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[发明专利]NAND架构存储器装置及操作-CN200780020468.5有效
发明人：弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：当与传统NAND存储器阵列架构相比时，使用经修改的NAND架构的非易失性存储器装置可促进存储器密度的提高、制作步骤的减少及读取操作的加快，在所述经修改的NAND架构中存储器单元的NAND串的各端选择性地耦合到不同位线可采用与传统NAND存储器阵列相同的方式来完成对所述存储器单元的编程及擦除。然而，可使用类似于DRAM装置中的读取操作的电荷共享技术来完成对所述存储器单元的读取。
nand 架构存储器装置操作

[发明专利]一种NandFlash的擦除方法-CN201510952162.X在审
发明人：刘会娟 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种Nand Flash的擦除方法，该方法包括对待擦除块进行擦除验证；如果所述待擦除块通过擦除验证，则直接结束对待擦除块的操作；否则对待擦除块进行擦除操作。利用该方法可以避免对待擦除块的无效擦除，进而降低Nand Flash的无效擦除损耗，同时增大对Nand Flash的有效擦除次数，达到延长Nand Flash使用寿命的目的。
一种 nandflash 擦除方法

[发明专利]一种实现卡启和卡烧录NAND的方法-CN201910998348.7在审
发明人：张晓彦 -专利权人：深圳君正时代集成电路有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G06F8/61 文献下载
摘要：本发明提供一种实现卡启和卡烧录NAND的方法，所述的方法包括：S1，从mmc卡启动和从NAND启动编译两套代码，生成两套启动方式的二进制镜像文件包；S2，将从NAND启动的二进制镜像文件导入文件系统源码bootsel按键方式组合，选择mmc启动的组合方式，从mmc正常启动并挂载文件系统；S5，在mmc的文件系统中，通过块设备的读写接口命令flash_write，ubiformat将预存在文件系统目录中的NAND启动的二进制镜像文件写入NAND存储设备中；S6，通过bootsel按键组合，选择从NAND启动的组合方式,系统已经脱离mmc而直接从NAND启动了。可以在没有电脑，无安装驱动的情况下，只需要制作一次mmc启动卡之后，实现机器快速烧录NAND。
一种实现卡烧录 nand 方法

[发明专利]具有断电保护功能的存储设备、断电保护方法及计算系统-CN201510786843.3在审
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： G06F12/16 文献下载
摘要：本发明提供一种存储设备及其断电保护方法，存储设备包括主机接口、主控芯片、MRAM以及一个或多个NAND芯片；MRAM包括写缓存或读写缓存与缓存页表。MRAM还包括写回缓存页表，用于记录即将写回NAND芯片的缓存页，如果所述缓存页写回所述NAND芯片完成，清除写回缓存页表的相应记录；如果缓存页写回NAND芯片的过程中发生断电，上电时将缓存页重新写回NAND本发明提供的存储设备及断电保护方法，在MRAM中记录即将写回NAND芯片的缓存页，如果在写回NAND芯片的过程中发生断电，上电时重新写入缓存页，这样能够保证数据的完整性；在MRAM中还记录即将擦除的块，
具有断电保护功能存储设备方法计算系统

[发明专利]NAND存储器及其访问方法、访问装置-CN201811087378.4在审
发明人：井冲 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本申请公开一种NAND存储器及其访问方法、访问装置，所述NAND存储器中的存储块被划分为多个存储空间大小相同的子存储块，且每个子存储块设置有子存储块地址，因此，当NAND存储器中的几个字线存在缺陷时，即检测到缺陷字线时，可以将缺陷字线所对应的子存储块标记为坏块，而不是将缺陷字线对应的存储块整块标记为坏块，从而扩展了NAND存储器的可用空间，充分利用了存储块中未出现缺陷字线对应的子存储块的存储空间，改善了存储空间浪费的问题NAND存储器访问方法和访问装置，应用于所述NAND存储器，并基于所述NAND存储器的子存储块坏块表，进行数据存储，使得数据存储能够充分利用存储空间，减少存储空间的浪费量。
存储存储空间字线访问装置数据存储坏块存储块地址可用空间坏块表访问整块检测申请应用

