“隧穿绝缘层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3249236个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]磁性随机存取存储器结构-CN202210471877.3在审
发明人：朱中良;王裕平;陈昱瑞 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种磁性随机存取存储器(magnetic random access memory，MRAM)结构，包含一晶体管，包含有一栅极、一源极以及一漏极，一磁性隧穿介面(magnetic tunneljunction，MTJ)元件，至少包含有一自由层、一绝缘层以及一固定层，其中该绝缘层位于该自由层以及该固定层之间，该自由层位于该绝缘层之上，其中该MTJ元件的该自由层与一位线(bit line，BL)电连接，该MTJ元件的该固定层与该晶体管的该源极电连接，该晶体管的该漏极电连接一感测线(sense line，SL)，以及一第一导电通孔(via)，直接接触该MTJ元件，其中该第一导电通孔的材质包含钨
磁性随机存取存储器结构

[发明专利]磁性随机存取存储器结构-CN201810794914.8有效
发明人：朱中良;王裕平;陈昱瑞 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种磁性随机存取存储器(magnetic random access memory，MRAM)结构，包含一晶体管，包含有一栅极、一源极以及一漏极，一磁性隧穿介面(magnetic tunneljunction，MTJ)元件，至少包含有一自由层、一绝缘层以及一固定层，其中该绝缘层位于该自由层以及该固定层之间，该自由层位于该绝缘层之上，其中该MTJ元件的该自由层与一位线(bit line，BL)电连接，该MTJ元件的该固定层与该晶体管的该源极电连接，该晶体管的该漏极电连接一感测线(sense line，SL)，以及一第一导电通孔(via)，直接接触该MTJ元件，其中该第一导电通孔的材质包含钨
磁性随机存取存储器结构

[发明专利]磁性随机存取存储器结构-CN202011414106.8有效
发明人：朱中良;王裕平;陈昱瑞 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明公开一种磁性随机存取存储器(magnetic random access memory，MRAM)结构，包含一晶体管，包含有一栅极、一源极以及一漏极，一磁性隧穿介面(magnetic tunnel junction，MTJ)元件，至少包含有一自由层、一绝缘层以及一固定层，其中该绝缘层位于该自由层以及该固定层之间，该自由层位于该绝缘层之上，其中该MTJ元件的该自由层与一位线(bit line，BL)电连接，该MTJ元件的该固定层与该晶体管的该源极电连接，该晶体管的该漏极电连接一感测线(sense line，SL)，以及一第一导电通孔(via)，直接接触该MTJ元件，其中该第一导电通孔的材质包含钨
磁性随机存取存储器结构

[发明专利]闪存器件及其制造方法-CN201710172130.7在审
发明人：禹国宾;徐小平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：其中，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底、在所述衬底上的绝缘层和在所述绝缘层上的至少一个叠层结构，所述叠层结构由下向上依次包括电荷存储层、隧穿介质层、电荷捕获层、阻挡介质层和栅极层；执行选择性氮化处理，以在所述电荷存储层和所述栅极层暴露的表面形成氮化物层；在所述叠层结构的侧面形成隔离区。
叠层结构闪存器件绝缘层电荷存储层衬底结构栅极层衬底半导体技术领域电荷捕获层隧穿介质层选择性氮化表面形成氮化物层阻挡介质阈值电压隔离区增大的制造侧面暴露期望

[发明专利]存储元件和存储器-CN200610131712.2无效
发明人：鹿野博司;细见政功 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储元件，包括：存储层，其基于磁体的磁化状态保持信息；上被钉扎磁层，设置在该存储层上，其间有上中间层；以及下被钉扎磁层，设置在该存储层下，其间有下中间层，其中该上中间层和下中间层之一是形成隧穿势垒的绝缘层；另一个中间层是包括绝缘层和非磁导电层的叠层；且通过使电流沿所述叠层方向流过所述存储元件来改变所述存储层的磁化方向，从而能够在该存储层上记录信息。
存储元件存储器

