“阻挡层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2661177个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]有机电致发光器件及其制作方法-CN201310121394.1无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;张娟娟 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的基板、阳极层、有机发光功能层、阴极层及封装盖，所述封装盖包括第一有机阻挡层、第二有机阻挡层、第一无机阻挡层、第三有机阻挡层、第四有机阻挡层及第二无机阻挡层上述有机电致发光器件采用有机阻挡层与无机阻挡层交替设置形成在阴极层上具有防水防氧功能的封装盖，其中，有机阻挡层包括第一有机阻挡层、第二有机阻挡层、第三有机阻挡层及第四有机阻挡层，无机阻挡层包括第一无机阻挡层和第二无机阻挡层
有机电致发光器件及其制作方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制作方法-CN201310121669.1无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;张娟娟 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的基板、阳极层、有机发光功能层、阴极层及封装盖，所述封装盖包括第一有机阻挡层、第二有机阻挡层、第一无机阻挡层、第三有机阻挡层、第四有机阻挡层及第二无机阻挡层上述有机电致发光器件采用有机阻挡层与无机阻挡层交替设置形成在阴极层上具有防水防氧功能的封装盖，其中，有机阻挡层包括第一有机阻挡层、第二有机阻挡层、第三有机阻挡层及第四有机阻挡层，无机阻挡层包括第一无机阻挡层和第二无机阻挡层
有机电致发光器件及其制作方法

[发明专利]阻挡层系统、具有阻挡层系统的光电装置以及用于以连续卷绕式工艺制造阻挡层系统的方法-CN201780083056.X有效
发明人：尼尔·莫里森;乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波;海克·兰特格雷夫;斯蒂芬·海因;托比亚斯·斯托利 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：在此描述一种阻挡层系统(100)，适用于使用在光电装置中。所述阻挡层系统包含：柔性基板(101)；第一阻挡层(110)和第二阻挡层(120)，其中第一阻挡层(110)和第二阻挡层(120)构造成具有对于水/氧渗透的阻挡性质。此外，所述阻挡层系统包含设置在第一阻挡层(110)和第二阻挡层(120)之间的聚合缓冲层(115)，其中聚合缓冲层(115)构造成用以增加第一阻挡层(110)和第二阻挡层(120)之间的渗透路径长度。
阻挡系统具有光电装置以及用于连续卷绕工艺制造方法

[发明专利]具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法-CN202111463623.9在审
发明人：张骏;陈云;张毅;岳金顺 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及其制备方法，该具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、量子阱有源层、调制掺杂电子阻挡层和p型AlGaN空穴注入层，调制掺杂电子阻挡层包括交替排布的若干第一阻挡层和第二阻挡层；第一阻挡层和第二阻挡层均含Mg掺杂，且第一阻挡层的Mg掺杂浓度大于第二阻挡层的Mg掺杂浓度；或者第一阻挡层和第二阻挡层均不含Mg掺杂，在第一阻挡层与第二阻挡层的界面处进行Mg掺杂。本发明通过对电子阻挡层进行调制掺杂，提高了Mg掺杂效率，有效防止Mg向有源区扩散，提高了深紫外LED的发光效率。
具有调制掺杂电子阻挡结构深紫 led 制备方法

[发明专利]电容阻挡层结构及阻挡层结构的制备方法-CN202010757293.3有效
发明人：冯秦旭;梁金娥;邢中豪 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种MIM电容阻挡层结构及阻挡层结构的制备方法。阻挡层结构包括：依次层叠的第一应力阻挡层和第二应力阻挡层，且所述第一应力阻挡层的应力值小于所述第二阻挡层的应力值。阻挡层结构的制备方法包括提供第一氮气流量制作第一应力阻挡层；提供第二氮气流量，制作与所述第一应力阻挡层依次层叠的第二应力阻挡层。介质层结构包括介电层，所述介电层包括相对的上表面和下表面，在所述介电层的上表面和下表面上分别形成上述用于MIM电容的阻挡层结构。本申请提供了的MIM电容阻挡层结构、介质层结构及阻挡层结构的制备方法，可以解决相关技术中因应力较大导致阻挡层发生剥落的问题。
电容阻挡结构制备方法

