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[发明专利]一种快速检测NAND Flash内存的方法-CN201510829274.6在审
发明人：王振 -专利权人：上海斐讯数据通信技术有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明提供一种快速检测NAND Flash内存的方法，所述方法包括步骤：擦除NAND Flash内存的一个存储单元块；在所述存储单元块的一存储单元页中写入测试数据；读取写入的所述测试数据；根据所述存储单元页中原始写入的测试数据和读取的测试数据判断数据线是否正常；若不正常，判定NAND Flash内存异常；否则，判定NAND Flash内存正常。本发明提出的快速检测NAND Flash内存的方法，避免了传统测试NAND Flash内存时，遍历整个NAND Flash内存存储空间进行检测，可以有效的减少测试时间，提高测试效率。
一种快速检测 nand flash 内存方法

[发明专利]一种NAND FLASH文件数据存取方法、装置及存储介质-CN202010263561.6在审
发明人：徐石雄;郭磊;周东峰 -专利权人：杭州萤石软件有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种NAND FLASH文件数据存取方法、装置及存储介质，该方法包括：将为指定NAND FLASH文件分配的指定存储空间划分为第一存储空间和第二存储空间；将指定NAND FLASH文件的管理数据存储在第一存储空间，并将指定NAND FLASH文件的有效数据存储在第二存储空间；根据存储在第一存储空间的指定NAND FLASH文件的管理数据读取存储在第二存储空间的指定NAND FLASH文件的有效数据。本发明能够简化指定NAND FLASH文件数据的读取过程、减少读取时间，提高读取效率。
一种 nand flash 文件数据存取方法装置存储介质

[发明专利]一种Flash芯片-CN201510419718.9有效
发明人：苏志强;丁冲;陈立刚;谢瑞杰 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种Flash芯片，该Flash芯片包括多个复用接口和多个专用接口；其中，所述复用接口能够兼容SPI类型的NAND Flash和ONFI类型的NAND Flash中功能相对应的接口；所述专用接口对应于ONFI类型的NAND Flash中除所述功能相对应的接口之外的其他接口；通过采用不同的封装方式，所述Flash芯片被封装为SPI类型的NAND Flash，或者ONFI类型的NAND Flash。本发明可以在同一个芯片内实现SPI类型的NAND Flash或者ONFI类型的NAND Flash，从而降低生产成本，并且通过端口复用的方式能够控制芯片的面积，节约芯片成本。
一种 flash 芯片

[发明专利]嵌入式系统利用NAND闪存记忆体储存及启动的处理方法-CN200610063321.1无效
发明人：林清益 -专利权人：福昭科技（深圳）有限公司
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用NAND闪存记忆体存储及启动程序的方法。所述的方法如下：系统由微处理器(Micro Controller)、静态随机存取内存(SRAM)、动态随机存取内存(DRAM)、NAND闪存(NAND Flash)以及NAND闪存控制IC(NAND FlashController IC)等组件组成，系统通过两个阶段的复位信号(Reset)的传递，使NAND闪存记忆体能同时提供NOR与NAND的功能，在引导嵌入式系统开机启动的同时，还可以提供内置的闪存存储盘的功能
嵌入式系统利用 nand 闪存记忆体储存启动处理方法

[发明专利]一种串行接口NAND闪存单元-CN201310389387.X在审
发明人：苏志强;刘会娟 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种串行接口NAND闪存单元，包含输入输出控制模块，数据缓存模块，NAND控制逻辑模块和NAND存储阵列模块，还包括：管理模块，用于在所述输入输出控制模块的控制下接收所述数据缓冲模块的数据和指令，并且对所述数据和所述指令进行管理，然后经由所述NAND控制逻辑模块发送给所述NAND存储阵列模块。本发明通过将管理模块集成在串行接口NAND闪存单元，既节省了协议开销，也降低封装成本。
一种串行接口 nand 闪存单元

