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[发明专利]一种非对称沟槽栅SiC IGBT器件及其制备方法-CN202210586128.5在审
发明人：杨雨;田晓丽;刘新宇;白云;杨成樾;王二俊;汤益丹;陈宏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明涉及一种非对称沟槽栅SiC IGBT器件，该器件通过在非导电侧P阱区(即第一阱区)上方、导电侧P型接触区制作肖特基接触，从而形成一定势垒，阻止空穴直接从接地的P阱区与P型接触区逸出，提升空穴浓度，本发明还涉及所述非对称沟槽栅SiCIGBT器件的制备方法，该制备工艺简单。
一种对称沟槽 sic igbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种新型非对称双栅隧穿场效应晶体管-CN201610251263.9有效
发明人：王颖;曹菲;王艳福;于成浩 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型非对称双栅隧穿场效应晶体管，由顶部栅电极、底部栅电极、源电极、漏电极、p型重掺杂pocket区、沟道区、第一n型重掺杂区、第二n型重掺杂区、第一高K栅介质材料、第二高K栅介质材料、二氧化硅氧化层组成本发明利用非对称栅极结构将隧穿器件陡峭的亚阈值摆幅和无结器件的较大开态电流优点相结合，当该新器件工作在亚阈值区时主要是无结器件工作，这样可以拥有更好的亚阈值特性，比如陡峭的亚阈值摆幅，而在开态时主要是无结器件工作
一种新型对称双栅隧穿场效应晶体管

[实用新型]一种阀控式铅酸蓄电池板栅-CN201820922381.2有效
发明人：邓壮;华国民;罗红卫 -专利权人：武汉法比特电源有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01M4/73 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种阀控式铅酸蓄电池板栅，包括具有方形外框的板栅体和设于方形外框内的竖筋条和横筋条，板栅体上设有极耳，所述极耳设置在方形外框顶部一侧，沿方形外框顶部一侧的极耳处至方形外框顶部另一侧呈由宽至窄的渐变结构，所述竖筋条呈非对称的放射状筋条结构。本实用新型采用上述结构，通过极耳处边框上宽下窄的渐变设计，起到节能降耗，加强板栅抗腐蚀的性能。通过非对称的放射状筋条设计，节能降耗，重点加强极耳处的放电性能。另外，本实用新型通过节点加强设计，减少板栅、极板变形。
方形外框极耳板栅本实用新型阀控式铅酸蓄电池放射状筋条节能降耗非对称竖筋条边框放电性能渐变结构上宽下窄横筋条加强板减少板抗腐蚀渐变极板变形

[发明专利]非对称平面栅超级结金属氧化层半导体场效应晶体管及其制作方法-CN201310379777.9在审
发明人：王飞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种非对称平面栅超级结金属氧化层半导体场效应晶体管，包括N型衬底上的N型外延，N型外延上部具有P阱，P阱上部靠近栅氧化膜的一侧具有N+有源区，多晶硅栅位于所述栅氧化膜的上方，其中，所述栅氧化膜下方形成有P阱、N+有源区和N型外延，深沟槽位于P阱和N+有源区远离栅氧化膜一侧的N型外延中，N+有源区与栅氧化膜和多晶硅栅在竖直方向形成有重叠区域。本发明还公开了一种非对称平面栅超级结金属氧化层半导体场效应晶体管的制作方法。本发明能使用在小尺寸P区、N区的超级结产品中，能减小器件的栅、漏的电容，提高了器件的开关特性，同时本发明的结构减小了JFET的效应，也能降低器件的导通电阻。
对称平面超级金属氧化半导体场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN201110155636.X在审
发明人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑;杨达 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成伪栅结构以及围绕所述伪栅结构的侧墙；以所述伪栅结构和所述侧墙为掩模，在所述栅极结构两侧且嵌入所述半导体衬底内形成源/漏区；在所述半导体衬底的上表面形成层间介质层，所述层间介质层的上表面与所述伪栅结构的上表面齐平；去除所述伪栅结构的至少一部分，以在所述侧墙间形成沟槽；以所述层间介质层和所述侧墙为掩模，对所述半导体衬底进行倾角离子注入，以形成非对称晕环注入区域；在所述沟槽内依次形成栅介质层和金属栅极本发明阻止了晕环注入的离子进入源/漏区内，减小了源/漏结电容；非对称晕环注入区域可以减小半导体器件的静态功率损耗。
半导体器件制备方法

