专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN200910253605.0无效
  • 厚母敬生 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2009-12-03 - 2010-12-15 - H01L27/02
  • 本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。提供了一种半导体器件,该半导体器件能够增加电容器的电容,同时减少衬底上由电容器和电感器占据的面积。该半导体器件包括第一线;层间绝缘膜,该层间绝缘膜被形成在第一线上,并且具有被形成在与第一线相对应的位置处的凹槽;以及第二线,该第二线被形成在层间绝缘膜的凹槽中。第一线、第二线、以及被形成在第一线和第二线之间的绝缘膜构成电容器。第一线和第二线中的至少一个构成电感器。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]运算电路-CN201010214650.8无效
  • 织尾正雄 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2006-12-20 - 2010-11-10 - H03M13/39
  • 一种运算电路,包括:NOR电路,用于从包含由多个比特组成的路径度量值的0个或多个高位比特的第一比特组x(6)~x(10)的所有比特中输出1比特反相逻辑OR sf;反相器,用于将第二比特组x(2)~x(5)的每个比特反相,并且输出第三比特组rs(0)~rs(3);AND电路,用于输出第四比特组ns(0)~ns(3),其包含计算sf同rs(0)~rs(3)的逻辑AND的结果;和CF输出部分,用于基于ns(0)~ns(3)输出修正因子CF。
  • 运算电路
  • [发明专利]PLL电路-CN201010163723.5无效
  • 古田敦士 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2010-04-12 - 2010-10-20 - H03L7/107
  • 提供了一种PLL电路。该PLL电路包括第一环路滤波器和第二环路滤波器。该PLL电路还包括:电流信号生成电路,该电流信号生成电路包括生成要被输出到第一环路滤波器的第一电流信号的第一输出驱动器和生成要被输出到第二环路滤波器的第二电流信号的第二输出驱动器;和控制电路,该控制电路选择第一输出驱动器和第二输出驱动器中的哪一个将被激活。
  • pll电路
  • [发明专利]运算放大器-CN201010147535.3无效
  • 涩谷昌树 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2010-03-22 - 2010-09-29 - H03F3/45
  • 本发明提供一种运算放大器。该运算放大器包括:差分放大器输入级,其向差分对供应操作电流,该差分放大器输入级包括具有第一极性的第一晶体管;推挽放大器输出级,其包括具有第一极性的第二晶体管、和具有第二极性的第三晶体管,所述第二晶体管与第三晶体管串联连接;以及电容元件,其连接第一晶体管的栅极与第二晶体管的栅极。
  • 运算放大器
  • [发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201010148901.7无效
  • 吉田浩介 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2010-03-25 - 2010-09-29 - H01L29/78
  • 本发明提供了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。第二导电类型的高剂量杂质层形成在器件形成区中,并且用作源极和漏极;第二导电类型的低剂量层分别设置在第二导电类型的高剂量杂质层中的每一个的周围以在深度方向和沟道长度方向上扩展每个第二导电类型的高剂量杂质层,第二导电类型的低剂量杂质层的至少一部分位于栅电极以及栅绝缘膜的下方;栅绝缘膜在其位于第二导电类型的低剂量杂质层的上方的部分处具有倾斜部分,该倾斜部分的厚度连续地从栅电极的中心向着侧面增加而没有形成拐点。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]显示装置驱动电路-CN201010135760.5无效
  • 平塚准 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2010-03-16 - 2010-09-29 - G09G3/20
  • 本发明提供了一种显示装置驱动电路,其能够设置用于各个输出放大器的最佳驱动性能,同时没有增加芯片尺寸。显示装置驱动电路包括:具有不同的基准电势的至少两条偏置线;选择器,所述选择器基于灰阶信号选择偏置线中的一条;以及输出放大器,所述输出放大器被提供有通过所述选择器选择的偏置线中的一条的基准电势,所述输出放大器生成显示信号,并且将显示信号提供给数据线。
