“非对称栅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1658010个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110397617.1有效
发明人：田矢真敏;石田浩;熊谷裕弘 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述半导体器件包括在半导体衬底上设置的非对称场效应晶体管，所述非对称场效应晶体管中的第一栅绝缘层的厚度在60nm以上，且第一栅绝缘层在第一源区一侧比第一栅极增宽形成扩展绝缘部，所述非对称场效应晶体管包括形成于所述半导体衬底内且位于扩展绝缘部下方的源极扩展区，所述源极扩展区连接第一源区和沟道区，有助于减小非对称场效应晶体管的阈值电压的离差，使晶体管特性稳定。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成电路装置、存储装置及其制造方法-CN201010273138.0有效
发明人：潘瑞彧;黄仲仁;沈明辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路装置、存储装置及其制造方法，包括具有较佳抗反向穿隧能力的浮置栅存储单元的一浮置栅结构的电路与方法。该存储装置包括一浮置栅设置于包括一浮置栅的一半导体基板之上，并形成有一电荷捕捉介电层与一控制栅。此浮置栅结构具有垂直侧壁，其一侧邻近于一源极区以及一侧邻近于一漏极区。于浮置栅结构的源极侧与漏极侧的侧壁上皆形成有一对称侧壁介电层。一非对称侧壁介电层则仅形成于漏极侧侧壁之上。本发明使用位于漏极侧侧壁上的此非对称侧壁介电层具有较佳的抗反向穿隧能力。
集成电路装置存储及其制造方法

[发明专利]非对称结构声波传感器探头及水听器-CN201310273993.5有效
发明人：倪家升;赵燕杰;王昌;张晓磊;张发祥;孙志慧;陈玉 -专利权人：山东省科学院激光研究所
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G01H9/00 文献下载
摘要：一种非对称结构声波传感器探头器，它包括外部防护套管，其特征是在外部防护套管表面设置有镂空声波窗口，在外部防护套管内部设置消音套管，分布反馈式光纤激光器光纤光栅部穿过消音套管安装固定在外部防护套管内部，消音套管自由端的端面位置与分布反馈式光纤激光器相移光栅中心对称轴线对齐；分布反馈式光纤激光器光纤光栅部按照相移位置分为左栅区与右栅区，左栅区完全插入到消音套管内，右栅区完全暴露在声波场内。一种水听器，其特征是它包括由泵浦光源，波分复用器以及非对称结构声波传感器探头组成的分布反馈式光纤激光器工作光路；泵浦光源与WDM泵浦端连接，WDM公共端与非对称结构声波传感器探头连接，产生的激光通过WDM
对称结构声波传感器探头水听器

[发明专利]一种带有非对称叶栅结构的高效紧凑型混合器-CN201910827856.9在审
发明人：范育新;赵世龙;刘天池 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： B01F5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有非对称叶栅结构的高效紧凑型混合器，包括掺混腔及连通掺混腔的多通道多方向进口；其中，所述掺混腔内布置有非对称叶栅结构，且掺混腔的出口依次连通有一级突然收缩段、二级突然收缩段。本发明充分利用多通道、多方向的来流条件，掺混气由两股增至多股，工程应用更为广泛；掺混腔内加入非对称叶栅结构，增大气流腔内湍流强度，加大多股气流间传质传热能力；由两级突然收缩段进行整流，快速在短距离内降低湍流度
掺混腔叶栅结构非对称收缩段多股气流多方向多通道掺混混合器高效紧凑型传质传热工程应用工作故障紧凑空间气流湍流速度分布依次连通流条件气流腔湍流度湍流流体多股两级连通进口出口

[发明专利]一种非对称双栅无结场效应晶体管-CN201610332888.8有效
发明人：王颖;孙玲玲;唐琰;曹菲 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型非对称双栅无结场效应晶体管，包括顶部栅极、底部栅极、源区、漏区、栅介质层、沟道重叠区、沟道非重叠区；其中，所述顶部栅极与底部栅极位于沟道上下位置，并且为非对称结构；顶部栅极与底部栅极存在重叠区域沟道重叠区；沟道重叠区位于沟道非重叠区之间，源区、漏区位于沟道非重叠区的两侧，顶部栅极与沟道之间、底部栅极与沟道之间分别设有栅介质层。本发明利用非对称栅极结构，在器件开启时可以拥有更小的沟道长度，而在关闭时拥有较长的沟道长度。这样的结构特点可以保证新型器件在关闭时拥有更好的关闭电流，以及更大的栅极控制能力。
一种新型对称双栅无结场效应晶体管

