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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括图像传感器的移动系统和图像传感器的操作方法-CN201310504921.7有效
发明人：朴允童;金元住;陈暎究;权东旭;金庆溢;金民镐;李起相;李相普;李镇京;崔镇旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种移动系统、一种三维图像传感器的操作方法以及一种具有多个深度像素和彩色像素的图像传感器的操作方法。移动系统可以包括：位于所述移动系统的第一表面上的三维图像传感器，所述三维图像传感器构造成进行第一感测以检测对象的接近度并且通过获取对象的距离信息来进行第二感测以识别对象的手势；以及/或者位于所述移动系统的第一表面上的显示装置，所述显示装置用于显示所述第一感测和所述第二感测的结果。移动系统可以包括：光源单元；多个深度像素；以及/或者多个彩色像素。可以基于所述移动系统的操作模式启动光源单元、多个深度像素或多个彩色像素。
包括图像传感器移动系统操作方法

[发明专利]图像传感器和图像传感器系统-CN201410602284.1在审
发明人：金成瞮;高亨守;金元住;尹浈斌;李光敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供图像传感器和图像传感器系统。该图像传感器包括：半导体基板，具有沟槽并且具有第一导电类型；光电转换层，形成在沟槽下面的半导体基板中以具有第二导电类型；第一和第二转移栅电极，设置在沟槽中并且被栅极绝缘层覆盖；第一电荷检测层，形成在邻近第一转移栅电极的半导体基板中；以及第二电荷检测层，形成在邻近第二转移栅电极的半导体基板中。
图像传感器系统

[发明专利]半导体装置-CN201310379108.1无效
发明人： 金元住;崔相武;李太熙;朴允童 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了包括局部化绝缘体上硅结构的半导体装置。该半导体装置包括：基底区域；在基底区域中的第一导电类型的第一阱；第二导电类型的第二阱；第二导电类型的第三阱；绝缘体上硅结构，在第三阱的上方填充基底区域中的凹陷，其中，第二阱和第三阱通过第一阱隔开，并且第二阱和第三阱形成在第一阱两侧的区域中，使得第二阱和第三阱彼此不相邻，第二阱和第三阱中的至少一个位于第一阱上，其中，第一晶体管的源极和漏极在第二阱中，第二晶体管的源极和漏极在绝缘体上硅结构中，其中，驱动电路包括第一晶体管，存储器单元包括第二晶体管。
半导体装置

[发明专利]非易失性存储器件及包括该器件的存储卡和电子系统-CN201010171725.9无效
发明人： 金元住;朴允童;成政宪;庆龙九;崔相武;李太熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-01-14 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：提供了具有层叠结构的非易失性存储器件以及包括该非易失性存储器件的存储卡和电子系统。非易失性存储器件可以包括衬底。层叠NAND单元阵列可以具有至少一个NAND组，每个NAND组可以包括垂直层叠在衬底上面的多个NAND串。至少一条信号线可以排列在衬底上从而与所述至少一个NAND组公共耦合。
非易失性存储器包括器件存储电子系统

[发明专利]三维半导体存储装置及其操作方法-CN200910221919.2无效
发明人：金锡必;朴允童;金元住 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-11-23 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种三维半导体存储装置及其操作方法。三维半导体存储装置包括：多个字线结构，在基底上；有源半导体图案，在所述多个字线结构之间；信息存储元件，在所述多个字线结构和所述有源半导体图案之间。所述多个字线结构中的每个字线结构包括彼此分隔开并堆叠的多条字线，所述有源半导体图案包括电极区域和沟道区域，电极区域和沟道区域具有彼此不同的导电类型并交替布置。
三维半导体存储装置及其操作方法

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN200910246685.7无效
发明人： 金元住;崔相武;李太熙;朴允童 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述制造半导体装置的方法可通过使用选择性蚀刻仅在体半导体基底的一个或多个局部化区域中形成具有绝缘体上硅(SOI)结构的存储器单元。因此，可以将不同的偏压施加到外围器件和具有SOI结构的存储器单元。
半导体装置制造方法

