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[发明专利]一种NAND Flash单元数据的读取方法和装置-CN201910684774.3有效
发明人：邸士伟 -专利权人：西安格易安创集成电路有限公司;兆易创新科技集团股份有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种NAND Flash单元数据的读取方法，其特征在于，包括：检测NAND Flash存储单元的当前温度；根据所述当前温度，调整所述NAND Flash存储单元的源极电压，得到调整后的源极电压；在保持所述调整后的源极电压不变的情况下，检测所述NAND Flash存储单元的当前漏极特征值；根据所述当前漏极特征值和参考漏极特征值，确定漏极特征值变化量；根据所述漏极特征值变化量，读取所述NAND本发明能够根据温度调节存储单元的源极电压，对随温度变化的阈值电压所造成的读取误差进行补偿，提高NAND Flash读取操作的准确性。
一种 nand flash 单元数据读取方法装置

[发明专利]Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质-CN202210074358.3有效
发明人：段程浩 -专利权人：珠海奔图电子有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供的一种Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备和存储介质，所述坏块处理方法包括：读取Nand flash存储器中的坏块数量N；当坏块数量N大于预设阈值时，输出第一提示信息至所述电子设备的显示单元，所述第一提示信息用于提示需要更换Nand flash存储器；和/或，根据待写入数据的重要程度信息对待写入数据进行处理，并将处理后的待写入数据写入Nand flash存储器。本申请实施例对Nand flash存储器中的坏块数量进行预警，以解决现有技术中用户无法获知Nand flash存储器中的坏块导致的存储空间不足的问题，避免数据丢失，保障图像形成装置的正常成像作业。
nand flash 存储器处理方法电子设备存储介质

[发明专利]半导体存储装置-CN201310375757.4无效
发明人：柴田昇 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明提供一种能够容易地连接NAND串和位线的半导体存储装置。在实施方式涉及的半导体存储装置中，第一、第二NAND串与位线连接，通过第一～第四选择用存储单元来选择一方。在写入时，由第一～第四选择用存储单元选择出的第一NAND串的第一存储单元被写入，接着，第二NAND串的与所述第一存储单元同时被选择的第二存储单元被写入，接着，所述第一NAND串的与所述第一存储单元相邻的第三存储单元被写入，所述第二NAND串中在位线方向上与所述第三存储单元相邻的第四存储单元被写入。
半导体存储装置

[发明专利]一种内嵌式存储器及内嵌式存储系统-CN201110345252.4无效
发明人：蔡孟宏;李宽仁 -专利权人：忆正存储技术（武汉）有限公司
申请日： 2011-11-04 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明的内嵌式存储器包括片内NAND闪存、闪存控制单元、MMC接口单元、片内闪存接口单元、片外闪存接口。所公开的一种内嵌式存储系统，该系统包括以上所述的内嵌式存储器以及一块或多块扩展NAND闪存。而该扩展NAND闪存通过片外闪存接口与闪存控制单元进行数据交互。本发明的内嵌式存储器及内嵌式存储系统，能够避免因内嵌式存储器上无多余NAND闪存接口连接片外NAND闪存，造成其存储容量扩展性较差。还可以通过多种NAND闪存类型组合，降低产品的整体储存成本。
一种内嵌式存储器存储系统

[实用新型]一种NANDFlash控制器的控制装置-CN201621377812.9有效
发明人：杨燕;李英祥;余乐韬 -专利权人：成都信息工程大学
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种NAND Flash控制器的控制装置，包括定义层模块、解析层模块、物理实现层模块、NAND Flash接口模块，所述定义层模块、解析层模块、物理实现层模块、NAND Flash接口模块依次相连本实用新型为控制NAND Flash颗粒提供了一种硬件装置，在其中定义相关执行指令后，使得NAND Flash控制器能够完成不同接口类型NAND Flash存储器颗粒地正确读取、编程、擦除操作。
一种 nandflash 控制器控制装置

[实用新型]兼容式FLASH封装-CN202320796103.8有效
发明人：解力;李相宏;谭红军;刘金 -专利权人：深圳市兆驰数码科技股份有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种兼容式FLASH封装，其包括基板以及设于基板上的封装体，所述封装体内封装NAND和SPINAND，且所述封装体包括使用一个焊盘的复用接口以及与CPU进行通信的通信接口，所述复用接口兼容NAND和SPINAND的FLASH封装，且该复用接口共用一个焊盘；所述通信接口的通信协议同时兼容NAND协议和SPINAND协议。通过上述方案实现的兼容性FLASH封装，可以把以上NAND的FLASH封装和SPINAND的封装两者合并到一起，并且使用一个焊盘，且其通信接口按照NAND和SPINAND协议都接入上，这样后期无论使用NAND
兼容 flash 封装

[发明专利]用于存储装置的存储器块存取模式-CN201811452659.5在审
发明人： K·H·加斯基;J·H·卡尔普 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：描述了用于NAND存储器的技术。所述NAND存储器可以包括第一类型专用存储器块。所述NAND存储器可以包括第二类型专用存储器块。所述NAND存储器可以包括用以使用第一第一类型存取模式对第一类型专用存储器块执行数据操作的逻辑单元。所述NAND存储器可以包括用以使用第二第一类型存取模式对可变类型存储器块执行数据操作的逻辑单元。
专用存储器存取模式存储器块逻辑单元数据操作存储装置可变类型