[发明专利]非单一衬底绝缘层厚度的高性能SOI无结晶体管-CN201410742658.X在审
发明人：靳晓诗;吴美乐;刘溪;揣荣岩 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种非单一衬底绝缘层厚度的高性能SOI无结晶体管，所采用的SOI晶圆绝缘层厚度在一个晶体管单位长度内不为单一值，本发明通过适当增加源区、漏区附近的SOI晶圆的绝缘层的厚度，显著降低了源区、漏区电阻本发明通过适当减薄对应于栅电极下方的SOI晶圆的绝缘层厚度，实现了衬底电压调节作用的局部增强，降低了辅助栅极控制所需要的衬底电压偏置，实现低衬底电压控制。通过优化SOI晶圆的绝缘层较厚部分和较薄部分的相对位置及尺寸，有效减小了栅电极反偏时器件沟道与漏电极交界处附近的由于带间隧穿所导致的反向泄漏电流，因此适于推广应用。
单一衬底绝缘厚度性能 soi 结晶体

[实用新型]一种MIS晶体硅太阳能电池-CN201520878065.6有效
发明人：石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MIS晶体硅太阳能电池，从下往上依次包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层、隧穿层、减反膜和Al正电极，Al背场、P型硅、N+层、隧穿层和减反膜为层叠式设置，所述隧穿层沉积在N+层上，所述减反膜沉积于隧穿层上而没沉积在Al正电极上。与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：Al正电极取代传统昂贵的Ag正电极，Al正电极-隧穿层-N+层形成MIS结构，利用MIS隧穿效应，使得N+层硅收集的电子可以完全穿透绝缘的隧穿层和Al正电极接触，从而将电子导出；Al正电极因为有隧穿层的隔离，和N+层无直接接触，不会再次形成p-n结，不会影响电池的转换效率；本实用新型可以大大降低制造成本，提升转换效率。
一种 mis 晶体太阳能电池

[发明专利]操作具有氧化/氮化多层绝缘结构非易失存储单元的方法-CN200810001908.9无效
发明人：赖二琨;施彦豪;徐子轩;李士勤;谢荣裕;谢光宇 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-01-03 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种操作存储单元的方法，该方法通过施加一正电压于栅极，而该正电压足以造成从栅极至电荷储存层的空穴发生隧穿。本方法应用的一存储单元包含一半导体层，而该半导体层具有至少二源极/漏极区域位于该半导体层表面的下方，并被一沟道区域分离。该存储单元也具有一下绝缘层位于该沟道区域的上方；一电荷储存层位于该下绝缘层的上方；一上绝缘多层结构位于该电荷储存层的上方。而该上绝缘多层结构包含一下介电层以及一氮化物层位于该下介电层的上方，以及该存储单元具有一栅极位于该上绝缘多层结构的上方。
操作具有氧化氮化多层绝缘结构非易失存储单元方法

[发明专利]浮栅存储器及其制备方法-CN202111347652.9在审
发明人：朱宝;尹睿;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种浮栅存储器，包括衬底、绝缘介质层、缓冲层、沟道层、隧穿层、源极、漏极、浮栅层、阻挡层、栅极和栅极接触材料层，所述缓冲层覆盖所述绝缘介质层背向所述衬底的一面，所述沟道层覆盖所述缓冲层背向所述绝缘介质层的一面，所述隧穿层覆盖所述沟道层背向所述缓冲层的一面的部分，所述浮栅层覆盖所述隧穿层背向所述沟道层的一面，所述阻挡层覆盖所述浮栅层背向所述隧穿层的一面，所述栅极覆盖所述阻挡层背向所述浮栅层的一面，能够利用二维材料无悬挂键的优势
存储器及其制备方法