[发明专利]NAND块动态重映射、读写命令处理方法及存储设备-CN202210923986.4有效
发明人：张星;袁戎;张志青 -专利权人：苏州启恒融智信息科技有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请提供一种NAND块动态重映射和读写命令处理方法及存储设备，涉及计算机领域，NAND块动态重映射方法包括：对不同LUN中相同物理索引的NAND块进行绑定，组成大块；以大块索引和LUN索引分别为行和列，建立NAND块动态映射表，根据NAND块的物理索引对NAND块动态映射表的表项进行初始化；获取第一大块和第二大块，其中，第一大块中好块数量大于第二大块中好块数量；在相同LUN索引内，将第一大块内的好块与第二大块内的坏块进行交换，更新NAND块动态映射表。
nand 动态映射读写命令处理方法存储设备

[实用新型]NVDIMM控制器以及NVDIMM-CN201822267330.3有效
发明人：周小锋;江喜平 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：NVDIMM(200)包括DRAM(201)、NAND闪存(202)和NVDIMM控制器，NVDIMM控制器控制NVDIMM并包括DDR控制器(101)、NAND闪存控制器(102)，DDR控制器采用并使能NVDIMM控制器还包括：数据备份模块(103)，该数据备份模块将所述DDR控制器从所述DRAM读取的N位DQ和1位DBI编码成N位EDQ，并将N位EDQ发送至所述NAND闪存控制器；以及数据恢复模块(104)，该数据恢复模块将所述NAND闪存控制器从所述NAND闪存读取的N位EDQ解码成N位DQ和1位DBI，并将N位DQ和1位DBI发送至所述DDR控制器，其中所述数据备份模块与所述DDR控制器和所述NAND闪存控制器相连接，且所述数据恢复模块与所述DDR控制器和所述NAND闪存控制器相连接。
控制器数据备份模块数据恢复模块读取发送本实用新型控制器控制解码使能

[发明专利]在受管理NAND装置中的主机加速操作-CN201880074601.3有效
发明人： S·A·琼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本文中描述用于受管理NAND装置中的主机加速操作的装置及技术。在NAND装置的控制器处，接收读取请求。此处，所述读取请求包含逻辑地址及物理地址。从所述NAND装置的NAND阵列检索对应于所述物理地址的验证分量。使用所述逻辑地址、所述物理地址及所述验证分量来计算所述读取请求的验证。接着，基于所述验证来修改读取操作。
管理 nand 装置中的主机加速操作

[实用新型]一种可同时用于手机或电脑直接读写的存储设备-CN201320449308.5有效
发明人：李海;牛林毅 -专利权人：上海服众工贸有限公司闵行分公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种可同时用于手机或电脑直接读写的存储设备，包括Nand Flash存储芯片，该Nand Flash存储芯片里设有USB转Nand Flash双向控制器，该USB转Nand Flash双向控制器的一端通过
一种同时用于手机电脑直接读写存储设备

[发明专利]对Nand Flash进行操作的方法和装置-CN201510195274.5在审
发明人：贾天亮 -专利权人：北京天诚盛业科技有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种对Nand Flash进行操作的方法和装置，属于嵌入式系统领域，所述Nand Flash的各个块按照一定的字节分为若干个管理单元，所述方法包括：以所述管理单元为单位读取Nand Flash与现有技术相比，本发明的对Nand Flash进行操作的方法提高了Nand Flash存储空间的利用率，减少了存储空间的浪费，并且加快了对Nand Flash进行读写的速度。
nand flash 进行操作方法装置

[发明专利]CP阱偏置方法-CN201710140554.5在审
发明人： O.权;J.朴;W.赵 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：描述了多种方法和系统，用于减小用于利用一个或多个NAND串来执行存储器操作的裸片面积和电路复杂性。在一些实施例中，NAND串可以被安排在p阱之内，所述p阱被物理地短路连接至NAND串的源极侧端。在这种情况下，在存储器操作期间，施加至所述NAND串的所述源极侧端的偏置电压(例如，2.5V)也将可以被施加至所述p阱。所述NAND串的所述源极侧端与所述p阱之间的物理短路可以在制作存储器裸片期间形成，并且可以在所述存储器裸片的操作期间防止所述NAND串的所述源极侧端与所述p阱彼此电绝缘。
cp 偏置方法

