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[发明专利]混合阻挡层型Nb₃Al超导多芯线材-CN201280005602.5有效
发明人：伴野信哉;竹内孝夫 -专利权人：独立行政法人物质·材料研究机构
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01B12/10 文献下载
摘要：混合阻挡层型Nb3Al超导多芯线材，由Nb阻挡层细丝、Ta阻挡层细丝、Nb虚拟整体细丝和Nb或Ta的外皮构成。在该混合阻挡层型Nb3Al超导多芯线材中，在由Nb虚拟整体细丝形成的核心的附近的细丝区域集中配置Nb阻挡层细丝，在从Nb阻挡层细丝的外侧至Nb或Ta的外皮的内侧的外周部只配置Ta阻挡层细丝，或Nb阻挡层细丝被Ta阻挡层细丝分散而配置。
混合阻挡 nb sub al 超导线材

[发明专利]阻挡层叠层、用于制造阻挡层叠层的方法以及超高阻挡层与抗反射系统-CN201480078901.0有效
发明人： H-G·洛茨;N·莫里森;T·斯托利 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-05-16 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：提供一种阻挡层叠层。阻挡层叠层(10、20、30、40)包括依序布置的第一层(11)、第二层(12)、第三层(13)和第四层(14)。第一层(11)和第三层(13)具有至少1.9的折射率，并且第二层(12)和第四层(14)具有小于1.7的折射率。层(11至14)中的每一层都具有至少70nm的厚度。
阻挡层叠用于制造方法以及超高反射系统

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201210571794.8有效
发明人：周明杰;王平;钟铁涛;陈吉星 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，阴极上还设有保护层和阻挡层，阻挡层包括复合阻挡层、无机阻挡层和有机阻挡层，复合阻挡层、无机阻挡层和有机阻挡层形成一个基本结构，阻挡层为多个基本结构重复形成。本发明在有机电致发光器件上设置阻挡层，可有效地减少水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，提高了有机电致发光器件的寿命。
一种有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种芯片及该芯片接触孔自对准刻蚀方法-CN202011052273.2在审
发明人：孙少俊;张栋;黄鹏 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：其中，芯片包括：衬底层、硅化物阻挡层和介质层；衬底层上形成器件层；硅化物阻挡层覆盖在器件层上；硅化物阻挡层包括从器件层上依次层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，第二阻挡层与第一阻挡层之间为高刻蚀选择比；侧墙结构和第一阻挡层之间为高刻蚀选择比；介质层形成于硅化物阻挡层上。方法包括：提供上述芯片；定义出接触孔图案；进行第一次刻蚀，刻蚀去除接触孔图案位置处的介质层和第二阻挡层；使得第一次刻蚀的停止面位于第一阻挡层中；根据接触孔图案，进行第二次刻蚀，刻蚀去除接触孔图案位置处的第一阻挡层
一种芯片接触对准刻蚀方法

[发明专利]阻挡层的形成方法、三维集成器件的形成方法以及晶圆-CN201810990610.9有效
发明人：邹文;王春林;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种阻挡层的形成方法、三维集成器件的形成方法以及晶圆。所述阻挡层的形成方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有金属层；在所述金属层上依次形成第1子阻挡层至第n‑1子阻挡层，形成所述第1子阻挡层至第n‑1子阻挡层时温度大于200℃，并在所述第1子阻挡层至第n‑1子阻挡层的每一层形成之后，对所述衬底进行散热处理；以及在所述第n‑1子阻挡层上形成第n子阻挡层，所述第1子阻挡层至第n子阻挡层共同构成阻挡层；其中，n≥2，且，n为整数。本发明可降低在晶圆互连时互连线断开的风险，进一步的，采用了上述方法形成的阻挡层的晶圆进行键合以形成三维集成器件时，可以降低晶圆互连时互连线断开的风险。
阻挡形成方法三维集成器件以及

