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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种NOR型浮栅存储器及制备方法-CN201710329509.4在审
发明人：冯骏 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种NOR型浮栅存储器及制备方法，包括：衬底；形成在衬底表面的源极、漏极与沟道区，源极和漏极分别位于沟道区的两侧；形成在沟道区上方的隧穿氧化层和浮栅；形成在浮栅侧壁的侧壁绝缘层；形成在源极和所述漏极上方的隔离绝缘层；浮栅高于所述侧壁绝缘层和所述隔离绝缘层；形成在隔离绝缘层、侧壁绝缘层和浮栅的上方的层间绝缘层；形成在层间绝缘层上方的控制栅；形成在所述控制栅上方的字线；源极和漏极复用为位线。
漏极源极侧壁绝缘层浮栅存储器隔离绝缘层沟道区控制栅浮栅制备层间绝缘层复用减小位线隧穿氧化层衬底表面存储单元浮栅侧壁器件结构衬底电阻字线

[实用新型]一种NOR型浮栅存储器-CN201720520694.0有效
发明人：冯骏 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种NOR型浮栅存储器，包括衬底；形成在衬底表面的源极、漏极与沟道区，源极和漏极分别位于沟道区的两侧；形成在沟道区上方的隧穿氧化层和浮栅；形成在浮栅侧壁的侧壁绝缘层；形成在源极和所述漏极上方的隔离绝缘层；浮栅高于所述侧壁绝缘层和所述隔离绝缘层；形成在隔离绝缘层、侧壁绝缘层和浮栅的上方的层间绝缘层；形成在层间绝缘层上方的控制栅；形成在所述控制栅上方的字线；源极和漏极复用为位线。
一种 nor 型浮栅存储器

[发明专利]一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板-CN201811350775.6有效
发明人：葛邦同;付婷婷;姚宇 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种阵列基板包括金属层、绝缘层、氧化层和半导体层，绝缘层形成于所述金属层和半导体之间；氧化层形成于所述绝缘层和半导体层之间。由于器件的比例缩小，目前器件的绝缘层一般由一层绝缘材料组成，单层绝缘材料稳定性差，界面缺陷态多，漏电流大，器件抗高压能力差，容易被金属层高电压击穿(如隧穿效应)而导致器件永久性损坏，若采用至少两个绝缘结构就能很好的避免此类问题，在半导体层和绝缘层之间增加一层氧化层作为过渡层，使界面性质连续变化，从而使半导体和氧化层之间具有较低的缺陷态密度，此外再在氧化层下面加一层高介电常数的绝缘层，避免器件击穿产生，大大提高器件稳定性。
一种阵列制作方法显示面板

[发明专利]集成电路存储单元及非易失性存储单元-CN200910006935.X有效
发明人：吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-01-04 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明披露集成电路存储单元及非易失性存储单元，上述这些存储单元包含：半导体基板，其具有设置于该基板的表面下且由通道区分离的源极区及漏极区；隧道介电结构，其设置于该通道区上，该隧道介电结构包含具有小空穴穿隧势垒高度的至少一层；电荷储存层，其设置于该隧道介电结构上；绝缘层，其设置于该电荷储存层上；及栅极电极，其设置于该绝缘层上。
集成电路存储单元非易失性

[发明专利]操作具有非易失性存储单元与存储器阵列的方法-CN200610000205.5有效
发明人：吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-01-04 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明披露存储单元连同其阵列及操作方法，上述这些存储单元包含：半导体基板，其具有设置于该基板的表面下且由通道区分离的源极区及漏极区；隧道介电结构，其设置于该通道区上，该隧道介电结构包含具有小空穴穿隧势垒高度的至少一层；电荷储存层，其设置于该隧道介电结构上；绝缘层，其设置于该电荷储存层上；及栅极电极，其设置于该绝缘层上。
操作具有非易失性存储单元存储器阵列方法

[发明专利]存储单元、存储器阵列及形成存储单元的方法-CN200610000204.0有效
发明人：王嗣裕;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-01-04 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明披露存储单元连同其阵列及操作方法，上述这些存储单元包含：半导体基板，其具有设置于该基板的表面下且由通道区分离的源极区及漏极区；隧道介电结构，其设置于该通道区上，该隧道介电结构包含具有小空穴穿隧势垒高度的至少一层；电荷储存层，其设置于该隧道介电结构上；绝缘层，其设置于该电荷储存层上；及栅极电极，其设置于该绝缘层上。
存储单元存储器阵列形成方法

[发明专利]存储单元及存储器阵列-CN200610000203.6有效
发明人：吕函庭;赖升志 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-01-04 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明披露存储单元连同其阵列及操作方法，上述这些存储单元包含：半导体基板，其具有设置于该基板的表面下且由通道区分离的源极区及漏极区；隧道介电结构，其设置于该通道区上，该隧道介电结构包含具有小空穴穿隧势垒高度的至少一层；电荷储存层，其设置于该隧道介电结构上；绝缘层，其设置于该电荷储存层上；及栅极电极，其设置于该绝缘层上。
存储单元存储器阵列

[发明专利]非易失性存储单元及具有非易失性存储单元的存储器阵列-CN200610000202.1有效
发明人：吕函庭;王嗣裕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-01-04 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明披露存储单元连同其阵列及操作方法，上述这些存储单元包含：半导体基板，其具有设置于该基板的表面下且由通道区分离的源极区及漏极区；隧道介电结构，其设置于该通道区上，该隧道介电结构包含具有小空穴穿隧势垒高度的至少一层；电荷储存层，其设置于该隧道介电结构上；绝缘层，其设置于该电荷储存层上；及栅极电极，其设置于该绝缘层上。
非易失性存储单元具有存储器阵列

