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[发明专利]一种基于AXI总线的存储器控制装置及方法-CN201210581608.9在审
发明人：雷磊;朱骏;黄啸 -专利权人：北京华清瑞达科技有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于AXI总线的存储控制装置及方法，包括：在配置双ARM处理器的AXI总线平台上配置NAND控制模块、磨损均衡模块、BCH编解码模块及接口模块，所述NAND控制模块与NAND存储阵列连接通过以上方案本发明解决了NAND FLASH存储器端口不易更改及扩展的问题，同时可满足使用时所需要的快速存储速度的问题。使得系统可以支持不同数量和不同类型的NAND芯片，提高了系统的适应性和灵活性。
一种基于 axi 总线存储器控制装置方法

[发明专利]一种选择最佳NAND Flash读操作电平的方法-CN201811551660.3在审
发明人：王彬;李铁 -专利权人：山东华芯半导体有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明公开一种选择最佳NAND Flash读操作电平的方法，将NAND Flash读操作特性测试与机器学习的线性回归算法相结合，挖掘出最佳NAND Flash存储器读操作电平与NAND Flash存储器数据稳定性影响因素产品在读取NAND Flash存储器之前通过该线性关系找到当前对应的最佳电平，从而降低硬件纠错失败的概率，避免产品的读操作性能的下降。
读操作线性关系读取线性回归算法数据稳定性操作性能机器学习特性测试影响因素纠错挖掘概率失败

[发明专利]一种NAND控制芯片的测试方法-CN202211197160.0在审
发明人：唐汉钊;徐源长;李瑞东;王宇;刘凯;王璞 -专利权人：山东华芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G05B23/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种NAND控制器芯片测试方法，进行功能项组合测试时采用随机选取NAND控制器的方式进行，即每测试一组功能组合，均在重新随机选取的NAND控制器上进行，直至所有功能组合均遍历完成。本发明测试时利用了芯片中所有NAND控制器模块的结构功能均相同这一特点，采用随机选择NAND控制器的思路使测试时间成倍减少，且芯片中集成的控制器数量越庞大，效果越明显。
一种 nand 控制芯片测试方法

[发明专利]一种NAND FLASH存储器件-CN200610053882.3有效
发明人：骆建军;楚传仁 -专利权人：骆建军;楚传仁
申请日： 2006-10-19 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND FLASH存储器件，包括NAND FLASH模块，存储器件上还集成有一管理控制模块，管理控制模块一端通过FLASH总线和NAND FLASH模块相连，另一端通过外部接口与外界应用设备相连，所述的管理控制模块由外部接口界面模块、数据缓存模块、管理算法和ECC模块、NAND FLASH界面模块构成。本发明和普通单一的NANDFLASH模块相比，其接口定义更为简单、应用形式更为多样化、应用更为简单，拓宽了NAND FLASH的应用范围。
一种 nand flash 存储器件

[发明专利]3D NAND闪速存储器件及其集成方法-CN202080001324.0有效
发明人：顾沂;侯春源;李跃平;陈嘉伟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：一种用于3D NAND闪速存储器件的集成方法包括：在CMOS管芯上设置多个3D三级单元(TLC)NAND闪速存储器；在3D NAND闪速存储器件的CMOS管芯上设置至少一NOR闪速存储器；以及将所述至少一NOR闪速存储器连接到3D NAND闪速存储器件的开放NAND闪存接口(ONFI)；其中，所述至少一NOR闪速存储器设置于CMOS管芯的未使用区域上。
nand 存储器件及其集成方法

[实用新型]基于STM32的显示屏驱动系统-CN201621232611.X有效
发明人：季伟源;顾飞;王乾 -专利权人：江苏索尔新能源科技股份有限公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： G06F3/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于STM32的显示屏驱动系统，包括显示屏、STM32F4控制器和NAND闪存，所述STM32F4控制器包括FSMC接口和GPIO接口，该FSMC接口连接显示屏，所述FSMC接口连接并控制SDRAM，所述NAND闪存的信号线连接在GPIO接口上以模拟NAND控制器。本新型采用GPIO口去模拟NAND控制器，从而使NAND不用挂在ST(意法半导体)自带的FSMC上。
基于 stm32 显示屏驱动系统

[发明专利]公用池管理-CN201880078561.X在审
发明人： K·坦派罗;S·A·琼;J·黄 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：在一些实例中公开在请求形成物理分区时形成逻辑分区的方法、系统、机器可读媒体及NAND装置。NAND上的控制器向请求所述物理分区的主机装置模拟所述物理分区的形成。尽管如此，所述NAND并不招致形成单独分区的存储器存储开销，且另外所述NAND可从另一分区借用用于预留的单元。在这些实例中，主机装置操作系统认为已形成物理分区，但所述NAND将所述存储器作为连续资源池进行管理。因此，按NAND存储器控制器级而非按操作系统级形成逻辑分区。
公用管理

[发明专利]基于NAND Flash的存内计算芯片及其控制方法-CN202010116943.6在审
发明人：王绍迪 -专利权人：杭州知存智能科技有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明提供一种基于NAND Flash的存内计算芯片及其控制方法，该基于NAND Flash的存内计算芯片包括：NAND Flash单元阵列模块，包括多个阈值电压可调的NAND Flash单元，用于在计算模式下对接收的数据进行计算其中，当NAND Flash单元阵列模块处于计算模式时，可对接收的数据进行计算，处于编程模式时进行数据编程，即数据存储，进而实现了可以在基于NAND Flash的存内计算芯片中直接进行计算和数据存储，实现存算一体
基于 nand flash 计算芯片及其控制方法