  • 显示装置驱动电路
  • [发明专利]显示面板驱动器以及使用其的显示装置-CN201010136843.6有效
  • 岛谷淳 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2010-03-11 - 2010-09-22 - G09G3/20
  • 本发明涉及显示面板驱动器以及使用其的显示装置。显示面板驱动器包括输出放大器电路;第一和第二输出端子。输出放大器电路包括第一输出级,构造为接收电源电压和低于电源电压的第一电压并且输出第一电压范围内的驱动电压;和第二输出级,构造为接收电源电压和接地电压并且输出两者之间的驱动电压。第一输出级包括第一下拉输出晶体管,其为耗尽型NMOS晶体管;并且第二输出级包括第二下拉输出晶体管,其为增强型NMOS晶体管。当输出放大器电路被设置为第一电压为中间电源电压的第一模式时,第一输出级将第一驱动电压输出至第一和第二输出端子之一。而当被设置为第一电压为接地电压的第二模式时,第二输出级将第一驱动电压输出至第一和第二输出端子之一。
  • 显示面板驱动器以及使用显示装置
  • [发明专利]包括电源可控区域的半导体集成电路-CN201010143330.8有效
  • 小田泰大 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2010-03-19 - 2010-09-22 - H02M3/155
  • 本发明提供了一种包括电源可控区域的半导体集成电路,其能够测试包括电源可控区域的半导体集成电路中的电源控制操作。电源控制开关具有每个都由多个开关单元组成的开关串。电源可控区域包括开关串中的输出节点。输出节点将已通过电源控制开关各开关串的最后一级的电源控制信号输出到电源可控区域外部。其上安装有半导体集成电路的芯片具有将输出节点的输出输出到芯片外部的输出端子。在插入扫描路径测试的情况下,将输出节点的输出加载到数据端子并将扫描数据加载到扫入端子的观察触发器被对应于各输出节点设置。这些观察触发器被连接组成扫描路径链。
  • 包括电源可控区域半导体集成电路
  • [发明专利]程序验证装置及其方法-CN201010129985.X有效
  • 森川健志 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2010-03-09 - 2010-09-22 - G06F11/10
  • 本发明用于提供能够在多数情况下检测非法行为的程序验证装置及其方法。当程序数据要被存储在安全数据存储中时,通过对程序数据执行CRC计算来获得第一校验和值。此外,通过对被传输到安全数据存储的程序数据执行CRC计算来获得第二校验和值。通过比较这些校验和值来执行程序验证。循环数目逻辑(700)使CRC计算被执行至少两次,并且确定循环的数目。计算顺序逻辑(800)改变用于CRC计算的每个循环的CRC计算的计算顺序。
  • 程序验证装置及其方法
  • [发明专利]占空比校正电路和占空比校正方法-CN201010126178.2有效
  • 菊池和贵 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2010-02-25 - 2010-09-08 - H03K5/156
  • 本发明涉及占空比校正电路和占空比校正方法。占空比校正电路包括:时钟输入缓冲器,用于接收第一时钟信号;时钟占空调节器,用于基于校正信号调节从时钟输入缓冲器输出的第二时钟信号的占空比并且生成第三时钟信号;数据输入缓冲器,用于接收第一数据信号;数据占空调节器,用于基于校正信号调节从数据输入缓冲器输出的第二数据信号的占空比并且生成第三数据信号;以及占空比较器,用于基于第三时钟信号生成校正信号。
  • 校正电路方法
  • [发明专利]基准电压生成器-CN201010002126.4有效
  • 宫崎喜芳 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2010-01-05 - 2010-09-08 - G05F3/30
  • 本发明提供了一种基准电压生成器。该基准电压生成器包括输出端子;负载电路,该负载电路被连接至输出端子和接地电压端子之间;输出晶体管,该输出晶体管被连接在输出端子和电源电压端子之间;第一恒流源,该第一恒流源被连接在输出端子和电源电压端子之间;第一开关电路,该第一开关电路选择性地将输出端子与输出晶体管或者第一恒流源进行连接;以及控制电路,该控制电路控制要被提供给负载电路的带隙电流。在第一状态中,第一开关电路连接输出端子和输出晶体管,并且控制电路控制输出晶体管的激活状态。在第二状态下,第一开关电路连接输出端子和第一恒流源,并且控制电路控制从第一恒流源流出的电流的量。
  • 基准电压生成器

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