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[发明专利]一种T型纳米栅及其制备方法-CN201911106728.1有效
发明人：顾国栋;吕元杰;敦少博;梁士雄;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件技术领域，具体公开一种T型纳米栅及其制备方法。所述T型纳米栅生长于具有三层介质钝化层的基片上，所述三层介质钝化层包括底层介质钝化层、中间介质钝化层和顶层介质钝化层；所述栅根穿过中间介质钝化层生长于基片上，且栅根与底层介质钝化层不接触，所述栅帽的下表面与中间介质钝化层的上表面接触。本发明提供的T型纳米栅的栅根悬空，不与钝化介质接触，栅帽覆盖于中间介质钝化层上，不但避免了没有介质承托造成的栅剥离时的倒栅，同时也可以减小栅寄生电容，达到了提升器件的频率特性的目的。
一种纳米及其制备方法

[发明专利]肖特基二极管及其制备方法-CN201911231606.5有效
发明人：吕元杰;刘宏宇;王元刚;周幸叶;宋旭波;梁士雄;谭鑫;冯志红;马春雷;徐森峰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上外延n型氧化镓层；在所述n型氧化镓层上制备阳极金属层；在制备了阳极金属层的n型氧化镓层上制备掩膜层；其中，所述掩膜层具有倾斜的侧壁，所述侧壁的上边缘在所述阳极金属层上的投影位于所述阳极金属层的区域内或与所述阳极金属层的边缘重合；对器件正面进行干法刻蚀，直至阳极金属层对应区域以外的掩膜层去除，在所述n型氧化镓层形成内边缘和阳极金属层的边缘重合的斜面结构；去除器件表面残留的掩膜层，对器件正面进行高温退火处理，在n型氧化层中形成热氧化处理区；制备阴极金属层。采用上述制备方法可以提高制备的器件的击穿电压。
肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]氮化镓限幅器及氮化镓限幅器的制备方法-CN202310588044.X在审
发明人：吕元杰;梁士雄;郝晓林;宋洁晶;胡泽先;刘飞飞;刘京亮;徐森锋;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03G11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓限幅器及氮化镓限幅器的制备方法。该氮化镓限幅器包括：三级限幅电路，三级限幅电路按照氮化镓限幅器的主传输线的信号传输方向依次接入主传输线；第一级限幅电路中包括2N个氮化镓PIN二极管；任意N个氮化镓PIN二极管串联，构成两个氮化镓PIN二极管串，第一氮化镓PIN二极管串的阳极端连接主传输线，阴极端接地，第二氮化镓PIN二极管串的阴极端连接主传输线，阳极端接地；第二级限幅电路中包括四个氮化镓肖特基二极管；第三级限幅电路中包括两个氮化镓肖特基二极管。本发明能够提升整个氮化镓限幅器的功率容量和击穿电压。
氮化限幅器制备方法

[发明专利]氮化镓限幅器的制备方法及氮化镓限幅器-CN202310587065.X在审
发明人：吕元杰;梁士雄;郝晓林;宋洁晶;胡泽先;刘飞飞;刘京亮;徐森锋;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓限幅器的制备方法及氮化镓限幅器。该方法包括：在N‑GaN层外延生长后在第一预设位置上刻蚀得到PIN二极管台面；在N‑GaN层上暴露区域的第二预设位置进行刻蚀，在N+GaN层上得到肖特基二极管台面；在N+GaN层上暴露区域的第三预设位置刻蚀进行台面隔离；在N+GaN层的暴露区域上制备欧姆接触；在N+GaN层和P+GaN层上的暴露区域，以及N+GaN层和N‑GaN层上的暴露区域制作电极，得到氮化镓限幅器。本发明能够通过刻蚀方式可以快速得到氮化镓限幅器，污染少，制备得到的氮化镓限幅器功率容量大、击穿电压高且性能好。
氮化限幅器制备方法