[发明专利]一种固态硬盘FTL算法地址映射方法-CN202111553644.X在审
发明人：王志奇;何欣霖;何卫国 -专利权人：成都三零嘉微电子有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G06F12/1009 文献下载
摘要：本发明提供了一种固态硬盘FTL算法地址映射方法，针对N片NAND Flash组成的固态硬盘，将N片NAND Flash的每个页按照页地址序号进行统一管理，定义逻辑页集合与物理页集合，一个页集合表示N片NANDFlash的第M页序号的集合，通过逻辑页集合到物理页集合的映射关系表示逻辑地址到物理地址的映射；其中，M小于等于每片NAND Flash物理页总数。本发明的方案能够明显的降低所消耗的资源，并且与NAND Flash的片数无关，无论固态硬盘有多少片NAND Flash，本发明均只需要消耗固定的资源就能完成高效的地址映射算法。
一种固态硬盘 ftl 算法地址映射方法

[发明专利]改进多层单元NAND闪速存储器的性能的方法和系统-CN201010248820.4无效
发明人： R·E·弗里奇三世;J·M·休格斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明名称为“改进多层单元NAND闪速存储器的性能的方法和系统”。在本发明的一个实施例中，与MLC NAND闪速存储器中存储的数据相关联的元数据只在MLC NAND闪速存储器的一个或多个较低页中存储。MLC NAND闪速存储器具有较低和较高页，其中，在本发明的一个实施例中，较低页具有比较高页更快的编程时间或速率。通过仅在MLC NAND闪速存储器的具有低编程等待时间的页中存储元数据，能改进MLC NAND闪速存储器的服务质量(QoS)。
改进多层单元 nand 存储器性能方法系统

[实用新型]一种基于FPGA可扩展的NANDFLASH存储芯片阵列控制器-CN201720235609.6有效
发明人：周磊;陶莉 -专利权人：扬州大学
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于FPGA可扩展的NAND FLASH存储芯片阵列控制器。本实用新型由主机控制模块和NAND FLASH存储芯片控制器模块组成，以单个NAND FLASH存储芯片控制器为核心，并行操作多片NAND FLASH存储芯片，避免了多个控制器所产生的同步问题，同时加入了双缓冲和流水线技术，提高数据的存取速率，完成对NAND FLASH存储芯片阵列的操作，实现了对高速大容量数据的存储。本实用新型高了数据存取速度，实现对NAND FLASH存储芯片阵列的控制。
一种基于 fpga 扩展 nandflash 存储芯片阵列控制器

[实用新型]基于NAND Flash的存内计算芯片、存储装置以及终端-CN202020208904.4有效
发明人：王绍迪 -专利权人：杭州知存智能科技有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于NAND Flash的存内计算芯片、存储装置以及终端，该基于NAND Flash的存内计算芯片包括：NAND Flash单元阵列模块，包括多个阈值电压可调的NAND Flash单元其中，当NAND Flash单元阵列模块处于计算模式时，可对接收的数据进行计算，处于编程模式时进行数据编程，即数据存储，进而实现了可以在基于NAND Flash的存内计算芯片中直接进行计算和数据存储，实现存算一体
基于 nand flash 计算芯片存储装置以及终端

[实用新型]一种EMMC及智能终端-CN202021162923.4有效
发明人：易科臣 -专利权人：深圳康佳电子科技有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G11C7/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种EMMC及智能终端，其中，包括：EMMC本体、设置在所述EMMC本体内的3D TLC NAND FLASH以及设置在所述EMMC本体内并与所述3D TLC NAND FLASH相连接的，用于控制读取3D TLC NAND FLASH上存储的信息的pSLC模式控制器。本实用新型实施例中的EMMC采用内置pSLC模式控制器和3D TLC NAND FLASH，实现了与采用MLC NAND FLASH的EMMC同等的擦写次数。本实用新型提供的EMMC实现了与采用MLC NAND FLASH的EMMC同等的擦写次数，在与其使用寿命基本一致的情况下，降低了Flash的物料成本。
一种 emmc 智能终端

[发明专利]一种Nand Flash参数的读取方法-CN201510795123.3在审
发明人：谢长武;卜弋天;庹凌云;刘方;李烨 -专利权人：致象尔微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种Nand Flash参数的读取方法。该方法包括以下步骤：发出Nand Flash读取命令，读取多段Nand Flash参数中的第一段Nand Flash参数；每段Nand Flash参数包括第一部分数据和第二部分数据；对第一部分数据做第一次校验，如果第一次校验正确，则继续对第一部分数据做第二次校验；如果第二次校验正确，则根据第一部分数据中参数的值和程序设定的值进行比较；如果相同，则确定Nand Flash参数读取成功。本发明在不增加额外存储器和成本的前提下，实现了Nand Flash参数的自动识别功能。
一种 nand flash 参数读取方法

[发明专利]一种NANDFlash控制器的控制方法和装置-CN201611146248.4在审
发明人：杨燕;李英祥;余乐韬 -专利权人：成都信息工程大学
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND Flash控制器的控制方法和装置，在定义层按照NAND Flash操作时序接口定义一系列寄存器组，解析层按照定义的寄存器组进行译码，物理实现层按照定义层所定义的寄存器组，完成操作NAND Flash颗粒的具体时序的实现，驱动NAND Flash存储器接口，从而实现NAND Flash颗粒读取、编程、擦除操作。本发明能够满足现有的各种厂商的各种类型的NAND Flash接口颗粒时序，完成存储器地正确编程、读取、擦除操作，由于定义层可灵活定义一系列寄存器组合，将定义层定义的寄存器进行组合，产生不同类型颗粒不同操作的时序，而无需添加更多的硬件电路，因此，能灵活地适应未来NAND Flash颗粒发展出现的新的时序特征。
一种 nandflash 控制器控制方法装置