[发明专利]3D NAND闪存的控制方法和控制器-CN202080000942.3在审
发明人：黄莹;刘红涛;王启光;魏文喆 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：三维(3D)NAND闪速存储器阵列的编程过程的控制方法包括：在编程阶段中对3D NAND闪速存储器阵列的位单元进行编程；以及在编程阶段之后的验证阶段中验证3D NAND闪速存储器阵列的位单元是否被编程；其中，编程阶段包括：利用多个编程电压脉冲对3D NAND闪速存储器阵列的位单元进行编程；其中，验证阶段包括：读取3D NAND闪速存储器阵列的具有低于或高于正常读取电压脉冲的电压的位单元。
nand 闪存控制方法控制器

[实用新型]一种固态硬盘-CN201620656466.1有效
发明人：易小洪;马翼;田达海;彭鹏;杨万云;周士兵 -专利权人：湖南国科微电子股份有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种固态硬盘，包括多个NAND FLASH和固态硬盘控制器；所述固态硬盘控制器包括状态寄存器；所述多个NAND FLASH的空闲/忙碌信号引脚均通过监测引脚接入所述状态寄存器。本实用新型只需定义一个引脚监控，在所有NAND FLASH都为空闲状态时，可直接判断NAND FLASH为空闲状态，无需花费固态硬盘控制器通过命令访问NAND FLASH的每一个逻辑单元所耗费的时间；仅增加一个芯片引脚
一种固态硬盘

[实用新型]一种可快速擦除固态硬盘-CN201020505390.5无效
发明人：李峰;于治楼;姜凯;李伟 -专利权人：浪潮电子信息产业股份有限公司
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：其结构由SSD控制器、SATA接口模块、USB2.0接口模块，NAND flash阵列模块，掉电保护模块以及NAND flash快速擦除模块组成，SATA接口模块、USB2.0接口模块和NANDflash阵列模块均与SSD控制器相连接，掉电保护模块以及NAND flash快速擦除模块分别设置在NAND flash阵列模块均与SSD控制器之间。
一种快速擦除固态硬盘

[发明专利]NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存-CN201910441277.0在审
发明人：李创锋;李嘉伦 -专利权人：深圳市金泰克半导体有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存，所述方法包括：设置垃圾回收地图，所述垃圾回收地图中包括多个识别码，所述每一个识别码对应所述NAND闪存的一个子数据块，所述识别码用于指示所述子数据块中的数据的属性本发明能提高NAND闪存中垃圾回收的效率。
识别码垃圾回收子数据块

[发明专利]一种验证NAND数据通路正确性的测试方法-CN202111317696.7在审
发明人：王宇;王璞;刘奇浩;杨雪;徐源长 -专利权人：山东华芯半导体有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明涉及数据传输检测领域，针对NAND flash数据传输中会产生错误的问题，提出了一种可以排除NAND flash自身存储产生错误的测试方法，即首先遍历设定范围内的DQS delay值，并利用NANDflash的寄存器读写操作比较写入与读出的数据，将差异值进行记录，最后通过对差异值的检查结果判定，实现验证NAND flash数据通路是否会产生错误的测试方法。
一种验证 nand 数据通路正确性测试方法

[发明专利]NAND存储串及其制造方法、3D NAND存储器-CN201410540148.4有效
发明人：李俊锋;朱慧珑;赵恒亮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：公开了一种与非(NAND)存储串及其制造方法以及包括该NAND存储串的三维(3D)NAND存储器。一示例NAND存储串可以包括：沿串的延伸方向设置的多个存储单元；沿串的延伸方向延伸的背栅结构，包括背栅电极以及绕背栅电极外周设置的背栅介质层，其中，所述多个存储单元各自绕所述背栅结构的外周设置。
nand 存储及其制造方法存储器

[发明专利]一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法-CN201910071106.3有效
发明人：王彬;曹成 -专利权人：山东华芯半导体有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明公开一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法，本方法通过对NAND Flash存储器进行浅擦除测试获取NAND Flash存储器的浅擦除效应（Shallow Erase）与闪存块（Block基于该方法测试的结果，NAND Flash存储器的使用者可以采取不同的应对方案，从而规避浅擦除效应（Shallow Erase）的影响。
一种获取 nand flash 存储器擦除特性规律方法

[实用新型]一种芯壳型纳米线三维NAND闪存器件-CN201420531515.X有效
发明人：缪向水;邢钧;童浩 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯壳型纳米线三维NAND闪存器件，该闪存器件由芯壳型纳米线作为NAND串组成，所述NAND串垂直于衬底。利用芯壳型纳米线作为NAND串制作存储器件，不仅使器件的结构更加简单，也减少了原有器件制作过程中复杂的制造工艺步骤，简化了制备过程，对降低制造成本有积极作用。
一种芯壳型纳米三维 nand 闪存器件