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制备方法-CN202310201458.2有效
发明人：张冠群;仇圣棻 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制备方法，存储器包括：依次排布的第一电极、阻变存储层和第二电极；第一阻挡层，设置于第二电极上；中间连接层，设置于第一阻挡层上；第二阻挡层，设置于连接层上；第一阻挡层用于阻挡连接层和第二阻挡层中的金属向第二电极扩散，第二阻挡层用作刻蚀阻挡层，中间连接层用于降低第一阻挡层和第二阻挡层之间的接触电阻。本发明不但能够提升电阻式随机存取存储器的热稳定性，而且避免了阻挡层金属在顶电极材料中的扩散，另外还能较大程度降低接触电阻。
电阻随机存取存储器及其制备方法

[发明专利]显示面板及其制造方法-CN202111654571.3在审
发明人：练文东;曹蔚然;李金川 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板及其制造方法，显示面板包括：基板；有机发光器件层，位于基板的一侧；第一无机阻挡层，位于有机发光器件层远离基板的一侧；第二无机阻挡层，位于第一无机阻挡层远离有机发光器件层的一侧，第一无机阻挡层的氢含量小于第二无机阻挡层的氢含量；有机绝缘层，位于第二无机阻挡层远离第一无机阻挡层的一侧；以及第三无机阻挡层，位于有机绝缘层远离第二无机阻挡层的一侧。本申请通过第一无机阻挡层的氢含量小于第二无机阻挡层中的氢含量，以改善封装层中的游离氢对氧化铟镓锌有源层的影响。
显示面板及其制造方法

[发明专利]一种闸极结构及其制备方法-CN202211720201.X在审
发明人：魏久雲;陈蒋军;张路滋;曾成 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种闸极结构及其制备方法，该闸极结构的制备方法包括以下步骤：提供一包括衬底、栅极沟槽、界面层、层间介质层及介电层的半导体结构；依次形成位于栅极沟槽内壁及介电层上表面的底部阻挡层及覆盖底部阻挡层显露表面的功函数调整层；形成覆盖功函数调整层显露表面且包括层叠的第一阻挡层及第二阻挡层的顶部阻挡层，且形成第一阻挡层后，向工艺腔中通入含氧气体以形成第二阻挡层；形成覆盖顶部阻挡层显露表面的粘附层；形成填充栅极沟槽的栅极金属层本发明通过于第一阻挡层之后，向形成第一阻挡层的工艺腔中通入含氧气体以形成第二阻挡层，提升了顶部阻挡层阻挡栅极金属层扩散的能力，提升了器件的良率，且方法简单，成本低。
一种结构及其制备方法

[发明专利]半导体装置-CN201910671212.5在审
发明人：金埈宽;朴在花;安商燻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体装置可包括第一金属间电介质(IMD)层、第一IMD层上的第一阻挡层、金属布线和第二阻挡层。第一金属间电介质(IMD)层可形成在衬底上，第一IMD层可包括介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。第一阻挡层可形成在第一IMD层上。第一阻挡层可包括介电常数高于第一IMD层的介电常数的氧化物。金属布线可穿过第一IMD层和第一阻挡层。第二阻挡层可形成在金属布线和第一阻挡层上。第二阻挡层可包括氮化物。第一阻挡层和第二阻挡层可减少或防止气体排出，从而半导体装置可具有良好特性。
阻挡层介电常数金属布线金属间电介质半导体装置低k材料氮化物氧化硅氧化物衬底排出穿过

[发明专利]一种OLED薄膜封装结构及方法-CN201611216797.4在审
发明人：余威 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种OLED薄膜封装结构，TFT基板、OLED、第一阻挡层、第一缓冲层以及第二阻挡层；其中，所述OLED设置在所述TFT基板上，所述第一阻挡层设置在OLED四周和上表面，第一缓冲层设置在所述第一阻挡层的上表面，第二阻挡层包覆第一阻挡层和第一缓冲层。一种OLED薄膜封装方法，包括以下步骤用第一模具制备第一阻挡层；用第一模具制备第一缓冲层；用第二模具制备第二阻挡层。通过将原本设置在阻挡层四周的缓冲层去掉，仅仅在阻挡层上表面设置缓冲层，可以减少模具更换的次数，降低颗粒的个数，提高薄膜封装的效果。
一种 oled 薄膜封装结构方法

