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- [发明专利]图像日志管理装置和图像日志管理方法-CN200810174040.2有效
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大泽隆
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富士施乐株式会社
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2008-11-12
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2009-09-30
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H04N1/32
- 本发明提供图像日志管理装置和图像日志管理方法。该图像日志管理装置包括对应关系信息存储部件、图像日志数据存储部件、输入部件和删除部件。该对应关系信息存储部件存储经历图像形成处理的输入文档的标识符、从所述输入文档的图像形成处理获得的输出文档的标识符以及所述输出文档的图像日志数据的标识符之间的对应关系信息。该图像日志数据存储部件存储所述输出文档的图像日志数据。该输入部件输入包括已被丢弃的丢弃文档的标识符的文档丢弃信息。该删除部件基于所述文档丢弃信息并且基于所述对应关系信息选择需要删除的图像日志数据并对其执行删除处理。
- 图像日志管理装置方法
- [发明专利]文档监控装置、文档监控方法和文档监控系统-CN200810092512.X有效
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大泽隆
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富士施乐株式会社
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2008-04-18
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2009-02-25
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H04N1/00
- 本发明涉及文档监控装置、文档监控方法和文档监控系统。一种文档监控装置，该装置包括：保密信息存储部分，其与文档管理装置中管理的多个文档中的每一个的标识信息相关联地存储这些文档的保密级别信息；特征存储部分，其与标识信息相关联地存储多个文档的特征；选择部分，其基于保密级别信息从所管理的多个文档中选择目标文档；获得部分，其获得要由图像处理装置进行处理的目标图像；提取部分，其提取目标图像的特征；相似性水平计算部分，其计算与所选择的目标文档的标识信息相关联地存储的特征和所提取的特征之间的相似性水平；以及检测信息输出部分，当相似性水平等于或高于规定值时，该检测信息输出部分输出表示检测到相似图像的信息。
- 文档监控装置方法系统
- [发明专利]半导体存储装置-CN200710147753.5无效
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大泽隆
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株式会社东芝
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2007-08-28
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2008-03-05
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G11C11/34
- 半导体存储装置，具备：具有栅极、源极和漏极，借助于在上述源极和上述漏极之间流动的电流写入数据的多个存储单元；连接到上述存储单元的栅极上的多条字线；连接到上述存储单元的漏极上的多条位线；通过上述位线检测上述存储单元的数据，通过上述位线向上述存储单元写入数据，并锁存所读出的数据或应当写入的数据的多个读出放大器；从上述读出放大器连接或切断上述位线的多个传输门电路，在向连接到上述字线中被激活的字线的多个上述存储单元连续地写入数据的串行存取的期间内，在与该多个存储单元对应的多个上述读出放大器锁存了数据之后，上述多个传输门电路把该多个读出放大器与该多个读出放大器所对应的多条位线连接起来。
- 半导体存储装置
- [发明专利]半导体存储器件-CN200710091805.1无效
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大泽隆
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株式会社东芝
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2007-03-23
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2007-09-26
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G11C11/4091
- 本发明涉及一种半导体存储器件，其包括：包括处在电浮动状态的浮动体的存储单元，用来按照浮动体内多数载流子的数目存储数据；接到存储单元的栅极上的字线；接到存储单元上的第一位线，用来发送数据；发送用来检测存储在存储单元内的数据的基准数据的第二位线；分别发送存储在存储单元内的数据和基准数据的第一读出节点和第二读出节点；配置在第一读出节点与第二读出节点之间的第一短路开关；以及在数据读取操作期间向存储单元施加负载电流和放大由于使第一短路开关截断而在第一读出节点与第二读出节点之间产生的电位差的第一触发器。
- 半导体存储器件
- [发明专利]半导体存储器件-CN200710005921.7无效
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大泽隆
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株式会社东芝
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2007-02-15
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2007-08-29
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G11C11/401
- 本发明涉及一种半导体存储器件，包括：具有在电浮动状态下的浮体、并根据在所述浮体内所积累的多个多数载流子的数量来存储数据的存储单元；产生参考信号的虚设单元，基于该参考信号来检测存储于所存储单元中的所述数据；连接到所述存储单元的栅极的字线；连接到所述虚设单元的栅极的虚设字线；连接到所述存储单元的源极或漏极、和所述虚设单元的源极或漏极的位线；以及邻接所述虚设单元的源极或漏极的扩散层，该扩散层的导电类型与所述虚设单元的浮体相同；其中，所述虚设单元的浮体、所述虚设单元的源极或漏极，以及所述扩散层构成双极晶体管。
- 半导体存储器件
- [发明专利]半导体存储器器件及其驱动方法-CN200610103163.8无效
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大泽隆
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株式会社东芝
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2006-07-06
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2007-01-10
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H01L27/12
- 本发明提供一种半导体存储器器件及其驱动方法。半导体存储器器件包括：半导体衬底，其包括第一绝缘膜上的半导体层；存储器单元，其包括在半导体层中形成的源极和漏极以及设在源极和漏极之间的浮体区，该存储器单元根据在浮体区中累积的电荷量来存储数据；设在存储器单元的浮体区上的第二绝缘膜；设在第二绝缘膜上的字线；与所述漏极相连的位线；与所述源极相连的源极线；和通过第一绝缘膜与浮体区电绝缘的平板电极，其中在用于向存储器单元写数据的时段的至少一部分中，改变平板电极的电势以减小存储器单元的阈值电压的绝对值。
- 半导体存储器器件及其驱动方法
- [发明专利]半导体存储装置-CN200510096686.X无效
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大泽隆
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株式会社东芝
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2005-08-31
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2006-04-12
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G11C11/401
- 根据本发明一种实施方案的半导体存储装置包括：单元阵列，每个具有连接到一对第一和第二位线的多个存储单元；以及读出放大器，每个对应于该对第一和第二位线而提供并读出从待读出存储单元中读出的数据，其中读出放大器的每个包括电流反射镜电路，其具有直接或间接连接到该对第一和第二位线的第一和第二电流通路；以及该电流反射镜电路包括：第一晶体管，其具有彼此短接的栅极和漏极，并且使参考电流在源极和漏极之间流动；以及第二晶体管，其栅极共同地连接到第一晶体管的栅极，并且使经过待读出存储单元的电流在其源极和漏极之间流动。
- 半导体存储装置
- [发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN200510004780.8无效
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岩田佳久;大泽隆;山田敬
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株式会社东芝
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2002-02-04
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2005-07-27
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H01L27/105
- 一种半导体存储器件，具有用于构成多个存储单元的多个MIS晶体管，其特征在于：各MIS晶体管包括：半导体层，在上述半导体层上形成的源极区域，在上述半导体层上与上述源极区域分离形成的漏极区域，使得上述源极区域和上述漏极区域之间的上述半导体层成为浮动状态的沟道体，设置在上述源极区域和上述漏极区域之间、用于在上述沟道体内、于上述源极区域和上述漏极区域之间形成沟道的主栅极，和为了通过电容耦合控制上述沟道体的电位、与上述主栅极分别设置的辅助栅极，该辅助栅极与上述主栅极同步驱动，并且上述MIS晶体管具有将上述沟道体设定在第1电位的第1数据状态和将上述沟道体设定在第2电位的第2数据状态。
- 半导体存储器件及其制造方法
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