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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体集成电路-CN98119312.9有效
发明人：藤井威男;成田薰;堀口洋子 -专利权人：日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-09-11 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种带有防止静电放电保护电路的半导体集成电路，其中一个箝位件与MIS晶体管相连，以在带电器件模型下防止击穿，一寄生双极晶体管、MOS晶体管或其栅极由比转换门的绝缘膜厚的绝缘膜构成的MIS晶体管可用作箝位件
半导体集成电路

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610141646.7无效
发明人：粉谷直树 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-10-09 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，其在SRAM存取区域SA的N型MIS晶体管上形成拉伸应力含有绝缘膜(50)及压缩应力含有绝缘膜(51)。另一方面，在SRAM驱动区域SD的N型MIS晶体管上形成拉伸应力含有绝缘膜(50)。从而，调整晶体管的驱动力。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]使用CMOS兼容反铁电高K材料的复杂电路组件及电容器-CN201410336166.0在审
发明人： D·H·瑞尤赛;M·G·诺兰;J·穆勒;W·魏因赖希;K·赛德尔;P·普拉科斯基 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-07-15 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及使用CMOS兼容反铁电高K材料的复杂电路组件及电容器，提供具有高电容的集成电路组件及MIM/MIS电容器、形成相应集成电路组件及集成MIM/MIS电容器的方法以及控制集成电路组件及集成MIM/MIS电容器的方法。
使用 cmos 兼容反铁电高材料复杂电路组件电容器

[发明专利]半导体记忆装置-CN201711292036.1在审
发明人：胡振国;潘正圣;廖建舜;曾冠豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;胡振国
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：半导体记忆装置包括具有栅极、源极及漏极的晶体管及金属绝缘体半导体(MIS)结构。晶体管及MIS结构设置在共用基材上。MIS结构包括设置在半导体区域上的介电层、及电性设置在介电层上并耦接至晶体管的漏极的电极。电极包括块部分及高电阻部分，两者设置在介电层上。
介电层晶体管半导体记忆装置电极高电阻漏极金属绝缘体半导体半导体区域片电阻电性基材源极阻抗耦接

[发明专利]电力GIS系统与MIS系统智能交互方法-CN202011391592.6在审
发明人：王雪梅 -专利权人：安徽信息工程学院
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G06F16/248 文献下载
摘要：本发明提供电力GIS系统与MIS系统智能交互方法，包括电力GIS系统和MIS系统，以GIS系统配电图形为导航，使MIS系统大量的用户营业数据与配电图形能够互动管理，进行无缝连接，提高数据处理的及时性、准确性
电力 gis 系统 mis 智能交互方法

[发明专利]双栅极氮化镓MIS-HEMT器件及其制备方法-CN202110054671.6在审
发明人：张元雷;蔡宇韬;梁烨;刘雯;赵策洲 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种双栅极氮化镓MIS‑HEMT器件及其制备方法，该双栅极氮化镓MIS‑HEMT器件包括衬底和依次设置在所述衬底上的GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、电子储存层和钝化层，在所述GaN该双栅极氮化镓MIS‑HEMT器件及其制备方法通过双栅结构对电子储存层充放电从而达到调控氮化镓阈值的办法。
栅极氮化 mis hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种肖特基二极管的制作方法-CN202110743609.8在审
发明人：刘扬;张琦 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：在p型区之间的肖特基接触区域引入介质层，形成MIS结构，在正向偏压下，肖特基结率先导通，同时相较于传统结势垒肖特基二极管，MIS结构耗尽区更窄，因此本发明器件具有更大的有效导通面积，能够降低器件的导通电阻，进而降低导通损耗；而在反向偏压下，MIS结构能够降低肖特基结由于势垒降低效应和隧穿效应等因素而产生的漏电流，从而提高了器件的击穿电压。
一种肖特基二极管制作方法

[发明专利]一种氮化镓MIS-HEMT钝化设计及其制备方法-CN202010752951.X有效
发明人：吴燕庆;詹丹;李学飞 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种氮化镓MIS‑HEMT钝化设计及其制备方法，其中，钝化结构包括两次叠层的掺硅氧化铪HfSiO材料以及P型CuO。优选的，MIS‑HEMT器件采用凹槽栅结构；栅介质采用高介电常数掺硅氧化铪材料；源漏电极制备采用低温无金接触工艺。本发明通过对钝化结构的关键组成、具体构造，配合氮化镓MIS‑HEMT器件的栅介质材料进行改进，利用两次叠层高介电常数材料(HfSiO)与低介电常数P型氧化物材料(CuO)构建钝化结构，本发明与现有技术相比能够实现更好的电学性能
一种氮化 mis hemt 钝化设计及其制备方法

