“高介低”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4865156个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]动态随机存取存储器电容器及其制备方法-CN202011349123.8在审
发明人：陈卓;王盈智;王士欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：其中，DRAM电容器包括介电层，所述介电层包括：高介电材料层；和低介电损耗材料层，设置在所述高介电材料层两侧表面。本发明的DRAM电容器的介电层包括高介电材料层和设置在高介电材料层两侧表面的低介电损耗材料层，高介电材料层可以提高介电层的介电常数，使其具有更好的介电性能；两侧表面设置的低介电损耗材料层可以有效解决高介电材料层的介电损耗，从而实现介电层的高介电常数和低介电损耗的目的。
动态随机存取存储器电容器及其制备方法

[发明专利]具高Dk和低Df特性的LCP高频基板及制备方法-CN201810823245.2在审
发明人：李建辉;林志铭;何家华 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种具高Dk和低Df特性的LCP高频基板，包括至少一铜箔层、至少一高介电LCP芯层和至少一高介电胶层，高介电LCP芯层位于铜箔层和高介电胶层之间，高介电LCP芯层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的芯层，高介电胶层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的胶层；铜箔层的厚度为1‑35μm；高介电LCP芯层的厚度为12‑100μm，高介电胶层的厚度为12‑本发明中由于高介电LCP芯层和高介电胶层皆具有高Dk和低Df的特性，使制得的LCP高频基板具有极佳的高速传输性、低损耗性、高Dk和低Df性能、低粗糙度、超低吸水率、适合高密度组装的低反弹力、良好的UV激光钻孔能力以及极佳的机械性能
高介电胶层芯层铜箔层高频基板机械性能低粗糙度低损耗性低吸水率高速传输激光钻孔反弹力组装

[实用新型]具高Dk和低Df特性的LCP高频基板-CN201821179468.1有效
发明人：李建辉;林志铭;何家华 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具高Dk和低Df特性的LCP高频基板，包括至少一铜箔层、至少一高介电LCP芯层和至少一高介电胶层，高介电LCP芯层位于铜箔层和高介电胶层之间，高介电LCP芯层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的芯层，高介电胶层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的胶层；铜箔层的厚度为1‑35μm；高介电LCP芯层的厚度为12‑100μm，高介电胶层的厚度为本实用新型中由于高介电LCP芯层和高介电胶层皆具有高Dk和低Df的特性，使制得的LCP高频基板具有极佳的高速传输性、低损耗性、高Dk和低Df性能、低粗糙度、超低吸水率、适合高密度组装的低反弹力、良好的UV
高介电胶层芯层铜箔层高频基板机械性能本实用新型低粗糙度低损耗性低吸水率高速传输激光钻孔反弹力组装

[发明专利]一种应用于天线振子的低介电改性PPS及其制备方法-CN202211114367.7在审
发明人：邢霞;邓鑫星;刘止林;冉祥鑫;张家豪 -专利权人：山东产研明泉新材料研究院有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C08L81/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于天线振子的低介电改性PPS，包括以下组分：PPS树脂、低介电玻璃纤维、偶联剂、低介电填充料、低介电增韧剂、低介电润滑剂以及抗老化剂。本发明采用上述结构的应用于天线振子的低介电改性PPS，由低介电玻璃纤维、低介电填充料、低介电增韧剂以及低介电润滑剂改性PPS树脂，不仅保留了PPS树脂的固有的耐高温、高尺寸稳定性、低吸水率、高阻燃性能，而且改性后的PPS树脂具有优异的低介电性能，从而更加适用于天线振子中。
一种应用于天线低介电改性 pps 及其制备方法

[发明专利]一种基于多层高介电材料的超小型介电陶瓷变压器-CN201110343334.5无效
发明人：巩晓阳;杨雷雷;周锋子;李立本 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： H01L41/107 文献下载
摘要：一种基于多层高介电材料的超小型介电陶瓷变压器，包括降压模块、绝缘隔离层和外部附属电路，绝缘隔离层包裹在降压模块的外部，降压模块包括交替设置的高介电材料填充层和低介电材料填充层，每一低介电材料填充层都设置在两层高介电材料填充层之间，在高介电材料填充层和低介电材料填充层之间还设有导电金属隔离层，低介电材料填充层两侧的导电金属隔离层分别与变压输出高电位端电极和变压输出低电位端电极连接，降压模块两端的高介电材料填充层的外侧还分别设有与外电源输入高电位端电极和外电源输入低电位端电极连接的导电金属层该装置对介电材料要求低，有效降低原料成本；具有电压输出稳定、工艺简单、结构紧凑、生产成本低廉等显著进步。
一种基于多层高介电材料超小型陶瓷变压器