[发明专利]单晶体管型磁随机存取存储器及其操作和制造方法-CN02132147.7无效
发明人：金东煜;柳寅儆;石重铉;李俊冀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2002-09-03 - 公布日： 2003-04-23 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：该单晶体管型磁随机存取存储器包括衬底、第一和第二掺杂区、栅极介电层、磁隧穿结、字线、位线和绝缘层。第一和第二掺杂区通过将掺杂剂注入到半导体衬底中形成且彼此隔离。栅极介电层形成在半导体衬底的第一和第二掺杂区之间的部分上。磁隧穿结形成在栅极介电层上。字线形成在MTJ上，并在与第二掺杂区相同方向的第一方向上延伸。位线在垂直于第一方向的第二方向上连接至第一掺杂区。绝缘层覆盖栅极介电层、MTJ和字线，以将栅极介电层、MTJ和字线与位线绝缘开。第一和第二掺杂区、栅极介电层和MTJ构成单晶体管。
晶体管随机存取存储器及其操作制造方法

[发明专利]存储器阵列及形成集成组合件的方法-CN202010222585.7在审
发明人：金柄徹;F·H·法布勒盖特;R·J·希尔;P·纳拉亚南;S·索尔斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：一些实施例包含一种具有交替绝缘层与字线层的垂直堆叠的存储器阵列。所述字线层具有控制栅极区内的导电端子端。所述控制栅极区通过包含第一绝缘材料的第一绝缘区彼此垂直间隔。所述电荷存储材料的所述片段经布置在彼此顶部上且通过包含第二绝缘材料的第二绝缘区彼此垂直间隔。所述第二绝缘材料具有与所述第一绝缘材料不同的介电常数。电荷穿隧材料沿所述堆叠垂直延伸，且邻近电荷俘获材料的所述片段。通道材料沿所述堆叠垂直延伸，且邻近所述电荷穿隧材料。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
存储器阵列形成集成组合方法

[发明专利]一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法-CN201510359744.7有效
发明人：仪明东;舒景坤;解令海;李雯;胡波;杨洁;王涛;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层，所述第一类栅绝缘层为二氧化硅/硅基片，所述半导体与第一类栅绝缘层之间从上到下依次有具有多孔结构聚合物薄膜层和纳米结构浮栅层。
一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法

[发明专利]石墨烯/三氧化二铝/砷化镓太赫兹探测器及其制作方法-CN201910865062.1在审
发明人：杨冬晓;王畅;林时胜;陆阳华;胡欣怡 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：在N型砷化镓衬底上自下而上依次有三氧化二铝绝缘层、石墨烯层，并设有第一电极以及边电极；制备方法是先在N型掺杂的砷化镓片上制作边电极及三氧化二铝绝缘层，将石墨烯转移到三氧化二铝上，使得石墨烯/三氧化二铝/砷化镓接触形成隧穿异质结；再在石墨烯上制作第一电极，得到石墨烯/三氧化二铝/砷化镓光电探测器。本发明的太赫兹光电探测器通过异质结的隧穿效应进一步优化了其器件性能，暗态电流低，且对太赫兹波段具有极高的响应度与探测度，器件工艺简单。
三氧化二铝石墨烯砷化镓绝缘层太赫兹光电探测器第一电极边电极异质结制作光电探测器太赫兹波段器件工艺器件性能砷化镓片石墨烯层隧穿效应响应度暗态衬底隧穿制备探测优化

[发明专利]一种光频响应电子隧穿结构、其制备方法和用途-CN201911167187.3有效
发明人：戴庆;李振军;李驰;白冰;陈科;周圣涵 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种光频响应电子隧穿结构、其制备方法和用途。本发明利用电子隧穿纳米绝缘层所需时间在飞秒量级的特点，并利用纳米增强结构提升天线对光频电磁波辐射吸收能量，从而实现对光频信号的检测与能量收集，增强光频响应效率，同时，可以现实红外、可见或者紫外波段的光频响应本发明光频响应电子隧穿结构具有响应时间快，像素面积在纳米尺寸量级，可广泛应用于光频探测、辐射能量收集、高分辨成像等领域的优势。
一种响应电子结构制备方法用途

[发明专利]一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法-CN202210089178.2在审
发明人：刘金营 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法，包括衬底、固定铁磁层复合结构、沟槽、绝缘隧穿势垒层、自由铁磁层、中间金属连接结构及外围金属连接结构；固定铁磁层复合结构位于衬底上，包括交替排布的绝缘层及固定铁磁层；沟槽贯穿固定铁磁层；绝缘隧穿势垒层及自由铁磁层依次位于沟槽内；中间金属连接结构位于沟槽内且覆盖自由铁磁层；外围金属连接结构位于固定铁磁层复合结构中与固定铁磁层相接触且对应设置。
一种垂直自旋转移磁性随机存储器及其制备方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN202310008233.5在审
发明人：李同规;金侑瞋;延国贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：所述装置包括沿着沟道孔的侧壁和底表面的信息储存层，信息储存层包括沿着沟道孔的侧壁和底表面的阻挡绝缘层、阻挡绝缘层上的电荷储存层和隧穿绝缘层。所述装置包括沟道孔内的信息储存层上的沟道层以及布置为填充沟道层上的沟道孔的绝缘图案。
半导体存储器装置

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