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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁存储器件及其操作和制造方法-CN200510092762.X有效
发明人：卢振瑞;金泰完;金洪奭;金恩植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-08-23 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：该磁存储器件包括具有圆柱形状和共轴形成的元件的MTJ(磁性隧道结)层。该MTJ层包括：被施加写电流的导电层、共轴形成在该导电层周围的绝缘层、以及形成在该绝缘层周围的材料层，该材料层与该导电层共轴并且具有多个磁层。该材料层至少包括沿该导电层顺序堆叠的下磁层、隧穿层和上磁层。
磁存储器及其操作制造方法

[发明专利]包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管-CN201310221610.X有效
发明人：许镇盛;朴晟准;卞卿溵;D.徐;宋伣在;李载昊;郑现钟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管(TFET)。该TFET包括在基板上的第一电极；在第一电极上的半导体层；在半导体层上的石墨烯沟道，该石墨烯沟道朝向与第一电极相邻的第一区域延伸；在石墨烯沟道上的第二电极，该第二电极在第一区域上；覆盖石墨烯沟道的栅绝缘层；以及在栅绝缘层上的栅电极。第一电极和石墨烯沟道设置为彼此面对，半导体层设置在其间。
包括石墨沟道场效应晶体管

[发明专利]非易失性存储单元及具有非易失性存储单元的存储器阵列-CN200910006934.5无效
发明人：吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-01-04 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明披露非易失性存储单元及具有非易失性存储单元的存储器阵列，上述这些存储单元包含：半导体基板，其具有设置于该基板的表面下且由通道区分离的源极区及漏极区；隧道介电结构，其设置于该通道区上，该隧道介电结构包含具有小空穴穿隧势垒高度的至少一层；电荷储存层，其设置于该隧道介电结构上；绝缘层，其设置于该电荷储存层上；及栅极电极，其设置于该绝缘层上。
非易失性存储单元具有存储器阵列

[发明专利]电容器结构及其制备方法-CN201810415556.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种电容器结构，包括：下极板，连接有下电极；上极板，连接有上电极；高电介质膜层结构，位于上极板与下极板之间；绝缘层，覆盖于下电极的表面，且绝缘层上设置有显露下电极的开口，其中，下极板经由开口与下电极相连接，且高电介质膜层结构的端部、上极板的端部以及上电极的端部分别通过绝缘层与下电极绝缘隔开。通过本发明的方案，高电介质膜层结构可以在电容介电层厚度不变的情况下，缩小等效氧化层的厚度，还可以在保持或缩小等效氧化层厚度的同时，有足够的物理厚度来限制量子隧穿效应的影响，防止漏电流增大从而导致器件失效
下电极绝缘层高电介质膜层结构上极板下极板等效氧化层电容器结构电极开口量子隧穿效应电容介电层器件失效漏电流隔开绝缘制备显露覆盖

[发明专利]半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法-CN202010984502.8在审
发明人：丁相勋;洪祥准;沈善一;金坰显;文彰燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：该半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括依次堆叠在包括单元阵列区域和延伸区域的衬底上的水平电极、以及在水平电极之间的水平绝缘层。每个垂直结构包括沟道层以及依次堆叠在沟道层的侧壁上的隧穿绝缘层、电荷存储层和阻挡绝缘层。第一垂直结构的电荷存储层包括电荷存储图案，电荷存储图案在垂直于衬底的顶表面的方向上彼此间隔开且水平绝缘层插置在其间。第二垂直结构的电荷存储层沿着水平电极的侧壁和水平绝缘层的侧壁延伸。
半导体存储器件制造方法

[发明专利]半导体存储器及其形成方法-CN200610147431.6有效
发明人：张璋炎 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-18 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极形成方法，包括依次在半导体衬底上形成隧穿绝缘层、第一多晶硅层、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和第二多晶硅层，所述第一层间绝缘层为富－氧氮化硅，所述第二层间绝缘层为高k介质。本发明通过采用高－k材料作为第二层间绝缘层来替代现有技术中的ONO中的氮化硅和氧化硅，高－k材料的介电常数比氧化硅的要高，因此可以将高－k材料的厚度减小，从而减小存储单元的面积，而同时在第一层间绝缘层和浮栅之间保持较高的耦合比
半导体存储器及其形成方法

[发明专利]隧穿场效应晶体管-CN201880076199.2在审
发明人：加藤公彦;高木信一;竹中充;田畑仁;松井裕章 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：根据本公开实施方式的隧穿场效应晶体管包括：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，其在第一区域中与第一半导体层实现异质结；栅极绝缘层，其在第一区域中覆盖第二半导体层；栅极电极层，其覆盖栅极绝缘层；第一电极层，其与第一半导体层电连接；第二电极层，其与第二半导体层电连接；和第一绝缘层，其在第二电极层侧与第一区域相邻的第二区域中被夹在第一半导体层与第二半导体层之间。
场效应晶体管

[发明专利]非易失性存储器的制造方法-CN200810002644.9有效
发明人：王嗣裕;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-01-14 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：该存储器包括方法：形成绝缘材料层于基板上；形成电荷储存材料层于该绝缘材料层上；形成多层隧穿介电材料于该电荷储存材料层上；形成栅极电极材料层于该多层隧穿介电材料上；以及蚀刻该绝缘材料层、该电荷储存材料层、该多层隧穿介电材料及该栅极电极材料层，以形成存储器结构。在该绝缘材料层形成前或形成后，进行等离子体氮化工艺，或者在含氮气体的环境中进行热氮化工艺。
非易失性存储器制造方法