[发明专利]非对称的屏蔽栅MOSFET结构及其制备方法-CN201710997761.2有效
发明人：徐承福;朱阳军 -专利权人：贵州芯长征科技有限公司;南京芯长征科技有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种非对称的屏蔽栅MOSFET结构及其制备方法，其在第一导电类型漂移层内设置第一元胞沟槽以及第二元胞沟槽，在所述第一元胞沟槽、第二元胞沟槽内均设置屏蔽栅结构；在第一元胞沟槽远离第二元胞沟槽的外侧设置第二导电类型第一基区，在第一元胞沟槽与第二元胞沟槽间设置第二导电类型第二基区，在第二元胞沟槽远离第一元胞沟槽的外侧设置第二导电类型第三基区，从而能形成非对称结构，利用所述非对称结构，能减少第一导电类型源区与第二导电类型基区的接触面积，且能提供更多的电流泄放路径，减少了第一导电类型源区下方的电流，进一步减少了寄生三极管开启的可能性，从而提高了屏蔽栅MOSFET器件的雪崩电流。
对称屏蔽 mosfet 结构及其制备方法

[发明专利]非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法及功率器件-CN201910044410.9有效
发明人：吕元杰;王元刚;冯志红;蔚翠;周闯杰;宋旭波;何泽召;梁士雄 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法及功率器件，属于微波功率器件技术领域，包括以下步骤：淀积金属掩膜层；制备第一光刻胶层；形成源区域图形和漏区域图形；在源区域图形和漏区域图形部位淀积源金属层和漏金属层；剥离去除第一光刻胶；涂覆两层光刻胶层；光刻栅腐蚀窗口图形和场板金属窗口图形，并腐蚀对应部位的金属掩膜层，淀积栅金属层和场板金属层，其中，栅金属层的两侧与对应侧未腐蚀的金属掩膜层间距不等，有效栅源间距小于有效栅漏间距的器件本发明提供的非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法，有效栅源间距小于有效栅漏间距的器件，能够兼顾饱和电流，有效提高击穿电压和工作电压，提高器件的功率密度。
对称表面沟道场效应晶体管制备方法功率器件

[发明专利]晶体管及其沟道长度的形成方法-CN201310157253.5有效
发明人：黄奕仙;杨斌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：其包括：衬底、形成在所述衬底上的耐高压半导体层、利用高压条件形成在所述耐高压半导体层中的非对称漂移区，非对称漂移区之间的距离为有效的沟道长度。非对称漂移区之间的距离为有效的沟道长度，使得比如在源端和漏端均形成漂移区，从而提高了器件的电学稳定性。另外，在形成非对称漂移区时已经定义好了器件的沟道长度，从而省去了额外对源端的外延栅氧部分进行刻蚀的光罩，从而简化了器件的制程，降低了生产成本。
晶体管及其沟道长度形成方法

[发明专利]一种非对称栅氧结构的纳米片环栅场效应晶体管-CN201910880148.1有效
发明人：王萌;王昌峰;田明;孙亚宾;石艳玲;李小进;廖端泉;曹永峰 -专利权人：华东师范大学;上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种非对称栅氧结构的纳米片环栅场效应晶体管，包括垂直堆叠的纳米片沟道，包裹在沟道外的双层栅极氧化物，设于沟道两端的源和漏，设置双层边墙，设置在底部的衬底。特征是栅极氧化物由低介电常数材料与高介电常数材料堆叠而成，以沟道长度的二分之一处为界分为靠近漏和源两部分，两部分栅氧物理总厚度一致，但靠近漏的双层栅极氧化物中，低介电常数栅极氧化物较薄，高介电常数栅极氧化物较厚，构成非对称栅氧结构的纳米片环栅场效应晶体管。本发明与现有对称型技术相比，漏端电场更低，能够有效抑制器件热载流子效应；具有更加理想的开态、关态电流和较大的电流开关比；漏端电势更稳定，抑制漏致势垒降低效应，改善短沟道特性。
一种对称结构纳米片环栅场效应晶体管

[发明专利]具有非对称传输栅沟道掺杂的像素-CN200610159235.0有效
发明人： F·P·拉马斯特;J·H·斯坦贝克;C·P·帕尔苏尔;T·E·邓甘 -专利权人：阿瓦戈科技通用IP（新加坡）股份有限公司
申请日： 2006-06-02 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在传输区域上形成栅，该栅与光电探测器部分重叠并且被配置成从光电探测器向浮动扩散传输电荷。第一导电类型的钉扎层从所述栅至少延伸跨越光电探测器。第一导电类型的沟道区域一般从该栅的中点至少延伸跨越光电探测器，该沟道区域是通过注入第一导电类型的掺杂剂而形成的，并且其浓度使得该传输区域的接近光电探测器的掺杂剂浓度高于接近浮动扩散的掺杂剂浓度。
具有对称传输沟道掺杂像素