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN02103395.1无效
发明人：岩田佳久;大泽隆;山田敬 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-02-04 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：多个MIS晶体管构成存储单元的半导体存储器件,各MIS晶体管备有半导体层上形成的源极区域和与之分离的漏极区域;二者之间的半导体层成为浮动状态的沟道体;设置在上述源极和上述漏极区域之间的,用于在上述沟道体上形成沟道的主栅极;和为了通过电容耦合控制上述沟道体的电位,与上述主栅极分别设置的辅助栅极,与上述主栅极同步驱动,上述MIS晶体管具有将上述半导体层分别设定在第1和第2电位的第1数据状态和第2数据状态。
半导体存储器件及其制造方法

[实用新型]智能型绝缘子盐密在线监测装置-CN201320115558.5有效
发明人：陈润晶;陈风航;王斌;刘明慧;李晨明;宋翰彪;余春燕 -专利权人：辽宁省电力有限公司丹东供电公司;国家电网公司
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种智能型绝缘子盐密在线监测装置，其结构为，采集终端连接电源，采集终端将采集到的数据进行分析比对，整理出测量结果，通过公众移动网络传递到数据接收工作站或者指定的手机，所述的数据工作站连接到MIS本实用新型的有益效果是，实时智能监测绝缘子的盐密程度，并将检测数据及时传送到工作站数据库，经过MIS网，便于MIS计算机查询。解决了现有的绝缘子盐密离线测量，测试数据不准确和不及时等问题。
智能型绝缘子在线监测装置

[实用新型]基板类金丝键合检验夹具-CN201920154463.1有效
发明人：夏雷;李宗亚;王洋;周屹舜;丁雪龙 -专利权人：无锡中微高科电子有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G01D11/16 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体封装制造技术领域，涉及基板类金丝键合检验夹具，所述检测夹具包括基板夹具及位于所述基板夹具下方的基座；所述基板夹具与基座可转动连接；所述基板夹具为中空铁板，在中间位置设有用于嵌入MIS基板的凹槽，在四个角设有用于定位磁性软钢圈的定位槽，所述磁性软钢圈吸附在基板夹具表面；本实用新型通过检测夹具固定住MIS基板后，可改变夹具角度来调整MIS基板的角度，对高密度、多层线弧的金丝进行键合检验
基板夹具基板本实用新型软钢检测夹具检验夹具金丝键合夹具半导体封装可转动连接基板断裂中空铁板定位槽可改变多层键合金丝良率吸附线弧封装检验嵌入制造

[实用新型]一种具有MIS栅极结构的GaN增强型高电子迁移率晶体管-CN202121936217.5有效
发明人：蒲涛飞;敖金平;李柳暗;李小波 -专利权人：宁波铼微半导体有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种具有MIS栅极结构的GaN增强型高电子迁移率晶体管。所述晶体管具有自对准MIS栅极结构，即p‑GaN层、栅介质层和栅电极层具有相同的宽度，能够增强栅极对沟道的控制，减小沟道电阻，提高输出电流。所述晶体管还包括形成于栅介质层的上表面的钝化层，所述钝化层覆盖在整个AlGaN势垒层的上表面，并延伸至GaN沟道层、欧姆电极和MIS栅极结构外周，以实现对器件表面电荷的中和，提升器件在实际工作中的可靠性及稳定性
一种具有 mis 栅极结构 gan 增强电子迁移率晶体管

[发明专利]一种MIS结构GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202010362631.3在审
发明人：王登贵;周建军;孔岑;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种MIS结构GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体器件领域。其结构包含衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、p‑GaN层、低维h‑BN层、栅极、源极、漏极以及钝化介质层。本发明通过引入低维h‑BN构建金属‑绝缘层‑半导体（MIS）栅控结构，不仅能够利用h‑BN优异的表面特性降低栅极金属与p‑GaN帽层间的缺陷态和极化电荷，形成高质量MIS栅控界面，提升器件的栅极工作稳定性
一种 mis 结构 gan 电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]一种集成MIS-HEMT器件和GaN混合阳极二极管的方法及应用-CN202110146397.5在审
发明人：张斌;王金延;李梦军;陶倩倩;王鑫;汪晨;吴文刚 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管的方法及应用,属于电力电子技术中功率半导体器件领域。本发明将MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管在器件宽度方向上进行交叉设置，形成叉指并联结构，且MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管采用同样的湿法刻蚀工艺。
一种集成 mis hemt 器件 gan 混合阳极二极管方法应用

[发明专利]一种集成MIS-HEMT器件和GaN肖特基二极管的方法及应用-CN202110141718.2在审
发明人：张斌;王金延;李梦军;陶倩倩;王鑫;汪晨;吴文刚 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管的方法及应用,属于电力电子技术中功率半导体器件领域。本发明将MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管在器件宽度方向上进行交叉设置，形成叉指并联结构，且MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管采用同样的湿法刻蚀工艺。
一种集成 mis hemt 器件 gan 肖特基二极管方法应用

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