[发明专利]一种基于范德华异质结的隧穿型光电探测器及其制备方法-CN202010615790.X在审
发明人：胡平安;高峰;张甲 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电探测技术领域，具体涉及一种基于范德华异质结的隧穿光电探测器及其制备方法，利用金属型二维材料作为载流子传输层，绝缘型二维材料作为阻挡层及隧穿层，半导体型二维材料作为光电转换材料。本器件结构从下到上依次包括：衬底(1)、金属型二维材料层(2)、绝缘型二维材料隧穿层(3)、半导体型二维材料吸光层(4)、金属电极(5)。器件工作时，绝缘型二维材料在黑暗中起到阻挡层作用，提高势垒阻止电子传输，有效降低器件暗电流；在光照射下，外加偏压使绝缘型二维材料层发生隧穿效应，成为光生载流子的传导阶梯，并发生载流子倍增效应，有效提高器件光电流
一种基于范德华异质结隧穿型光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于共振隧穿的纳米线晶体管及其制备方法-CN201910772038.3有效
发明人：赵晓松;韩伟华;郭仰岩;窦亚梅;张晓迪;吴歆宇;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种基于共振隧穿的纳米线晶体管，该纳米线晶体管包括：SOI衬底、隧穿势垒结构、源区、漏区、纳米线、栅极、源电极、漏电极、栅电极和绝缘介质层。隧穿势垒结构位于SOI衬底的埋氧化层上，源区、漏区和纳米线通过刻蚀SOI衬底的顶层硅形成，纳米线位于源区和漏区之间，源区、漏区和纳米线之间不直接连接，通过隧穿势垒结构相连接，绝缘介质层形成于源区、漏区和纳米线表面，栅极形成于纳米线上方的绝缘介质层上，源电极形成于源区上，漏电极形成于漏区上，栅电极形成于栅极上。本发明公开的基于共振隧穿的纳米线晶体管的结构及其制备方法，减小亚阈值斜率，可以实现较大的导通电流和较小的源漏接触电阻。
一种基于共振纳米晶体管及其制备方法

[发明专利]一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法-CN201410471285.7有效
发明人：缪向水;钱航;童浩 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法，包括多个垂直方向的三维NAND存储串，每一个三维NAND存储串包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的源区、漏区和沟道。
一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法

[实用新型]一种非易失性三维半导体存储器-CN201420532334.9有效
发明人：缪向水;钱航;童浩 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非易失性三维半导体存储器，包括多个垂直方向的三维NAND存储串，每一个三维NAND存储串包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的源区、漏区和沟道。
一种非易失性三维半导体存储器

[发明专利]一种纳米复合体晶体管存储器及其制备方法-CN201610915278.0在审
发明人：王穗东;高旭;徐建龙;董彬;刘杰;张精宇 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米复合体晶体管存储器及其制备方法，所述纳米复合体晶体管存储器所述存储器包括一柔性基底、一栅电极、一栅绝缘层、一电荷存储层、一隧穿绝缘层、一半导体层以及一源漏电极。其中所述电荷存储层采用由两种或两种以上材料制备的纳米复合体制成，可以有效增加电荷存储密度，性能优于其中单一材料单独作为电荷存储层的性能。所述纳米复合体晶体管存储器的制备方法工艺简单，生产成本较低。
一种纳米复合体晶体管存储器及其制备方法

[发明专利]一种应力传感器及其制备方法、应力传感装置-CN202211004631.1在审
发明人：黄景诚;陆勇;劳科特;邓鸿贵;邝淼;陈国宁;甘裕丰;李松晖;陈泽钦 -专利权人：广州碳思科技有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种应力传感器及其制备方法、应力传感装置，所述应力传感器在当上衬底或下衬底受到压力时，隧穿层的弹性绝缘突起结构发生形变，使得低方阻层与高方阻层的距离缩短而发生隧穿效应，产生隧穿电流，且隧穿电流的大小与压力的大小成正比本发明通过在高方阻层和低方阻层之间填充隧穿层代替传统的垫片结构，从而大幅度降低应力传感器的厚度，降低最小应力触发阈值下限，提高传感器灵敏度，能够实现对微弱信号的提取并有效延长传感器的寿命。
一种应力传感器及其制备方法传感装置