[发明专利]MOSFET及其制造方法-CN201610566545.8有效
发明人：陈瑜 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET，源区和所述漏区具有非对称的结构：漏区的横向结深大于所述源区的横向结深，漏区的纵向结深大于源区的纵向结深；通过增加漏区的横向结深和纵向结深来提高器件的击穿电压，通过减少源区的横向结深和纵向结深来减少器件的横向尺寸；栅介质层具有非对称的结构：栅介质层包括横向连接的第一栅介质段和第二栅介质段；第一栅介质段的厚度大于第二栅介质段的厚度；通过增加第一栅介质段的厚度减少器件的GIDL效应，通过减少第二栅介质段的厚度增加器件的驱动电流
mosfet 及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管制造方法-CN200910196129.3有效
发明人：董耀旗 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：暴露出部分所述第一介质层；进行重型离子注入，改变暴露出来的所述第一介质层的刻蚀速率；去除所述掩膜层，并基于所述第一介质层中不同的刻蚀速率，以湿法刻蚀在所述第一介质层中形成台阶；基于所获得的第一介质层台阶，形成非对称的栅介质层；在所述非对称栅介质层表面形成栅极，并在所述栅极一侧、靠近具有较大厚度的所述栅介质层的衬底内形成漏极，以及在所述栅极另一侧形成源极。本发明在形成非对称的栅介质层结构时，能使器件具有良好的可靠性和生产良率。
场效应晶体管制造方法

[发明专利]用于利用栅阶梯化非对称凹陷制作半导体器件的方法-CN200610072428.2无效
发明人：金承范;金宰永 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-04-11 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：提供一种用于利用栅阶梯化非对称凹陷制作半导体器件的方法。使用对衬底具有高选择性的蚀刻气体来蚀刻有机BARC层的暴露部分，直到在有机BARC层的暴露部分之下的衬底基本暴露；蚀刻衬底的暴露部分以形成多个凹陷有源区；去除掩模和有机BARC层以暴露由凹陷有源区限定的多个突起有源区；将栅绝缘层形成在凹陷有源区和突起有源区之上；以及将非对称阶梯结构的栅形成在栅绝缘层之上，每个栅在对应的凹陷有源区和对应的突起有源区之上延伸。
用于利用阶梯对称凹陷制作半导体器件方法

[发明专利]一种非对称沟槽栅IGBT器件及其制备方法-CN202210198004.X在审
发明人：杨雨;田晓丽;刘新宇;白云;杨成樾;王二俊;汤益丹;陈宏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明涉及一种非对称沟槽栅IGBT器件，该器件通过在非导电侧P阱区(即第一P阱区)上方制作肖特基接触，从而形成一定势垒，阻止空穴直接从接地的P阱区逸出，提升空穴浓度，从而显著降低器件的正向导通压降，减少通态损耗本发明还涉及所述非对称沟槽栅IGBT器件的制备方法，该制备工艺简单。
一种对称沟槽 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]抗辐射高低压兼容模拟CMOS器件集成结构及其制造方法-CN202210861707.6在审
发明人：张广胜;朱坤峰;杨永晖;徐青;张培健;钱呈;钟怡;杨法明;裴颖;黄磊;任芳;邱盛 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种抗辐射高低压兼容模拟CMOS器件集成结构及其制造方法，在本发明中，采用集成抗辐射的双栅氧化层工艺，在一个衬底上同时形成低压NMOS结构、低压PMOS结构、高压对称nLDMOS结构、高压非对称nLDMOS结构、高压对称pLDMOS结构、高压非对称pLDMOS结构、多晶高值电阻结构、MOS电容结构，实现了成套抗辐射高低压兼容模拟CMOS器件集成结构，通过双栅氧化层工艺，采用了硅栅自对准注入的工艺方式，在多晶栅刻蚀之后再形成源漏，匹配全流程热预算设计，形成的低压NMOS结构和高压nLDMOS结构具有优异的抗总剂量辐射性能，辐射后器件具有极低的漏电和较小的阈值电压漂移，有效解决了宇航用抗辐射高低压CMOS
辐射低压兼容模拟 cmos 器件集成结构及其制造方法