[发明专利]具有栅控集电极的横向双极型晶体管-CN202210915316.8在审
发明人： A·德里克森;V·杰恩;J·R·霍尔特;J·辛格;杨满圭 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有栅控集电极的横向双极型晶体管和制造方法。该结构包括：外基极区，其竖直地位于半导体衬底上方，并且包括位于外基极区的相反侧壁上的非对称侧壁间隔物；集电极区，其位于半导体衬底上，并通过非对称侧壁间隔物中的至少第一间隔物与外基极区分隔开；以及发射极区，其位于半导体衬底上，并通过非对称侧壁间隔物中的第二间隔物与所述外基极区分隔开。
具有集电极横向双极型晶体管

[发明专利]非对称栅控鳍式场效应晶体管(FET)(finFET)二极管-CN201780072087.5在审
发明人：王昊;杨海宁;陈小楠 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了一种非对称栅控鳍式场效应晶体管(FET)(finFET)二极管。在一个方面，非对称栅控finFET二极管采用包括第一类型的阱区和沿着一方向被设置的鳍部的衬底。较宽的栅极区域增加了非对称栅控finFET二极管的耗尽区的长度，这减少了电流泄漏，同时避免了面积的增加。
源极/漏极区域二极管非对称栅鳍部鳍式场效应晶体管掺杂材料栅极区域电流泄漏耗尽区衬底阱区

[发明专利]成套硅基抗辐射高压CMOS器件集成结构及其制造方法-CN202110719199.3有效
发明人：朱坤峰;张广胜;杨永晖;徐青;钟怡;钱呈;张培健;杨法明;裴颖;黄磊 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开一种成套硅基抗辐射高压CMOS器件集成结构及制造方法，器件集成结构包含：对称/非对称nLDMOS、对称/非对称pLDMOS、多晶高阻、MOS电容等器件。型衬底上先形成N型埋层，生长外延层，在外延层上注入推阱形成N型和P型高压阱，其中N型高压阱形成nLDMOS漂移区和pLDMOS沟道，P型高压阱形成pLDMOS漂移区和nLDMOS沟道，生长抗辐射加固厚栅氧化层本发明制造的nLDMOS具有优异的抗总剂量辐射性能，辐射后器件具有极低器件漏电和较小阈值电压漂移量，解决了高栅压CMOS类产品辐射加固的工艺制造难题。
成套硅基抗辐射高压 cmos 器件集成结构及其制造方法

[发明专利]存储器件及其制造方法-CN200510054278.8无效
发明人：韩桢希;蔡洙杜;田尚勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-03-21 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：该存储器件包括：半导体衬底；第一杂质区和第二杂质区，其通过注入杂质到所述半导体衬底中形成；以及栅结构，其形成在所述第一杂质区与所述第二杂质区之间的所述半导体衬底上。栅结构包括具有浮栅的电介质层、及栅电极。电介质层是非对称的，并具有高效率和低功耗的电子陷阱。
存储器件及其制造方法

[发明专利]一种提高光栅谐振子检测地震波装置灵敏度的方法-CN200810053168.3无效
发明人：李淑清;李建良;南忠良;陶知非;付连昆 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2008-05-20 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： G01V1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高光栅谐振子检测地震波装置灵敏度的方法，实施步骤如下：采用非对称光栅副，该光栅副是由小栅距的指示光栅和大栅距的主光栅叠合构成；在入射光照射下，指示光栅的两主衍射级，即0级和1级，在光栅间隙之间对称传播；设指示光栅栅距为w₁，主光栅栅距为w₂，且w₂＝βw₁，β为一常数；那么检波器感受振动时，作为谐振子的主光栅与指示光栅会发生相对位移，激光器发出的光经过非对称光栅时发生衍射，主光栅位移量为w₁时，莫尔条纹明暗变化一次，移动距离为w₂时，莫尔条纹明暗变化β次，实现β倍的莫尔条纹倍增；光栅所能检测到的地震波的最大幅值
一种提高光栅谐振子检测地震波装置灵敏度方法