[发明专利]NAND Flash操作处理方法、装置及逻辑器件-CN201410253586.2在审
发明人：沈楠科 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种NAND Flash操作处理方法、装置及逻辑器件，该方法包括：建立对NAND Flash保护区进行保护的地址保护表；判断对NAND Flash进行操作的地址是否存在于地址保护表中；在判断结果为是的情况下，屏蔽对NAND Flash的操作，通过本发明，解决了相关技术中NAND Flash存在被错误擦除与写入的问题，进而达到了不仅能够有效避免重要存储区域被损坏，而且有效地提高了NAND Flash存储数据的可靠性的效果
nand flash 操作处理方法装置逻辑器件

[发明专利]NAND闪存的动态管理方法-CN201810078397.4在审
发明人：徐家俊;徐伯贤;张柏坚 -专利权人：国科美国研究实验室
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： G06F12/0879 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND闪存的动态管理方法，首先从一个主机接收写入指令。接着，判断NAND闪存是否过了其寿命的初期。若NAND闪存尚在其寿命的初期，则取NAND闪存的第一部分当作SLC高速缓存。若NAND闪存过了其寿命的初期，则取NAND闪存的第二部分当作SLC高速缓存。第二部分小于第一部分。依写入指令把数据写入SLC高速缓存。
高速缓存动态管理写入指令主机接收写入

[发明专利]存储器设备、存储器系统及其操作方法-CN201610708102.8有效
发明人：金润;金东赞;李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个NAND串，每个NAND串包括被垂直堆叠在衬底上的分别连接到多个字线的多个存储器单元；以及控制逻辑，被配置为生成用于所述NAND串中的第一NAND串的存储器单元的预编程控制信号，以使得在擦除第一NAND串的存储器单元之前，施加到耦合到第一NAND串的相应存储器单元的字线的预编程电压基于相应存储器单元的操作特性而变化。
存储器设备系统及其操作方法

[发明专利]NAND闪存上基于索引调制的交叉编写方法-CN201610812091.8有效
发明人：郑贱平;姚鑫鹏;吴亦寒 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND闪存上基于索引调制的交叉编写方法，其步骤为：(1)对NAND闪存单元进行擦除操作；(2)将待写入的数据通过NAND闪存上基于索引调制的交叉编写方法写入已擦除的NAND闪存单元；(3)读取NAND闪存单元中存储的数据。本发明具有抗单元间干扰能力强、平均误码性能好、可以实现不等错误保护等优点，用于解决现有NAND闪存编写方法中存在的误码性能差、不能实现不等错误保护的问题。
nand 闪存基于索引调制交叉编写方法

[发明专利]存储器设备、存储器系统及其操作方法-CN201911139505.5有效
发明人：金润;金东赞;李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个NAND串，每个NAND串包括被垂直堆叠在衬底上的分别连接到多个字线的多个存储器单元；以及控制逻辑，被配置为生成用于所述NAND串中的第一NAND串的存储器单元的预编程控制信号，以使得在擦除第一NAND串的存储器单元之前，施加到耦合到第一NAND串的相应存储器单元的字线的预编程电压基于相应存储器单元的操作特性而变化。
存储器设备系统及其操作方法

[发明专利]不同Nand闪存兼容方法及装置-CN201210578349.4在审
发明人：阮贤章;黄延军;曹知渊 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种不同Nand闪存兼容方法及装置。该方法包括：将Nand闪存驱动、以及USB驱动写入到Nand闪存中预先划分的引导区，加载引导区中的驱动程序到RAM中运行，初始化Nand闪存，建立逻辑到物理块转换表，并将包含系统代码以及系统配置信息的软件包写入到Nand闪存中保留区；在系统上电时，通过只读存储器ROM中的程序对不同构架的Nand闪存的枚举，加载引导区中的Nand闪存驱动、USB驱动、以及其它系统程序到RAM中运行，初始化Nand闪存，重新建立Nand
不同 nand 闪存兼容方法装置

