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[发明专利]一种硅光芯片及基于硅光芯片的激光雷达-CN202211051691.9有效
发明人：冯大增;王奕琼;梁虹;武爱民 -专利权人：上海羲禾科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种硅光芯片及基于硅光芯片的激光雷达，硅光芯片包括分束模块、延迟线、混频模块、反射光处理模块和探测模块。本申请的硅光芯片通过反射光处理模块对测量光的反射光进行处理，将与TE偏振方向正交的TM偏振光进行旋转后输出两路TE偏振光，然后通过混频模块分别将两路TE偏振光与本振光进行混频，且两路本振光中一路本振光通过延迟线进行了传输延迟，从而可以利用一个平衡探测器对混频模块输出的第一混频光束和第二混频光束进行探测，如此，本申请可以在提升物体检测能力的同时降低芯片和系统复杂性。
一种芯片基于激光雷达

[发明专利]一种基于金属介质光栅的硅基增强光吸收器件及其应用-CN202310559307.4在审
发明人： 武爱民;李寒月 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于金属介质光栅的硅基增强光吸收器件及其应用，包括金属薄膜、介质光栅和金属光栅组成的金属介质光栅强吸收结构。本发明的器件结构具有如下优势：(1)亚波长光栅的局域光频率极其接近表面的等离子激元的共振频率；(2)光栅阵列的优化使得金属光栅形成较强的FP腔且与亚波长光栅的能有效耦合共振。在表面等离激元共振频率附近，这些金属光栅阵列可以有效地集中光线，具有良好的应用前景。
一种基于金属介质光栅增强光吸收器件及其应用

[发明专利]温度不敏感马赫曾德尔干涉仪-CN201811501015.0有效
发明人：仇超;赵瑛璇;甘甫烷;武爱民;盛振;李伟 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供一种温度不敏感马赫曾德尔干涉仪，包括：第一模式转换器；第二模式转换器，位于第一模式转换器的一侧，且与第一模式转换器具有间距；连接臂，位于第一模式转换器与第二模式转换器之间，一端与第一模式转换器相连接，另一端与第二模式转换器相连接；连接臂包括直波导连接臂。本发明的温度不敏感马赫曾德尔干涉仪通过设置所述连接臂的宽度及厚度等参数可以实现对温度不敏感。
温度敏感马赫曾德尔干涉仪

[发明专利]一种硅基光吸收器件及其应用-CN202310559308.9在审
发明人： 武爱民;李寒月 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基光吸收器件及其应用，包括底层介质层、金属光栅和顶层介质层组成的三明治型导模共振强吸收结构。本发明的器件结构具有如下优势：(1)微纳结构周围的近场极其接近表面的等离子激元的共振频率；(2)光栅阵列的优化使得介质光栅支持波导的有效耦合。在表面等离激元共振频率附近，这些金属光栅阵列可以有效地集中光线，具有良好的市场应用前景。
一种光吸收器件及其应用

[发明专利]一种相干接收硅光芯片及激光雷达系统-CN202310246952.0在审
发明人： 武爱民;徐成杰;冯大增;王茹雪 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01S17/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种相干接收硅光芯片及激光雷达系统，硅光芯片包括光端口、分束模块、混频模块、探测模块和电端口；所述光端口包括光输入端口、光输出端口、第一反射光输入端口和第二反射光输入端口；所述分束模块用于对从所述光输入端口进入的信号光进行分束，得到测量光和本振光；所述测量光经过所述光输出端口输出；混频模块，用于将经过第一反射光输入端口和第二反射光输入端口的两路TE偏振光分别与本振光进行光学混合，得到两路混频光束；探测模块，用于接收两路混频光束得到拍频信号，并由所述电端口输出至外部；所述光端口与光纤阵列相互耦合并固定。本发明实现了3μmSOI工艺应用于激光雷达系统。
一种相干接收芯片激光雷达系统