[实用新型]一种基于多层高介电材料的超小型介电陶瓷变压器-CN201120430600.3有效
发明人：巩晓阳;杨雷雷;周锋子;李立本 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：一种基于多层高介电材料的超小型介电陶瓷变压器，包括降压模块、绝缘隔离层和外部附属电路，绝缘隔离层包裹在降压模块的外部，降压模块包括交替设置的高介电材料填充层和低介电材料填充层，每一低介电材料填充层都设置在两层高介电材料填充层之间，在高介电材料填充层和低介电材料填充层之间还设有导电金属隔离层，低介电材料填充层两侧的导电金属隔离层分别与变压输出高电位端电极和变压输出低电位端电极连接，降压模块两端的高介电材料填充层的外侧还分别设有与外电源输入高电位端电极和外电源输入低电位端电极连接的导电金属层该装置对介电材料要求低，有效降低原料成本；具有电压输出稳定、工艺简单、结构紧凑、生产成本低廉等显著进步。
一种基于多层高介电材料超小型陶瓷变压器

[实用新型]介电质膜高反射镜-CN202222874482.6有效
发明人：吴茂;杨建文 -专利权人：伯恩光学（惠州）有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及光学薄膜技术领域，具体公开了一种介电质膜高反射镜，包括基底及堆叠设置在基底上并包括交替堆叠设置的若干全介电质低折射率膜层和若干全介电质高折射率膜层的反射膜，全介电质低折射率膜层的折射率小于1.55，全介电质高折射率膜层的折射率大于2，单个全介电质低折射率膜层和单个全介电质高折射率膜层的厚度分别为2‑200nm，反射膜的厚度为1300‑3000nm。上述介电质膜高反射镜采用介电质低折射率膜层和介电质高折射率膜层交替堆叠设置，光束在各膜层界面反射回前表层的光产生相长干涉，反射率提高；各膜层均由全介电质材料成型，不含单质金属层，避免了氧化和受潮问题，延长了介电质膜高反射镜的使用寿命
质膜反射

[发明专利]触控面板与触控显示设备-CN201510473491.6有效
发明人：何宽鑫;叶文斌;赵峰;李荣华;黄菲菲 -专利权人：宸鸿科技（厦门）有限公司
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开一种触控面板与触控显示设备，该触控面板包括：盖板；折射率匹配层，位于盖板下；触控装置，位于折射率匹配层下；以及光学匹配层，位于触控装置下，其中折射率匹配层包括第一低折射率介电层与第一高折射率介电层，其中第一低折射率介电层直接接触触控装置的上表面，且第一高折射率介电层位于第一低折射率介电层与盖板之间，其中光学匹配层包括第二低折射率介电层与第二高折射率介电层，其中第二低折射率介电层直接接触触控装置的下表面，并位于触控装置与第二高折射率介电层之间，其中第二高折射率介电层的方阻值在照射紫外光后大于109欧姆每方。
面板显示设备

[实用新型]触控面板与触控显示设备-CN201520582235.6有效
发明人：何宽鑫;叶文斌;赵峰;李荣华;黄菲菲 -专利权人：宸鸿科技（厦门）有限公司
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本实用新型公开一种触控面板与触控显示设备，该触控面板包括：盖板；折射率匹配层，位于盖板下；触控装置，位于折射率匹配层下；以及光学匹配层，位于触控装置下，其中折射率匹配层包括第一低折射率介电层与第一高折射率介电层，其中第一低折射率介电层直接接触触控装置的上表面，且第一高折射率介电层位于第一低折射率介电层与盖板之间，其中光学匹配层包括第二低折射率介电层与第二高折射率介电层，其中第二低折射率介电层直接接触触控装置的下表面，并位于触控装置与第二高折射率介电层之间，其中第二高折射率介电层的方阻值在照射紫外光后大于10⁹奥姆每方。
面板显示设备

[发明专利]一种高介电环氧塑封料及其制备方法和应用-CN201610657329.4有效
发明人：孙蓉;朱朋莉;李刚;黄良;赵涛 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C08L63/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高介电环氧塑封料及其制备方法和应用。以该高介电环氧塑封料的总重量为100％计，该高介电环氧塑封料的原料组成包括：高介电填料5％‑50％、低介电填料10％‑80％、环氧树脂10％‑50％、酚醛树脂10％‑50％、固化剂10％‑20％、促进剂该高介电环氧塑封料不仅具有传统塑封料的低膨胀系数、低应力特点，而且介电常数高、介电损耗较小、介电性能频率稳定性好，可用于指纹传感器封装领域。
高介电环氧塑封料制备方法和应用环氧树脂低膨胀系数频率稳定性应力吸收剂指纹传感器酚醛树脂介电常数介电损耗介电性能原料组成促进剂低应力分散剂固化剂塑封料脱模剂阻燃剂低介可用封装