[发明专利]用于在非铜可镀层上直接电镀铜的方法-CN200710004205.7无效
发明人： S·G·马尔霍特拉;H·德利吉安尼;O·范德斯特拉滕;邵晓燕;S·M·罗斯纳格尔;戴聪麟 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-01-16 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：一种用于在半导体结构中形成互连的方法，包括如下步骤：在衬底上形成介质层，在介质层上形成第一阻挡层，在第一阻挡层上形成第二阻挡层，其中第二阻挡层选自钌，铂，钯，铑和铱，并且其中控制第二阻挡层的形成，以便在第二阻挡层中氧的体浓度为20原子百分比或更少，并且在第二阻挡层上形成导体层。该方法可以附加地包括处理第二阻挡层以减小在第二阻挡层的表面上的氧含量的步骤。
用于非铜可镀层直接镀铜方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201610490311.X有效
发明人：徐建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成高k介电层；在所述高k介电层上形成功函数金属层；在所述功函数金属层上形成扩散阻挡层，其中，所述扩散阻挡层自下而上包括第一扩散阻挡层、金属氧化物阻挡层和第二扩散阻挡层组成的叠层；在所述第二扩散阻挡层上形成栅电极层。根据本发明的制造方法，在功函数金属层上形成包括第一扩散阻挡层、金属氧化物阻挡层和第二扩散阻挡层三明治结构的扩散阻挡层，该扩散阻挡层可以有效的阻挡后续的杂质离子向下层膜层的扩散，进而对功函数金属层起到很好的保护作用
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]二氟化氙气相刻蚀阻挡层的方法-CN201210366144.X有效
发明人：王坚;贾照伟;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氟化氙气相刻蚀阻挡层的方法，包括如下步骤：（1）将二氟化氙气体喷洒到裸露的阻挡层的表面；（2）采用光束仅照射电介质层上表面的阻挡层，使电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率高于沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层的刻蚀速率本发明通过向电介质层上表面的阻挡层照射光束，提高了电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率，使电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率高于沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层的刻蚀速率，避免沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层过度刻蚀，提高了微观上的刻蚀均匀性
氟化氙气刻蚀阻挡方法

[发明专利]用于高性能射频应用的传输线-CN201280053027.6有效
发明人： S.L.佩蒂-威克斯;G.张;H.B.莫迪 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2012-05-07 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：一种这样的传输线可以包括配置用于接收RF信号的接合层、阻挡层、扩散阻挡层和紧邻扩散阻挡层的导电层。所述扩散阻挡层可以具有允许所接收的RF信号穿透扩散阻挡层到达导电层的厚度。在某些实施例中，扩散阻挡层可以是镍。在这些实施例的一些中，传输线可以包括金接合层、钯阻挡层和镍扩散阻挡层。
用于性能射频应用传输线

[发明专利]一种降低通孔电阻的金属互联结构及其形成方法-CN201110235264.1无效
发明人：胡友存;傅昶;张亮;郑春生 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种降低通孔电阻的金属互联结构，包括衬底硅片上依次覆盖有阻挡层和氧化层，在阻挡层和氧化层中设有通孔，通孔与衬底硅片所形成的并接触有源区的金属硅化物层所接触；通孔底部和侧壁设有金属阻挡层，在底部和侧壁设有金属阻挡层的通孔中设有钨栓，钨栓内设有孔，在该孔的底部和侧壁设有铜种子层，铜种子层与钨栓之间还有第二阻挡层；在氧化层上还依次设有低K阻挡层和低K介质层，在低K阻挡层和低K介质层中设有刻蚀槽，刻蚀槽底部暴露出氧化层中的通孔，刻蚀孔底部和侧壁设有铜阻挡层，铜阻挡层与的铜种子层、第二阻挡层、钨栓和金属阻挡层相接触，底部和侧壁设有铜阻挡层的刻蚀槽中设有铜。
一种降低电阻金属联结及其形成方法