[发明专利]一种非对称肖特基源漏晶体管及其制备方法-CN201410392235.X有效
发明人：孙雷;徐浩;张一博;韩静文;王漪;张盛东 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种结合垂直沟道和非对称肖特基势垒源/漏结构的环栅MOS晶体管，包括一个垂直方向的环状半导体沟道(4)，一个环状栅电极(6)，一个环状栅介质层(5)，一个源区(2)，一个漏区(3)，一个半导体衬底(1)；其中，源区位于垂直沟道(4)的底部，与衬底相接；漏区位于垂直沟道的顶部；栅介质层和栅电极呈环状围绕住垂直沟道；源区和漏区分别与沟道形成不同势垒高度的肖特基接触；源漏所用金属材料不同。在与现有CMOS工艺兼容并且保持了传统GAA各种优点的条件下，该结构利用非对称肖特基势垒源/漏结构减小了漏电流、简化了工艺要求，并利用垂直沟道、环形栅结构突破了集成加工光刻极限限制，提高了集成度。
一种对称肖特基源漏晶体管及其制备方法

[实用新型]一种带有非对称叶栅结构的高效紧凑型混合器-CN201921453950.4有效
发明人：范育新;赵世龙;刘天池 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： B01F5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有非对称叶栅结构的高效紧凑型混合器，包括掺混腔及连通掺混腔的多通道多方向进口；其中，所述掺混腔内布置有非对称叶栅结构，且掺混腔的出口依次连通有一级突然收缩段、二级突然收缩段。本实用新型充分利用多通道、多方向的来流条件，掺混气由两股增至多股，工程应用更为广泛；掺混腔内加入非对称叶栅结构，增大气流腔内湍流强度，加大多股气流间传质传热能力；由两级突然收缩段进行整流，快速在短距离内降低湍流度
一种带有对称结构高效紧凑型混合器

[发明专利]基于上下非对称栅状电极的光电导型光电探测器-CN201910491852.8有效
发明人：李宇波;周虹阳;华飞;楼正杰;汪小知;杨杭生 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于上下非对称栅状电极的光电导型光电探测器。包括由下至上依次叠置而成的绝缘衬底、Ti金属电极、氮化硼薄膜和两个栅状电极，绝缘衬底上表面覆盖有氮化硼薄膜和Ti金属电极，Ti金属电极整体包裹于氮化硼薄膜内，两个栅状电极分别为正栅电极和负栅电极，正栅电极和负栅电极分别位于氮化硼薄膜上表面两侧在三个电极通电的情况下，Ti金属电极与两个非对称的金属电极之间形成合适的电场，可以改变光电探测器的响应幅度和响应时间，结合氮化硼薄膜特殊的光电特性，实现一种高性能光电探测机制。
基于上下对称电极电导光电探测器

[发明专利]高压非对称晶体管结构及其制备方法-CN201010563164.7无效
发明人：苗彬彬;熊涛;金峰 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低工艺成本的新型的厚栅氧高压非对称晶体管结构，为将高压非对称晶体管源级的注入拉离栅极，并增加一次高压漂移区的注入。本发明还公开了一种高压非对称晶体管的制备方法。
高压对称晶体管结构及其制备方法

[实用新型]具有非对称后退阱和背栅的SOI器件-CN201520575137.X有效
发明人：朱慧珑;张严波;钟健 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种具有非对称后退阱和背栅的SOI器件。SOI层；在SOI衬底上形成的半导体器件，包括位于SOI层中的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区；在SOI层中形成的位于沟道区下方的后退阱，其中后退阱偏向源区或漏区一侧；以及在基底衬底中形成的背栅，其中，背栅与后退阱电耦合。根据本公开的实施例，可以在SOI衬底中形成非对称RW。利用这种RW，可以在沟道区形成较薄的耗尽层，尽管SOI层可能较厚。
具有对称后退 soi 器件