[发明专利]具有热匹配结构的太赫兹倍频器-CN201910837993.0有效
发明人：宋旭波;张立森;梁士雄;吕元杰;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03B1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有热匹配结构的太赫兹倍频器，属于太赫兹器件领域，包括金属外壳、设于金属外壳内腔中的金刚石基板、设于金刚石基板上且依次连接的输入波导结构、滤波电路结构、第一匹配电路结构、倍频芯片、第二匹配电路结构及输出波导结构，金刚石基板的上板面与倍频芯片对应的第一类压点处设有第三热膨胀适配层，金刚石基板的下板面与金属外壳内腔对应的第二类压点处设有第四热膨胀适配层。本发明提供的具有热匹配结构的太赫兹倍频器，第三热膨胀适配层和第四热膨胀适配层均选用具有较低热膨胀系数的材质，有效改善金刚石基板与倍频芯片及金刚石基板与金属外壳之间的热膨胀失配，使金刚石基板能够用于太赫兹倍频器中。
具有匹配结构赫兹倍频器

[发明专利]单边带调制系统、方法、装置及终端设备-CN202210089550.X有效
发明人：杨大宝;梁士雄;顾国栋;邢东;刘波;赵向阳;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H04L27/04 文献下载
摘要：本申请适用于太赫兹电路技术领域，提供了单边带调制系统、方法、装置及终端设备，该系统包括：相移网络功分器，用于将输入的信号分成两路信号，且两路信号相位差为45度，将两路信号输入单片集成电路；单片集成电路，用于将两路IQ低频信号和两路信号的二次倍频信号进行混频调制，得到两路上变频信号，将两路上变频信号输入射频输出波导合成器；射频输出波导合成器，用于将两路上变频信号进行同相合成，同相合成后的信号为调制后的信号，输出调制后的信号。本申请通过单片集成电路处理输入信号和相移网络功分器对太赫兹信号进行功分和幅度相位的控制，可以提高单边带调制器的性能，获得与现有技术相比更高的频谱利用率和上变频输出功率。
单边带调制系统方法装置终端设备

[发明专利]肖特基二极管的制备方法-CN201911013284.7有效
发明人：王元刚;冯志红;吕元杰;刘宏宇;周幸叶;谭鑫;宋旭波;梁士雄 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管的制备方法。该方法包括：在衬底上外延n型氧化镓层；在所述n型氧化镓层上制备第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层位于待制备的氮离子处理区以外所对应的区域；对器件正面进行等离子体表面处理，形成氮离子处理区；其中，处理气体为氮气或含氮元素的化合物；去除所述第一掩膜层；制备正面阳极金属层和背面阴极金属层；其中，所述阳极金属层的左右边缘位于所述氮离子处理区所对应的区域内，且所述阳极金属层下方对应的区域包含所述氮离子处理区以外所对应的区域。上述方法可以优化阳极结处电场，提高器件的耐高压特性并兼顾导通特性。
肖特基二极管制备方法

[发明专利]单面石英鳍线双二极管太赫兹平衡式二次倍频电路-CN201710392372.7有效
发明人：王俊龙;冯志红;房玉龙;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;徐鹏;邢东 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种单面石英鳍线双二极管太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、两个反向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板上的前侧鳍线与后侧鳍线；两个所述肖特基二极管的一端与前侧鳍线电连接，两个所述肖特基二极管的另一端与后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路使得射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单，且可以承受大功率输入，提高输出功率。
单面石英鳍线二极管赫兹平衡二次倍频电路

[发明专利]一种双T型纳米栅及其制备方法-CN201911107664.7有效
发明人：顾国栋;吕元杰;敦少博;梁士雄;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件技术领域，具体公开一种双T型纳米栅及其制备方法。所述双T型纳米栅生长在具有介质钝化层的基片上，所述介质钝化层包括底层介质钝化层和顶层介质钝化层；所述双T型纳米栅自下而上依次包括栅根、栅腰和栅帽；其中，所述栅根穿过介质钝化层生长于基片上，且栅根与底层介质钝化层不接触，所述栅腰的下表面与顶层介质钝化层的上表面接触。本发明提供的双T型纳米栅栅根和栅帽悬空，不与介质钝化层接触，栅腰覆盖在顶层介质钝化层上，增加了双T型栅的稳定性，而且，双T型结构增加了栅帽与介质钝化层之间的距离，有利于进一步减小寄生电容，同时避免了没有介质承托造成的栅剥离时的倒栅，达到了提升器件的频率特性的目的。
一种纳米及其制备方法