[发明专利]一种非线性优化紧凑的大特征尺寸绝热功率分配器-CN202310196608.5在审
发明人： 武爱民;吴龙生;冯大增 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种非线性优化紧凑的大特征尺寸绝热功率分配器。该功率分配器自下而上包括衬底、埋氧层、顶层、包层，所述顶层的两侧进行刻蚀，所述刻蚀的厚度小于顶层厚度，从而形成脊波导，所述脊波导采用锥形交错波导结构，所述锥形交错波导结构包括上下两根波导和中间波导，在锥形交错部分上下两根波导和中间波导被分成几段，中间波导两边段的宽度变化斜率大于中间段的宽度变化斜率。该功率分配器在锥形交错部分采用了分段优化的方法，分段优化的目的是提高器件的绝热性，亦即降低加工误差带来的器件性能衰减和降低波长敏感性，另外还可以一定程度上降低器件尺寸和降低损耗。
一种非线性优化紧凑特征尺寸绝热功率分配器

[发明专利]一种抗电磁干扰的集成硅基光接收芯片及其制备方法-CN202310155169.3在审
发明人： 武爱民;吴龙生;冯大增 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗电磁干扰的集成硅基光接收芯片及其制备方法，所述光接收芯片设置有探测器阵列、光波导和光口；所述探测器阵列中的探测器的外围均设置有U型电磁屏蔽环。本发明的U型电磁屏蔽环极大增强了探测器的抗电磁干扰能力，使得探测器阵列中的相邻探测器距离可以进一步缩小，实现更高集成度的硅基光接收芯片设计，具有良好的市场应用前景。
一种电磁干扰集成硅基光接收芯片及其制备方法

[发明专利]一种光波导模斑转换装置及其制造方法-CN202211689044.0在审
发明人：田斌;冯大增;武爱民 -专利权人：上海羲禾科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请涉及集成光芯片技术领域，特别涉及一种光波导模斑转换装置及其制造方法，该装置包括半导体衬底、下波导、包层和上波导层；包层设置于半导体衬底上；楔形结构的下波导设置于包层内；上波导层设置于包层上，上波导层用于在下波导的小头端与光纤耦合；上波导层的第一折射率小于下波导的第二折射率，且大于包层的第三折射率；上波导层上表面且靠近下波导的小头端处设置有刻蚀条纹；刻蚀条纹基于下波导的小头端的位置设置，并从上波导层的端面沿着下波导的延伸方向延伸；刻蚀条纹用于限制上波导层的端面上的模斑尺寸。可以降低模斑尺寸转换时对楔形波导的小头端尺寸的敏感性；降低光偏振相关损耗；降低工艺难度，降低模斑转换的失配损耗。
一种波导转换装置及其制造方法

[发明专利]一种抗串扰的集成硅基光接收芯片及其制备方法-CN202310155174.4在审
发明人： 武爱民;吴龙生;冯大增;徐成杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗串扰的集成硅基光接收芯片及其制备方法，所述光接收芯片设置有探测器阵列、光波导和光口；所述探测器阵列中的探测器的外围均设置有抗串扰环。本发明抗串扰环中的锗环可以将到达探测器附件的光全部吸收，消除了接收芯片上非必要杂散光；抗串扰环中金属环和电极层形成的环形结构形成了一定高度的屏蔽空间，有效避免了探测器阵列中相邻探测器的高频信号串扰，具有良好的市场应用前景。
一种抗串扰集成硅基光接收芯片及其制备方法

[发明专利]一种基于布拉格光栅的非易失性可重构滤波器-CN202310114688.5在审
发明人： 武爱民;李文霏;吴龙生 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于布拉格光栅的非易失性可重构滤波器。该滤波器包括SOI衬底、波导以及移相布拉格光栅结构、第一非易失性相变材料薄膜和第二非易失性相变材料薄膜，所述SOI衬底上方设置波导，所述波导含有移相布拉格光栅结构，所述移相布拉格光栅结构上方的移相区域设置第一非易失性相变材料薄膜，所述移相布拉格光栅结构上方的均匀光栅区域设置第二非易失性相变材料薄膜，所述第一非易失性相变材料薄膜设置在所述第二非易失性相变材料薄膜之间。该滤波器在保证传输损耗仅0.76dB的前提下同时实现传输功率不变中心波长偏移和传输中心波长不变功率调谐的功能。
一种基于布拉格光栅非易失性可重构滤波器

