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[发明专利]一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法-CN202210941206.9有效
发明人：张长沙;周海;李佳帅;单体玮 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法，包括：在具有漂移层的碳化硅衬底上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成至少两个P型的耐压夹断区、至少一个N型的耐压区以及N+低阻导电区；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔进行离子注入，形成N+源区；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔氧化形成栅极绝缘层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔淀积金属形成源极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻栅极金属淀积区，淀积形成栅极金属层；清除所有阻挡层，在碳化硅衬底上淀积形成漏极金属层，使得其耐压特性显著提高，满足特高压输电的需求。
一种具有耐压结构碳化硅 mosfet 制造方法

[发明专利]片式熔断器阻挡层的加工方法-CN201710707408.6有效
发明人：肖晴;韩玉成;李厚忠;刘应强;彭昌文;王成;蒲蓉;王海珍 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01H69/02 文献下载
摘要：本发明涉及电子元器件制造领域，旨在解决现有技术中的印刷方框型阻挡层耗时较长，人员效率低，阻挡层易断裂，产品质量和合格率低的问题，提供一种片式熔断器阻挡层的加工方法。本发明的实施例中提供的片式熔断器阻挡层的加工方法，先采用高压力、低速度、低圈数的方法，保证阻挡层基底平滑光润，方便后续阻挡层的累加。后减小压力、提高速度、增加圈数进行印刷，将阻挡层从上窄下宽的梯形变成上下宽度一致的矩型，增强阻挡层抗物理冲击的性质，同时提高阻挡层厚度的累积速度。本发明的实施例中提供的片式熔断器阻挡层的加工方法可有效地避免阻挡层的易断裂，降低生产成本，提高产品质量和合格率。
熔断器阻挡加工方法

[发明专利]膜及其制备方法-CN201911293755.4有效
发明人：林小锋 -专利权人：苏州普希环保科技有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C09D179/08 文献下载
摘要：膜包括：基底层、设置于所述基底层表面的第一阻挡层以及设置于所述第一阻挡层表面的第二阻挡层，其中：所述第二阻挡层中包括二维纳米材料以及高分子材料。由于二维纳米材料的材料粒径属于纳米级，相较于第一阻挡层，使得第二阻挡层的致密性较高，孔径大小较小，在第一阻挡层上增加该第二阻挡层能够增加膜整体的密封性能，从而解决现有技术中的问题。
及其制备方法

[发明专利]后端结构的形成方法-CN202011292924.5有效
发明人：张超逸;梁金娥;卢光远 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种后端结构的形成方法，包括：在介质层上形成反射阻挡层，介质层形成于第一金属层上，第一金属层形成于衬底上，反射阻挡层的反射率低于第一金属层的反射率；对目标区域进行刻蚀，形成通孔，通孔底端的第一金属层暴露；在反射阻挡层和通孔的表面形成阻挡层；在阻挡层上形成第二金属层，第二金属层填充通孔；通过CMP工艺进行平坦化处理，去除通孔所在区域以外的其它区域的反射阻挡层、阻挡层和第二金属层，通孔内剩余的的阻挡层和第二金属层形成金属连线本申请通过在介质层上形成反射阻挡层，通过该反射阻挡层阻挡终端探测器穿透介质层照射到前层金属层上的光，降低了前层金属层的反射光对设备控制端的影响。
后端结构形成方法

[发明专利]半导体元件-CN201510392655.2有效
发明人：邵柏竣;洪永泰;骆统 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体元件，该半导体元件包括基底、介电层、多个第一阻挡层、多个第二阻挡层和多个导体层；其中，介电层位于基底上；第一阻挡层位于介电层中；第二阻挡层位于介电层中，且位于第一阻挡层上；导体层位于介电层中，导体层与第一阻挡层和第二阻挡层连接，且相邻两个导体层之间具有空气间隙，空气间隙的顶端至少高于导体层高度的三分之二。
半导体元件

[发明专利]显示面板、电子装置和用于制造显示面板的方法-CN202210796793.7在审
发明人：吴相训;郑震九;韩锐祗 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10K59/10 文献下载
摘要：该显示面板可以包括：基板；阻挡层，设置在基板上；光阻挡层，设置在阻挡层上并且具有限定透射区的第一开口；至少一个下绝缘层，设置在光阻挡层与阻挡层之间并且具有与第一开口重叠的第二开口；多个像素电路，设置在光阻挡层上；多个发光元件，分别电连接到多个像素电路；以及封装层，覆盖多个发光元件，其中，阻挡层包括从阻挡层的上表面凹陷并且与第二开口重叠的凹槽。
显示面板电子装置用于制造方法

[发明专利]阻挡层的形成方法和半导体器件-CN201110397291.9有效
发明人：鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种阻挡层的形成方法和半导体器件，其中阻挡层的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有介质层，所述介质层内形成有开口；在所述开口侧壁和底部形成第一阻挡层；采用倾斜离子注入工艺对所述开口侧壁的第一阻挡层进行氮离子注入；在氮离子注入的第一阻挡层表面和位于开口底部的第一阻挡层表面形成第二阻挡层。本发明实施例的阻挡层的形成方法形成的产品电学性能优良，本发明实施例的半导体器件电学性能优良。
阻挡形成方法半导体器件