[发明专利]一种斜栅型氧化镓场效应晶体管及制备方法-CN202110125791.0有效
发明人：吕元杰;刘宏宇;徐森峰;王元刚;付兴昌;梁士雄;郭红雨;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种斜栅型氧化镓场效应晶体管及制备方法。所述斜栅型氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在所述衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在所述n型氧化镓沟道层两端的源电极和漏电极、以及设置在所述源电极和漏电极之间的栅电极；还包括：p型介质层，形成在所述n型氧化镓沟道层与所述栅电极之间，所述p型介质层的厚度由靠近所述源电极一侧向靠近所述漏电极一侧逐渐变薄。本发明提供的斜栅型氧化镓场效应晶体管不仅可以有效平滑沟道电场分布，有效抑制沟道尖峰电场强度，进而大幅改善器件击穿电压，而且可以保持低的沟道电阻，从而有效降低氧化镓MOSFET的导通电阻。
一种斜栅型氧化场效应晶体管制备方法

[发明专利]基于MEMS工艺的220GHz太赫兹发射机-CN201710368617.2有效
发明人：冯志红;王俊龙;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;邢东;徐鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H04B1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS工艺的220GHz太赫兹发射机，涉及太赫兹技术领域。所述发射机包括通过MEMS工艺制作的Si基镀金盒体和位于所述盒体内的发射机电路，所述Si基镀金盒体包括位于内侧的Si壳体和位于Si壳体外侧的金属镀层。所述发射机的盒体采用MEMS工艺实现的Si盒体，通过镀金实现和金属相同的功能，质量轻，大大降低了发射机的重量，且采用MEMS工艺，系统集成度更高。
基于 mems 工艺 220 ghz 赫兹发射机

[发明专利]吸收层与倍增层为分离结构的紫外探测器及其制备方法-CN201910837328.1有效
发明人：周幸叶;吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;梁士雄;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种吸收层与倍增层为分离结构的紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器包括：衬底；第一外延层，位于所述衬底上，所述第一外延层为重掺杂外延层；倍增层，位于所述第一外延层上，所述倍增层的掺杂浓度由下至上增加；吸收层，位于所述倍增层上，所述吸收层的掺杂浓度由下至上减小；欧姆接触层，形成于所述吸收层中，所述欧姆接触层的上表面不低于所述第三外延层的上表面，且，所述欧姆接触层的下表面高于所述第三外延层的下表面；上电极层，位于所述欧姆接触层上。本申请可以降低隧穿效应导致的暗电流，提高紫外探测器的信噪比。
吸收倍增分离结构紫外探测器及其制备方法

[发明专利]肖特基二极管及其制备方法-CN201911231350.8有效
发明人：王元刚;吕元杰;冯志红;刘红宇;宋旭波;周幸叶;谭鑫;梁士雄;韩婷婷 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管及其制备方法。该方法包括：在衬底上外延n型氧化镓层；在所述n型氧化镓层上制备第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层的窗口为待制备的热氧化处理区所对应的区域，其中，所述热氧化处理区包括至少一个第一热氧化区和两个第二热氧化区；对器件正面进行第一高温退火处理，形成热氧化处理区；去除所述第一掩膜层；制备正面的阳极金属层和背面的阴极金属层；其中，所述第一热氧化区位于阳极金属下方，每个第二热氧化区部分位于阳极金属下方。上述方法可以通过热氧化形成终端结构，降低阳极金属下方及边缘区电场，从而降低阳极反向漏电，改善击穿和导通特性。
肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]双面石英鳍线太赫兹平衡式二次倍频电路-CN201710393311.2有效
发明人：王俊龙;冯志红;房玉龙;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;徐鹏;邢东 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面石英鳍线太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、两个肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板正反面的前侧鳍线与后侧鳍线；位于正面的所述肖特基二极管的一端与正面的前侧鳍线电连接，位于正面的所述肖特基二极管的另一端与正面的后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路使得射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单；且石英电路采用双面电路，在正反两面均放置反向串联的肖特基二极管，可提高倍频效率，提高输出功率。
双面石英鳍线赫兹平衡二次倍频电路

[发明专利]单面石英鳍线单二极管太赫兹平衡式二次倍频电路-CN201710393300.4有效
发明人：王俊龙;冯志红;房玉龙;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;徐鹏;邢东 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种单面石英鳍线单二极管太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、反向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板上的前侧鳍线与后侧鳍线；所述肖特基二极管的一端与前侧鳍线电连接，所述肖特基二极管的另一端与后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路与传统平衡式倍频电路相比，输入输出波导过渡均采用鳍线过渡，使得射频输入输出波导可以在同一直线上。
单面石英鳍线二极管赫兹平衡二次倍频电路

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