[发明专利]具有至少3层高－K介电层的模拟电容器和制造它的方法-CN200410082530.1有效
发明人：郑镛国;元皙俊;权大振;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-09-20 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01G4/00 文献下载
摘要：提供一种具有至少3层高－k介电层的模拟电容器和制造它的方法。该模拟电容器包含下电极、上电极、置于下电极与上电极之间的至少3层高－k介电层。该至少3层高－k介电层包含接触下电极的底介电层、接触上电极的顶介电层和置于底介电层与顶介电层之间的中介电层。而且，各底介电层和顶介电层是，与中介电层相比，VCC的二次系数的绝对值相对低的高－k介电层，中介电层是，与底介电层和顶介电层相比，漏电流相对低的高－k介电层。因此，由于使用至少3层高－k介电层，可以使模拟电容器的VCC特性和漏电流特性最佳。
具有至少层高介电层模拟电容器制造方法

[发明专利]双介电层场效应晶体管及其制备方法-CN202210392987.0在审
发明人：徐勇;饶锦航;高相林;严宇;戴晓菡;窦存花;陈泉桦;陈子龙;于志浩;孙华斌;吴洁 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开一种双介电层场效应晶体管及其制备方法，器件包括玻璃衬底、源漏电极、半导体层、介电层和栅极，介电层包括下方与半导体层接触的低k介电层和位于其上的高k介电层；低k介电层是将低k介电层溶液涂覆在半导体层上形成的；低k介电层溶液是将聚苯乙烯溶于有机溶剂中配置而成，聚苯乙烯的浓度为5‑20mg/mL。本发明利用双介电层结构来改善器件性能，使用低k聚合物抑制高k介电层中极化子引起的能量无序，提高界面中的电荷输运的同时，借助氧化物Al2O3作为高k介电层可有效降低器件工作电压；当低k聚合物的浓度在10‑20mg/mL范围内时，器件的阈值电压、迁移率存在最优匹配。
双介电层场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]高导热、低介电复合材料及其制备方法-CN202111221975.3在审
发明人：丘陵;许兰淑;成会明 -专利权人：清华大学深圳国际研究生院
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：一种高导热、低介电复合材料的制备方法，包括：提供氮化硼纳米片分散液和聚四氟乙烯分散液；混合氮化硼纳米片分散液和聚四氟乙烯分散液，得到混合分散液；对混合分散液进行烘干处理，得到混合浆料；及对混合浆料进行热辊压处理，得到混合膜；对混合膜进行烧结处理，得到高导热、低介电复合材料，其中，所述高导热、低介电复合材料包括聚四氟乙烯和分布于聚四氟乙烯中的氮化硼纳米片，氮化硼纳米片首尾搭接，形成若干层连续导热通路。本申请还提供一种由所述高导热、低介电复合材料的制备方法制得的高导热、低介电复合材料。本申请的高导热、低介电复合材料不仅具有较高的热导率，还具有极低的介电常数和介电损耗，以及优异的可加工性和力学性能。
导热低介电复合材料及其制备方法

[实用新型]一种人构性高介电常数的介电薄膜-CN201821214980.5有效
发明人：吴春亚;以色列·米加;李昀儒 -专利权人：美国麦可松科技有限公司
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种人构性高介电常数的介电薄膜。该介电薄膜包括多个周期性重叠的子薄膜单元，每个单元由低漏电材料的子薄膜与高介电材料的子薄膜重叠构成，每一层子薄膜的厚度均小于1nm；介电薄膜的最底层和最上层均为低漏电材料的子薄膜；低漏电材料和高介电材料的子薄膜均可以采用一种或多种不同材料；当介电薄膜采用多种不同材料时，每个子薄膜单元中，各子薄膜由最底层按漏电流先递增再递减的顺序排列，或按禁带宽度先递减再递增的顺序排列。本实用新型的人构性高介电常数介电薄膜具有高介电常数和低漏电流，可以在低温下制备得到。
子薄膜介电薄膜高介电常数漏电本实用新型高介电材料漏电流最底层递减递增最上层禁带制备

[发明专利]一种层间复合聚合物介质膜及其制备方法和应用-CN201910060299.2在审
发明人：赵月涛;周榆久 -专利权人：成都斯托瑞科技有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明复合膜包括低介电聚合物层以及高介电聚合物层；其中，所述低介电聚合物层包括：双向拉伸聚合物膜；所述高介电聚合物层包括：高介电聚合物流延成型膜。本发明层间复合聚合物介质膜既具备低介电聚合物层优异的绝缘性能和耐压性能，也类似高介电聚合物层具备较高的介电常数，同时具备较高的储能密度和较高的充放电效率，并且介电损耗也较低，是一种性能优异的有机薄膜电容器介质膜
高介电聚合物低介电聚合物介质膜制备方法和应用复合聚合物种层有机薄膜电容器充放电效率聚合物介质层间复合介电常数介电损耗聚合物膜绝缘性能流延成型耐压性能双向拉伸复合膜储能

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条