[发明专利]提高耐压的横向沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法-CN202211646425.0在审
发明人：李昀佶;周海;何佳;单体玮 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高耐压的横向沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法，在碳化硅衬底上形成阻挡层，蚀刻形成沟槽；对沟槽进行氧化形成绝缘层；形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻，淀积，形成多晶硅层；形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻、离子注入，形成源区和漏区；形成阻挡层，蚀刻形成栅极区域，对栅极区域进行氧化形成栅极氧化层；形成阻挡层，蚀刻，淀积金属，形成源极金属层和漏极金属层；在碳化硅衬底上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，对栅极氧化层刻蚀到多晶硅层；进行金属淀积，形成栅极金属层，并清除所有阻挡层；结构简单，制造工艺也简单，成本较低，有效控制器件成本的情况下，在100‑650V电压领域完成碳化硅器件的应用市场拓展。
提高耐压横向沟槽碳化硅 mosfet 制造方法

[发明专利]一种增加耐压能力的碳化硅MOSFET的制造方法-CN202211003443.7有效
发明人：何佳;陈彤;张长沙;单体玮 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种增加耐压能力的碳化硅MOSFET的制造方法，在碳化硅衬底的隔离区上生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对隔离区进行离子注入，形成导电沟道区；重新生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对隔离区进行离子注入，以形成漏极源区和源极源区；在漏极源区和源极源区上分别淀积形成漏极金属层和源极金属层；重新生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，氧化形成绝缘层；重新生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，并进行刻蚀形成栅极金属淀积区；重新生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，在栅极金属淀积区淀积，形成栅极金属层，清除所有阻挡层，可以在较小的面积上实现SiC LDMOSFET的耐压能力提高。
一种增加耐压能力碳化硅 mosfet 制造方法

[发明专利]色彩转换结构、显示装置及色彩转换结构的制备方法-CN201911051110.X有效
发明人：顾杨;姜博;王涛;李静静 -专利权人：成都辰显光电有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体技术领域，公开了一种色彩转换结构，包括：衬底；位于衬底上的光阻挡层和发光子像素，光阻挡层用于界定发光子像素；发光子像素包括：位于衬底上的滤光层、以及位于滤光层远离衬底一侧的光转换层；光阻挡层包括：位于衬底上的第一光阻挡层、以及位于第一光阻挡层远离衬底一侧的第二光阻挡层；其中，第一光阻挡层与滤光层同层设置、第二光阻挡层与光转换层同层设置，且第二光阻挡层的光线反射率高于第一光阻挡层的光线反射率
色彩转换结构显示装置制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置-CN201710595680.X在审
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有预定形成栅极结构的区域；在所述预定形成栅极结构的区域依次形成功函数层和阻挡层，其中，所述阻挡层包括富氧阻挡层、富氮阻挡层和富氢阻挡层中的至少一种；在所述阻挡层上形成栅极电极层。本发明的方法，可以有效防止栅极电极层中的杂质向下扩散到阻挡层下方的其他膜层中。
阻挡层半导体器件栅极电极层电子装置栅极结构衬底半导体向下扩散富氮富氢富氧膜层制造成功

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN201610986757.1有效
发明人：邓浩;谷勋;周峰;杨小军 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种互连结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成介质层；在所述介质层内形成开口；在所述开口底部和侧壁上形成阻挡层，所述阻挡层为Si掺杂的阻挡层；在底部和侧壁形成有阻挡层的开口内填充导电材料本发明技术方案中所述开口底部和侧壁上形成的阻挡层，所述阻挡层为Si掺杂的阻挡层；之后中形成有所述阻挡层的开口内形成互连结构。由于阻挡层内掺杂有Si，Si原子能够与形成互连结构的导电材料原子反应成键，所以Si掺杂阻挡层的阻挡能力较强，能够有效的抑制导电材料原子的扩散，有利于减少介质层经时击穿现象的出现，从而有利于提高所形成互连结构的可靠性
互连结构及其形成方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310109535.8无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;冯小明 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层、阴极及封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括第一有机阻挡层、形成于所述第一有机阻挡层表面的第一无机阻挡层、形成于所述第一无机阻挡层表面的第二有机阻挡层及形成于所述第二有机阻挡层表面的第二无机阻挡层，第一无机阻挡层的材料包括氮化物、硅化物及碳化物，第二无机阻挡层的材料包括硅化物及氧化物。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN200710103965.3无效
发明人：余振华;陈海清;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-05-17 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导结构的形成方法，包括提供一基板，形成一低介电常数介电层于该基板上，形成一导线于该低介电常数介电层中，且在一含碳硅烷化学品中，热处理该导线以形成一阻挡层于该导线上。形成一衬阻挡层于开口中以形成此导线。此衬阻挡层含有与阻挡层相同的材料，在形成阻挡层前，可去除此衬阻挡层，且衬阻挡层可含有一可被硅化的金属。本发明的半导体结构的形成方法通过形成凹槽可去除介于阻挡层交界处的脆弱点，并且阻挡层可对铜导线形成良好的密封。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种屏蔽栅沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法-CN202211646476.3在审
发明人：胡臻;周海;何佳;吴玲琼 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法，包括在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层和漂移层蚀刻形成沟槽；氧化沟槽，形成绝缘层；重新形成阻挡层，蚀刻并离子注入形成屏蔽栅；重新形成阻挡层，蚀刻并离子注入形成夹断区；重新形成阻挡层，蚀刻并离子注入形成源区；重新形成阻挡层，蚀刻并离子注入形成栅极；重新形成阻挡层，蚀刻，并进行淀积，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对源区淀积，形成源极金属层；去除所有阻挡层，对碳化硅衬底进行淀积，形成漏极金属层，在不影响器件导通电阻的情况下，通过屏蔽栅结构，将栅源电容减少，可以提高器件开关速度。
一种屏蔽沟槽碳化硅 mosfet 制造方法