[发明专利]一种NAND Flash芯片的掉电保护电路、方法及固态硬盘-CN201810497249.6在审
发明人：林世清;刘青;周成亮 -专利权人：北京紫光得瑞科技有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明提出了一种NAND Flash芯片的掉电保护电路、方法及固态硬盘，该掉电保护电路包括：电源通断控制电路，检测外部电源的掉电事件，并在检测到外部电源的掉电事件后，断开供电转换电路与外部电源的供电通路；储能电路，在供电通路断开之后为SSD系统、NAND Flash芯片供电，使NAND Flash芯片的供电电压在时间长度T内处于芯片工作电压额定值，让SSD在外部掉电后能够在时间长度T内将存放在DDR的易失性数据迁移到Nand Flash芯片保存；放电加速电路，在检测到NAND Flash芯片的供电电压小于芯片工作电压阈值时对Nand Flash芯片进行放电，以使Nand Flash恢复供电之前，降低到NAND Flash本发明能够降低Nand Flash恢复供电后出现错误事件发生的概率，提高系统在掉电后的再次开机响应速度。
掉电掉电保护电路外部电源芯片工作电压供电电压固态硬盘恢复供电放电检测电源通断控制电路供电通路断开供电转换电路易失性数据储能电路错误事件放电电压供电通路加速电路阈值时断开开机迁移供电保存外部响应概率

[发明专利]三维NAND闪存装置及其制备方法-CN201910015961.2在审
发明人：肖德元;张汝京 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种三维NAND闪存装置及其制备方法，该制备方法包括：提供沿水平方向延伸的半导体衬底，半导体衬底上形成有多个外围器件；于多个外围器件上形成底部连接层；于底部连接层上形成至少两个平面型NAND无结闪存串；于至少两个平面型NAND无结闪存串上形成后段互连层。通过将平面型NAND无结闪存串结构与外围器件结合起来，构建为三维NAND闪存装置。平面型NAND无结闪存串的快速读取特性得到很好的运用，其可与逻辑单元很好相容，既可以制作为标准独立型NAND闪存产品，更能在保证产品性能的条件下按照使用情况制作为嵌入式NAND闪存产品；另一方面，采用此方式可以有效降低二维NAND闪存装置的水平占用面积，提高装置的空间使用效率。
三维 nand 闪存装置及其制备方法

[发明专利]一种减小3D NAND产品尺寸的封装结构及其制造方法-CN201911316708.7在审
发明人：李凯 -专利权人：华天科技（西安）有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种减小3D NAND产品尺寸的封装结构及其制造方法，封装结构包括基板，基板的上表面设置有与其相连的产品单元，通过塑封料将基板的上表面以及产品单元进行封装，基板的下表面设置有若干个锡球；所述的产品单元包括分别与基板相连的第一3D NAND存储芯片组、第二3D NAND存储芯片组、电流控制器件和读写控制芯片；第一3D NAND存储芯片组和第二3D NAND存储芯片组均由多层3D NAND存储芯片呈阶梯状堆叠而成，电流控制器件和读写控制芯片布置在由第一3D NAND存储芯片组和第二3D NAND存储芯片组形成的空间内部。本发明能够节省空间，使NAND存储芯片能堆叠更多的层数，增加产品容量。
一种减小 nand 产品尺寸封装结构及其制造方法

[发明专利]存储器设备及方法-CN201610986874.8有效
发明人：莫尼什·沙阿 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：一种存储器设备，包括多个NAND闪存芯片、与NAND闪存芯片数据通信的动态随机存取存储器(DRAM)部、和控制器。每个NAND闪存芯片具有第一存储容量，且包括存储器区段，每个存储器区段包括多个页。控制器被配置为选择NAND闪存芯片中的一个NAND闪存芯片作为当前选择的NAND闪存芯片以用于写数据的，将在当前选择的NAND闪存芯片中的所有有效页复制到DRAM部中，且响应于对逻辑存储器位置的写请求，逻辑存储器位置映射到在NAND闪存芯片的一个中的特定物理位置，分配当前选择的NAND闪存芯片以用于写到包括特定物理位置的特定页。
存储器设备方法