[发明专利]SIM卡装置及用于SIM卡的ECC纠错模块-CN201410753529.0在审
发明人：刘晓燕 -专利权人：上海华虹集成电路有限责任公司
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种SIM卡装置，包括：Nand Flash控制器，数据缓存模块；Nand Flash控制器包括：Nand Flash ECC接口控制器，ECC纠错模块；ECC纠错模块，包括伴随式计算模块、BM迭代模块和错误位置计算模块；Nand Flash ECC接口控制器，用于实现AHB总线与片外Nand Flash之间以及AHB总线与ECC纠错模块之间的数据交互；伴随式计算模块，用于计算接收码字的伴随式的系数；BM迭代模块，用于确定求解最终错误位置的错误位置多项式；错误位置计算模块，用于求解错误位置多项式，获得错误位置的值；数据缓存模块，用于存储每页Nand Flash的数据。
sim 装置用于 ecc 纠错模块

[发明专利]一种NAND闪存读取方法、系统及电子设备和存储介质-CN201910324098.9在审
发明人：韩国军;何瑞泉;彭子帅;蔡国发;方毅 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种NAND闪存读取方法、系统及一种电子设备和计算机可读存储介质，该方法包括：接收对NAND闪存数据进行读取的读取命令；对所述NAND闪存数据进行检测判决，基于判决结果得到所述NAND闪存的初始数据也即，本申请在对NAND闪存数据进行读取时，若对初始数据的译码操作失败，则利用预先训练的神经网络对初始数据进行纠错，从而有效减少数据误码率，提高了NAND闪存的可靠性。
初始数据读取纠错译码电子设备神经网络计算机可读存储介质数据误码率存储介质读取命令判决结果数据译码译码操作译码成功译码失败有效减少输出申请检测判决失败成功

[发明专利]Nand Flash的数据纠错方法、装置、电子设备及存储介质-CN202010630517.4在审
发明人：朱晓锐;邓玉良;殷中云;唐越;陈佩纯;苏通 -专利权人：深圳市国微电子有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种Nand Flash的数据纠错方法，包括：当接收到编程指令时，将预设的数据保持时间及获取的Nand Flash冗余区的编辑次数输入预设的Nand Flash误码率模型，得到评估的误码率；根据评估的误码率选取预设的纠错编码方案列表中的目标纠错编码方案；利用目标纠错编码方案对待写入的数据进行纠错编码，得到正确的编码数据；将编码数据储存至Nand Flash数据区，及将目标纠错编码方案储存至Nand Flash冗余区。通过实施本方案，可提高评估误码率的准确度，根据误码率选择不同的目标纠错编码方案进行纠错编码，降低资源占用和功耗，提高Nand Flash处理器在不同误码率下的纠错编码效率。
nand flash 数据纠错方法装置电子设备存储介质

[发明专利]NAND Flash的温度获取方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202010373196.4在审
发明人：汪汉国;冯元元;臧鑫 -专利权人：深圳忆联信息系统有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G06F11/30 文献下载
摘要：本发明涉及NAND Flash的温度获取方法、装置、计算机设备及存储介质；其中，NFC状态机在每个预设的时间周期里向NAND颗粒下发命令描述符；NAND颗粒的内部温感根据命令描述符进行温度采集，并将采集到的温度数据进行存储；NFC状态机下发温度获取描述符至NAND颗粒；NAND颗粒将存储的温度数据返回至NFC状态机。本发明利用NAND颗粒的自身资源，在不需要增加额外的硬件资源的前提下获取到颗粒温度，颗粒内部的温感芯片处于颗粒内部，对于颗粒本身的温度感知更加准确与敏感，提高了温度值的准确性，同时也能够释放传统的外围温感芯片资源与空间
nand flash 温度获取方法装置计算机设备存储介质