[发明专利]用于互连结构的阻挡层及其制备方法-CN202010417817.4在审
发明人：杨弦龙;姜德新 -专利权人：广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开了用于互连结构的阻挡层，设置在互连结构的金属互连材料与电介质层之间，阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层，第一阻挡层环绕在金属互连材料外层，第二阻挡层环绕在第一阻挡层外侧。本发明提供的阻挡层，包括两层由原子层沉淀形成的阻挡层，通过两层不同材料制成的阻挡层，利用具有稳定金属性能和良好附着力的材料可以提升原有的阻挡层与金属互连材料之间的附着力，由此，可以改善现有的单层阻挡层性能较差以及由ALD和PVD形成的双阻挡层带来的高阻抗问题；进而减少从互连电流到损坏集成电路的热量，改善IC电路的RC延迟，提高IC生产的成品率。
用于互连结构阻挡及其制备方法

[发明专利]小线宽超高离子注入阻挡层工艺方法-CN201510662264.8在审
发明人：王剑;耿金鹏;戴蕴青 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种小线宽超高离子注入阻挡层工艺方法，包括：在硅片上涂布一层离子注入阻挡层；在离子注入阻挡层上然后涂布一层蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层上涂布一层光刻胶；在光刻机设备上通过曝光工艺，在光刻胶上形成具有预定线宽的光刻胶图案；通过蚀刻工艺，利用光刻胶图案在蚀刻阻挡层中刻出与光刻胶图案相应的蚀刻阻挡层图案，随后去除光刻胶；通过蚀刻工艺，利用蚀刻阻挡层图案在离子注入阻挡层中刻出与蚀刻阻挡层图案相应的离子注入阻挡层图案，随后去除蚀刻阻挡层；利用形成有离子注入阻挡层图案的离子注入阻挡层对硅片执行离子注入。
小线宽超高离子注入阻挡工艺方法

[实用新型]铝镓氮基紫外LED外延结构及紫外LED灯-CN201920142168.4有效
发明人：李光 -专利权人：深圳市洲明科技股份有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种铝镓氮基紫外LED外延结构及紫外LED灯，铝镓氮基紫外LED外延结构包括依次叠层设置的衬底、缓冲层、第一铝镓氮层、发光层、电子阻挡层、第二铝镓氮层以及氮化镓层；电子阻挡层包括厚度相等的第一铝镓氮阻挡层、第二铝镓氮阻挡层以及第三铝镓氮阻挡层，第二铝镓氮阻挡层位于第一铝镓氮阻挡层和第三铝镓氮阻挡层之间，第一铝镓氮阻挡层远离第二铝镓氮阻挡层的一面与发光层连接，第三铝镓氮阻挡层远离第二铝镓氮阻挡层的一面与第二铝镓氮层连接利用三层厚度相等的阻挡层，减弱了电子阻挡层内的压电极化效应，使得电子阻挡层的内建静电场强度减弱，避免了电子泄露。
铝镓氮阻挡层电子阻挡层铝镓氮层外延结构紫外LED 紫外LED灯厚度相等发光层本实用新型氮化镓层强度减弱压电极化缓冲层静电场衬底叠层内建三层泄露

[发明专利]有机电致发光器件及装置和制备方法-CN201910649760.8在审
发明人：孙龙;刘嵩 -专利权人：固安鼎材科技有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种有机电致发光器件，包括一个或多个发光区域，每个发光区域依次包括阴极、发光层、电子阻挡层和阳极，电子阻挡层包括第一电子阻挡层，其中至少一个发光区域的电子阻挡层还包括位于阳极和第一电子阻挡层之间的第二电子阻挡层，第一电子阻挡层由第一电子阻挡层材料组成，第二电子阻挡层包括第二电子阻挡层主材料和第二电子阻挡层客材料。
有机电致发光器件装置制备方法

[发明专利]一种有机电致发光器件和显示装置-CN202110740721.6有效
发明人：蔡明瀚;段炼;李国孟;李飞霞;刘俊;李梦真;王宏宇 -专利权人：昆山国显光电有限公司;清华大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10K50/11 文献下载
摘要：本发明提供一种有机电致发光器件和显示装置，有机电致发光器件包括阳极功能层、第一电子阻挡层、第二电子阻挡层、发光层以及阴极功能层，阳极功能层的表面包括邻接的第一区域和第二区域，第一电子阻挡层设置于第一区域，第二电子阻挡层设置于第二区域和第一阻挡层远离阳极功能层的表面，发光层设置于第二阻挡层远离阳极功能层的表面；第一电子阻挡层包括并列设置的红光电子阻挡层和绿光电子阻挡层，第二电子阻挡层为蓝光电子阻挡层；红光电子阻挡层中的红光电子阻挡材料的HOMO能级和绿光电子阻挡层中的绿光电子阻挡材料的HOMO能级均浅于蓝光电子阻挡层中的蓝光电子阻挡材料的HOMO能级。
一种有机电致发光器件显示装置