[发明专利]一种NOR型浮栅存储器及制备方法-CN201710329844.4在审
发明人：冯骏 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种NOR型浮栅存储器及制备方法，包括：衬底；形成在衬底上方的多个凹槽；形成在衬底表面的源极、漏极与沟道区，源极和漏极分别位于凹槽的两侧，沟道区沿所述凹槽的表面排布；形成在沟道区上方的隧穿氧化层和浮栅，形成在浮栅侧壁的侧壁绝缘层；形成在源极和所述漏极上方的隔离绝缘层；形成在隔离绝缘层、侧壁绝缘层和浮栅上方的层间绝缘层；形成在层间绝缘层上方的控制栅；形成在控制栅上方的字线；源极和漏极复用为位线。
浮栅存储器漏极源极沟道区制备侧壁绝缘层层间绝缘层隔离绝缘层控制栅衬底浮栅减小短沟道效应隧穿氧化层凹槽结构衬底表面浮栅侧壁沟道图形复用沟道排布位线字线三维制作

[实用新型]一种NOR型浮栅存储器-CN201720520438.1有效
发明人：冯骏 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种NOR型浮栅存储器，包括衬底；形成在衬底上方的多个凹槽；形成在衬底表面的源极、漏极与沟道区，源极和漏极分别位于凹槽的两侧，沟道区沿所述凹槽的表面排布；形成在沟道区上方的隧穿氧化层和浮栅，形成在浮栅侧壁的侧壁绝缘层；形成在源极和所述漏极上方的隔离绝缘层；形成在隔离绝缘层、侧壁绝缘层和浮栅上方的层间绝缘层；形成在层间绝缘层上方的控制栅；形成在控制栅上方的字线；源极和漏极复用为位线。
一种 nor 型浮栅存储器

[发明专利]与非闪存装置的制造方法-CN200710006135.9无效
发明人：李秉起 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-01-31 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：在第一和第二隔离结构之间提供隧穿介电层、第一导电层、第一绝缘层和第二绝缘层。去除第一和第二绝缘层以暴露第一导电层。在第一导电层上形成第一和第二垂直延伸部分以形成U形结构。形成介电层和第二导电层以形成包括第一导电层、介电层和第二导电层的栅极结构。
闪存装置制造方法

[发明专利]一种基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器及其制备方法-CN202111126591.3在审
发明人：张国成;马超;邢俊杰;秦世贤;陈惠鹏;郭太良 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器及其制备方法，该存储器采用底栅顶接触的晶体管结构，器件自下而上依次是透明衬底和透明栅极，绝缘层、浮栅层、隧穿层、有机半导体层及透明源漏电极。透明聚合物绝缘薄膜或金属氧化物绝缘薄膜，电荷捕获层和薄的聚合物绝缘薄膜(隧穿层)以及有机半导体聚合物薄膜，最后采用喷涂的方法制备碳纳米管电极。
一种基于薄膜晶体管柔性透明存储器及其制备方法

[发明专利]一种新型片上微型真空传感器及其制造方法-CN202310008831.2在审
发明人：魏贤龙;詹芳媛 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种新型片上微型真空传感器及其制造方法，其包括衬底，位于所述衬底表面的由氧化物或氮化物构成的绝缘材料层，部分或全部位于所述绝缘材料层上面的电极对，所述绝缘材料层经施加电压软击穿后内部或表面形成电子隧穿结，电极对与电子隧穿结中的导电区域接触。此片上微型真空传感器的工作原理是，电极对用于驱动电子隧穿结中产生传导电流，在驱动电压作用下，电子隧穿结的宽度随气压而动态变化，通过隧穿结的传导电流随气压增大而衰减，因此可以通过读取不同压强下隧穿结的电阻值来测量压强大小
一种新型微型真空传感器及其制造方法

[发明专利]一种基于二硒化铂和锗的异质结及光电探测器、及其制备方法-CN202211681298.8在审
发明人：徐明生;朱清海;陈叶馨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二硒化铂和锗的异质结及光电探测器、及其制备方法，该异质结及其光电探测器在二硒化铂和锗层之间存在一薄层的超薄绝缘层，该绝缘层能够提高异质结界面势垒，作为隧穿层可以调控电荷输运特性，同时能够钝化锗界面态为了防止锗衬底在铂薄膜硒化过程中生成硒化锗，本发明还公开了在该异质结结构的锗衬底背面制备绝缘层，从而形成二硒化铂/超薄绝缘层/锗/背面绝缘层的异质结结构。
一种基于二硒化铂异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种具有集成隧穿二极管的超结功率MOSFET-CN201910373014.0有效
发明人：李平;郭经纬;林智;胡盛东;唐枋 -专利权人：重庆大学
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有集成隧穿二极管的超结功率MOSFET，属于半导体功率器件领域。该MOSFET包括：漏端电极、N型衬底、N型掺杂区、绝缘层Ⅰ、P型掺杂区Ⅰ、P型掺杂区Ⅱ、N+掺杂区Ⅰ、P+掺杂区Ⅰ、栅氧化层、多晶硅栅、源端电极、P+掺杂区Ⅱ、N+掺杂区Ⅱ、绝缘层Ⅱ和浮空电极。
一种具有集成二极管功率 mosfet

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