[发明专利]操作半导体装置的方法-CN200910205251.2有效
发明人：崔相武;金元住;李太熙;车大吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明提供了一种操作半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：在将半导体装置的数据状态改变为第一状态的擦除模式下，将施加到所述漏区的漏极电压脉冲从启用状态转变至停用状态，然后，将施加到所述栅极区的栅极电压脉冲从所述启用状态转变为所述停用状态；在将半导体装置的数据状态改变为第二状态的写入模式下，将所述栅极电压脉冲从所述启用状态转变至所述停用状态，然后，将所述漏极电压脉冲从所述启用状态转变至所述停用状态。
操作半导体装置方法

[发明专利]半导体装置、半导体基底及其制造方法-CN200910150850.9无效
发明人：车大吉;金元住;李太熙;朴允童 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-06-23 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体基底、半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：半导体基底；栅极图案，设置在半导体基底上；主体区，设置在栅极图案之上；第一掺杂区和第二掺杂区。栅极图案设置在主体区以及第一掺杂区和第二掺杂区之下。
半导体装置基底及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910203994.6无效
发明人： 金元住;崔相武;李太熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-03-13 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。提供的半导体器件包括：衬底区；在衬底区上的有源区；在有源区上的栅极图案；以及第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区，沿有源区的两个边缘且不与栅极图案重叠。第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区在水平方向的长度可以短于在垂直方向上的长度。第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区可以沿有源区的两个边缘形成为狭窄的从而不与栅极图案重叠。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]测距传感器及三维彩色图像传感器-CN200910129834.1有效
发明人：陈暎究;朴允童;金元住;李承勋;赵寅成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-03-26 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： G01C3/08 文献下载
摘要：本发明公开了测距传感器及三维彩色图像传感器。测距传感器可以包括：光电转换区；第一电荷存储区和第二电荷存储区；第一沟槽和第二沟槽；和/或第一垂直光栅极和第二垂直光栅极。光电转换区可以在衬底中和/或可以用第一杂质掺杂以便响应接收的光而产生电荷。第一电荷存储区和第二电荷存储区可以在衬底中和/或可以用第二杂质掺杂以便收集电荷。第一沟槽和第二沟槽可以形成为在衬底中分别具有与第一电荷存储区和第二电荷存储区对应的深度。第一垂直光栅极和第二垂直光栅极可以分别在第一沟槽和第二沟槽中。三维彩色图像传感器可以包括多个单元像素。每个单元像素可以包括多个彩色像素和测距传感器。
测距传感器三维彩色图像传感器

[发明专利]半导体基底及其制造方法-CN200910008035.9有效
发明人： 金元住;李太熙;车大吉;朴允童 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-02-19 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了半导体基底及其制造方法。所述半导体基底包括基底区域、绝缘区域和浮置主体区域。绝缘区域设置在基底区域上。浮置主体区域通过绝缘区域与基底区域分离，并设置在绝缘区域上。基底区域和浮置主体区域由具有相同特性的材料形成。制造半导体基底的方法包括以下步骤：通过蚀刻体基底，形成至少一个浮置主体图案；通过蚀刻浮置主体图案的中间部分，将体基底分离成基底区域和浮置主体区域；在浮置主体区域和基底区域之间填充绝缘材料。
半导体基底及其制造方法

[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的半导体设备-CN200910001436.1无效
发明人： 金元住;车大吉;李太熙;朴允童 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置和包括该半导体装置的半导体设备。半导体装置包括设置在半导体基底上的主体区域、设置在半导体基底上和主体区域的相对的侧部上的栅极图案以及设置在主体区域的上表面上的第一和第二掺杂区域。栅极图案可以与第一和第二掺杂区域分开期望的距离或分开大于期望的距离的距离，从而沿与第一和第二掺杂区域垂直的方向，栅极图案不与第一和第二掺杂区域叠置。
半导体装置包括半导体设备

[发明专利]存储器件及其制造方法-CN200410098358.9无效
发明人：宋仁才;金元住;徐顺爱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-12-08 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：提供了一种存储器件及其制造方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成栅层叠结构，并通过蚀刻所述栅层叠结构的端部，部分地暴露所述半导体衬底的上端部分；将掺杂剂注入到所述半导体衬底的所述暴露部分中以形成源区和漏区，其中蚀刻所述栅层叠结构使得其宽度从顶部至底部增加。因此，可采用简化的制造工艺来制造高集成度的存储器件。
存储器件及其制造方法

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