[发明专利]显示装置-CN202110879352.9在审
发明人：马振硕;白炅旼;申铉亿;李周炫;高武恂;郑震九;崔庆铉 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种显示装置包括：包括显示区域和透射区域的基板；布置在基板的显示区域中并且包括第一阻挡层和第二阻挡层的阻挡层，第二阻挡层被布置在第一阻挡层上；布置在阻挡层上的绝缘层；布置在绝缘层上的晶体管；以及连接到晶体管的发光元件，其中第一阻挡层的第一反射率小于第二阻挡层的第二反射率，并且第一阻挡层的第一吸收系数小于第二阻挡层的第二吸收系数。
显示装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110294600.X有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，在衬底上形成介质层，在介质层中形成金属互连线；在所述金属互连线上形成第一阻挡层；对所述第一阻挡层的表面进行硅化处理，形成第一富硅阻挡层；在所述第一富硅阻挡层上形成第二阻挡层，对所述第二阻挡层的表面进行硅化处理，形成第二富硅阻挡层。相应地，本发明还提供一种半导体器件，包括：衬底，位于衬底上的介质层，形成于介质层中的金属互连线；依次位于金属互连线上的第一阻挡层、第一富硅阻挡层、第二阻挡层、第二富硅阻挡层。本发明可以减小PID问题。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的形成方法及半导体器件-CN202210946421.8在审
发明人：杨弘;叶李欣;简良翰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件的形成方法及半导体器件，该形成方法包括：提供衬底，在衬底上形成隔离介质层，在隔离介质层中形成凹槽；在凹槽的槽壁和槽底形成欧姆接触层；在欧姆接触层上形成金属扩散阻挡层，金属扩散阻挡层包括致密阻挡层，致密阻挡层包括交替沉积形成的第一阻挡层和第二阻挡层，第二阻挡层含有用于弱化金属扩散阻挡层的晶界的掺杂元素，掺杂元素在交替沉积过程中掺入第一阻挡层的至少部分内；在凹槽内填充金属层，金属层形成在金属扩散阻挡层上该形成方法能够使金属扩散阻挡层的整体结构更加致密，进而改善了阻挡性能，金属扩散阻挡层能够有效抑制金属向隔离介质层中扩散迁移，从而提高了半导体器件的可靠性。
半导体器件形成方法

[发明专利]一种LED发光二极管的芯片及其制作方法-CN202310361361.8在审
发明人：褚志强;陈浩;屈世康;张志强;马闯;高洁;张振;赵倩;吴和兵;曹玉飞 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种LED发光二极管的芯片包括：电流阻挡层包括第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，第一电流阻挡层沿外延层的长度方向生长，多个第二电流阻挡层相互间隔的设置在第一电流阻挡层的一端，多个第二电流阻挡层呈预设形状排布生长；第一电流阻挡层沿远离第二电流阻挡层的方向逐渐变宽；透明导电层包括第一透明导电层和第二透明导电层，第一透明导电层生长在电流阻挡层上，第一透明导电层与第二电流阻挡层至少部分重叠，第二透明导电层生长在外延层上；金属手指电极由金属手指电极第一端至金属手指电极第二端宽度变窄，金属手指电极的宽度小于第一电流阻挡层的宽度，金属手指电极第一端的周围分布第二电流阻挡层。
一种 led 发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]一种圆形栅纵向MOSFET功率器件的制造方法-CN202210354799.9有效
发明人：张长沙;李佳帅;何佳 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种圆形栅纵向MOSFET功率器件的制造方法，在SiC衬底上外延漂移层，之后形成阻挡层，对阻挡层蚀刻形成环形阱区通孔，离子注入形成阱区；重新形成阻挡层，对阻挡层蚀刻形成环形有源区通孔，离子注入形成源区；将阻挡层清除后在漂移层上生长氧化层，形成阻挡层，对阻挡层以及氧化层蚀刻形成环形源极金属区通孔，金属淀积形成源极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层以及氧化层蚀刻形成肖特基金属区通孔，金属淀积形成肖特基金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成栅极区通孔，金属淀积形成栅极金属层；清除阻挡层，金属淀积形成漏极金属层；提高器件的电流密度，功率密度做高，充分发挥SiC器件宽禁带材料的特性。
一种圆形纵向 mosfet 功率器件制造方法