专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]非对称成形系统以及非对称管件的成形装置-CN201120107891.2无效
  • 张人佶;卢清萍 - 西安德威重型机电装备有限责任公司
  • 2011-04-13 - 2012-01-11 - B21C23/12
  • 本实用新型公开了一种非对称成形系统,包括:第一模;第二模,所述第二模适于与第一模接合,且接合的第一模和第二模内形成具有预定形状的模腔;适于对模腔内的毛坯材料施加非对称挤压力的至少两个成形件;以及模具平衡力施加单元,所述模具平衡力施加单元适于对第一模和第二模施加平衡力,平衡力适于平衡至少两个成形件所施加的非对称挤压力。根据本实用新型的非对称成形系统,由于在闭式型腔中成形,成形过程中的球应力高,有利于提高形成件的机械性能和内部质量,且可一次挤压形成复杂非对称结构的形成件,材料利用率高,生产率提高,且避免了管台根部因应力集中而导致缺陷产生的问题本实用新型还公开了一种非对称管件的成形装置。
  • 对称成形系统以及装置
  • [发明专利]带通滤波器-CN201310307163.X无效
  • 洪嘉和 - 富鸿康科技(深圳)有限公司;建汉科技股份有限公司
  • 2013-07-22 - 2015-02-04 - H01P1/203
  • 一种带通滤波器包括第一均匀阻抗谐振器、第二均匀阻抗谐振器、第一非对称阶梯阻抗谐振器、第二非对称阶梯阻抗谐振器、第三非对称阶梯阻抗谐振器和第四非对称阶梯阻抗谐振器。第一均匀阻抗谐振器由第一微带线和第二微带线组成,并与第二均匀阻抗谐振器呈轴对称;第一非对称阶梯阻抗谐振器由第三微带线和第四微带线组成,并与第一非对称阶梯阻抗谐振器呈轴对称;第三非对称阶梯阻抗谐振器由第五微带线和第六微带线组成,并与第三非对称阶梯阻抗谐振器呈轴对称
  • 带通滤波器
  • [发明专利]一种非对称LDMOS工艺偏差的监控结构及其制造方法-CN201210169563.4有效
  • 仲志华 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2012-05-28 - 2013-12-18 - H01L27/088
  • 本发明公开了一种非对称LDMOS工艺偏差的监控结构,包括:版图设计完全相同并列排布的两个非对称LDMOS器件,所述两个非对称LDMOS器件共P型阱区,所述共P型阱区中形成有间隔排列的N型重参杂区和P型重参杂区;所述两个非对称LDMOS器件共用一衬底引出端,所述两个非对称LDMOS源极均与共用衬底引出端通过金属硅化物以及接触孔和金属引线共接,所述两个非对称LDMOS栅极分别作为引出端,所述两个非对称LDMOS本发明还公开了一种非对称LDMOS工艺偏差监控结构的制造方法。本发明的监控结构通过测量两个设计相同的非对称LDMOS器件电学性能上的差异,判断工艺上关键层次偏差的大小。通过调整工艺的方法来减小非对称LDMOS器件的偏差,提高器件性能以及面内的均一性。
  • 一种对称ldmos工艺偏差监控结构及其制造方法
  • [发明专利]一种非对称磁性随机存储器及其磁性记忆单元读取方法-CN201610284020.5有效
  • 俞华樑;陈峻;郭一民 - 上海磁宇信息科技有限公司
  • 2016-04-29 - 2021-04-27 - G11C11/16
  • 本发明提供一种非对称磁性随机存储器,包括多个磁性记忆单元构成的阵列,磁性记忆单元包括非对称磁性隧道结,非对称磁性隧道结的低阻态到高阻态的转换电流的绝对值小于高阻态到低阻态的转换电流的绝对值,非对称磁性随机存储器还包括自参照读取模块,自参照读取模块用于根据磁性记忆单元的非对称磁性隧道结改变为高阻态的状态电压,利用非对称性读取磁性记忆单元的逻辑状态。本发明还提供一种非对称磁性随机存储器的磁性记忆单元读取方法。本发明提供的非对称磁性随机存储器及其磁性记忆单元读取方法,利用非对称磁性隧道结的磁电阻偏压依赖性,能够低能耗且更准确获取非对称磁性隧道结的状态,实现自参照的数据读取,解决了读取数据对参考电阻的标准差分布要求苛刻的而导致读取错误率高的问题
  • 一种对称磁性随机存储器及其记忆单元读取方法

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