加第四次电压脉冲和第四验证操作；对NAND单元进行第二列扫描。本发明的NAND闪存设备中减少空间的编程方法、装置、存储器及系统，能够节省NAND闪存设备空间，降低成本。
nand 闪存设备减少空间编程方法装置存储器系统

[发明专利]用于同步串行接口NAND的数据读取的系统及方法-CN200880111948.7有效
发明人：西奥多·T·皮耶克尼;维克托·Y·蔡;彼得·S·菲利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-09-29 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于操作NAND存储器装置的方法及系统。所述NAND存储器装置通过将串行外围设备接口信号从主机传输到NAND存储器装置来操作，借此在不将所述信号修改成标准NAND存储器格式的情况下，将所述信号传送到所述NAND存储器装置中的NAND存储器。类似地，本发明揭示一种用于在不将信号从标准NAND格式修改成串行格式的情况下从NAND存储器装置接收信号的方法及系统。所述系统还并入有错误检测及校正技术来检测及校正存储于所述NAND存储器装置中的数据中的错误。
用于同步串行接口 nand 数据读取系统方法

[发明专利]一种存储器操作方法-CN201810029753.3在审
发明人：杨燕;王海时;彭映杰;李英祥;王天宝;杜江;王滨;陈霞 -专利权人：成都信息工程大学
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器操作方法，具体涉及一种MLC NAND Flash存储器芯片的操作方法。包括MLC NAND Flash嵌入ECC的编程方法、MLC NAND Flash嵌入ECC的读取方法；在MLC NAND Flash存储器芯片内嵌入ECC编解码模块，在MLC NAND Flash存储器编程操作时，对所要编程的数据通过ECC编码器编码后将数据传送至MLC NAND Flash存储器阵列单元中；对MLC NAND Flsah存储器读取操作时，从MLC NAND Flash存储器的阵列单元读出的数据经过MLC NAND Flash存储器中内嵌ECC模块，具备一定的纠正读写数据出错的能力，从而很大程度上解决了MLC NAND Flash存储器编程和读取操作中数据易出错的问题，降低了外部NAND Flash存储控制器的设计复杂度，提高了MLC NAND Flash存储器芯片的可靠性。
编程嵌入存储器操作读取操作阵列单元读出出错读取编解码模块设计复杂度编程操作读写数据数据传送数据通过内嵌译码外部纠正