[发明专利]一种波导的刻蚀方法-CN202211004985.6有效
发明人：王奕琼;冯大增;梁虹;武爱民 -专利权人：上海羲禾科技有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种波导的刻蚀方法，该方法包括：提供表面具有波导材料层的半导体衬底；波导材料层基于化学气相沉积技术得到；采用光刻工艺在波导材料层表面形成图形化的掩膜层；掩膜层用于确定波导材料层的待刻蚀面；基于掩膜层，采用干法刻蚀工艺刻蚀波导材料层的待刻蚀面，以形成波导；其中，在刻蚀波导材料层的待刻蚀面的过程中，通过实时测量波导材料层的刻蚀深度和波导材料层剩余的衬底厚度，来确定刻蚀终点。如此，可以提高波导的刻蚀精度，减少刻蚀所得波导深度的尺寸偏差，并提高波导的性能。
一种波导刻蚀方法

[发明专利]一种基于光放大器和硅光微腔的激光器-CN202211671448.7在审
发明人： 武爱民;刘晨阳;冯大增 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于光放大器和硅光微腔的激光器，包括：衬底；反射型半导体光学放大器，置于所述衬底上，并在光输入侧镀有抗反射膜，在所述光输入侧的对侧镀有高反射膜；基于亚微米SOI平台的光学微腔，置于所述衬底上，并与所述反射型半导体光学放大器进行倒装焊耦合。本发明能够提高器件集成度，降低耦合损耗与封装成本。
一种基于放大器硅光微腔激光器

[发明专利]一种亚波长光栅辅助的绝热功率分配器-CN202211455603.1在审
发明人： 武爱民;吴龙生;李寒月;冯大增 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种亚波长光栅辅助的绝热功率分配器，包括依次设置的输入转换区、锥形交错区和输出转换区；输入转换区用于将进入输入波导的光送入锥形交错区；输出转换区用于将经过锥形交错区的光送入输出波导；锥形交错区包括第一亚波长光栅波导、第二亚波长光栅波导和第三亚波长光栅波导；述第一亚波长光栅波导、第二亚波长光栅波导和第三亚波长光栅波导结构相同，并沿着光传输的方向垂直排列；第一亚波长光栅波导和第二亚波长光栅波导之间的间隔以及第二亚波长光栅波导和第三亚波长光栅波导之间的间隔均不变；第二亚波长光栅波导中的光随着光的传输方向分别耦合到第一亚波长光栅波导和第三亚波长光栅波导中。本发明能够提升片上器件的集成度。
一种波长光栅辅助绝热功率分配器

[发明专利]一种PVC稳定剂及其制备方法-CN202210210447.6有效
发明人：孙殿波;武爱民 -专利权人：山东利凯塑胶有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C08L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种PVC稳定剂及其制备方法，本发明的PVC稳定剂结构中包含和PVC结构相似的氢化聚丁二烯片段，大大提高了整体结构在PVC中的相容性，是一种低析出的稳定剂。本发明的稳定剂不含金属盐，能够直接与氯化氢反应，吸收氯离子的方式非常牢固，不会导致氯化氢的二次析出，稳定性好，且成本低，易于合成。
一种 pvc 稳定剂及其制备方法

[发明专利]偏振分束旋转器-CN201510031371.0有效
发明人：汪敬;甘甫烷;盛振;武爱民;仇超;王曦;邹世昌 -专利权人：南通新微研究院;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明提供一种偏振分束旋转器，至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，所述波导至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和定向耦合波导；所述双刻蚀波导，包括一端与所述单模输入波导的尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，所述第一刻蚀区的高度大于所述第二刻蚀区的高度；所述定向耦合波导，包括相互分离的直通波导和弯曲波导，所述直通波导连接所述第一刻蚀区的尾端，所述弯曲波导位于所述直通波导一侧。本发明提供的偏振分束旋转器分别利用这两个结构的宽带和尺寸小的特点，可以解决传统偏振分束旋转器件不能同时满足宽带特性和尺寸小的缺点。
偏振旋转

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