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[发明专利]MTJ器件的制作方法-CN201611075608.6有效
发明人：喻涛;左正笏;陈志刚;谷勋;刘瑞盛 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本申请提供了一种MTJ器件的制作方法。该制作方法包括：步骤S1，在衬底表面上设置功能膜，形成预成品，功能膜包括MTJ膜；步骤S2，在功能膜的远离衬底的表面上设置离子注入掩膜材料，并对离子注入掩膜材料进行图形化处理得到离子注入掩膜；步骤S3，对设置有离子注入掩膜的预成品依次进行氧离子注入与退火，在离子注入掩膜之外的区域形成氧离子注入膜；步骤S4，去除氧离子注入膜，形成凹陷；步骤S5，在凹陷内设置介电材料，且使介电材料和离子注入掩膜的远离衬底的表面在同一平面，其中，介电材料的介电常数在1.4～7.0之间。该制作方法制作得到的MTJ器件的介电常数较小，使得MRAM芯片的运算速度较快。
mtj 器件制作方法

[发明专利]一种磁性隧道结的制备方法-CN201610779667.5有效
发明人：左正笏;喻涛;陈志刚;谷勋;刘瑞盛;刘波 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性隧道结的制备方法，在衬底上沉积了MTJ堆，随后制备MgO过渡层和硬掩膜层，随后图案化硬掩膜刻层停止在MgO过渡层上，进行氧注入过程，裸露的存储层经过氧化结晶过程后被转化为高电阻无磁性的高介电常数材料，用光刻方法去掉多余的部分，再进行回填和CMP平坦化处理，使得介电常数变小。本发明制成的MTJ芯片的处理速度比较高。
一种磁性隧道制备方法

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN201610986757.1有效
发明人：邓浩;谷勋;周峰;杨小军 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种互连结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成介质层；在所述介质层内形成开口；在所述开口底部和侧壁上形成阻挡层，所述阻挡层为Si掺杂的阻挡层；在底部和侧壁形成有阻挡层的开口内填充导电材料，形成互连结构。本发明技术方案中所述开口底部和侧壁上形成的阻挡层，所述阻挡层为Si掺杂的阻挡层；之后中形成有所述阻挡层的开口内形成互连结构。由于阻挡层内掺杂有Si，Si原子能够与形成互连结构的导电材料原子反应成键，所以Si掺杂阻挡层的阻挡能力较强，能够有效的抑制导电材料原子的扩散，有利于减少介质层经时击穿现象的出现，从而有利于提高所形成互连结构的可靠性。
互连结构及其形成方法

[发明专利]一种晶圆清洗方法-CN201610927729.2有效
发明人：谷勋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆清洗方法，所述方法包括以下步骤：将待清洗的晶圆浸没于清洗装置的清洗液中，所述清洗液为弱碱性或弱酸性的去离子水；旋转所述晶圆，并使兆声波发生器在所述晶圆边缘与晶圆中心之间来回运动。采用本发明的方法，用弱碱性或弱酸性的去离子水作为清洗液，通过兆声波发生器产生兆波的孔蚀及晶圆在高压液相中的高速旋转所产生的剪切力去除颗粒，同时通过控制界达电势避免颗粒再吸附到表面上；这种清洗方法与晶圆没有物理接触，可以避免晶圆的损伤，提高良率。
一种清洗方法

[发明专利]一种磁性隧道结的制备方法-CN201610733731.6在审
发明人：左正笏;喻涛;陈志刚;谷勋;刘瑞盛;刘波 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性隧道结的制备方法，所述磁性隧道结的制备方法在刻蚀第二磁性层和隧穿层后沉积保护层，再刻蚀掉多余的保护层，暴露出第一磁性层；或，在刻蚀第二磁性层后沉积保护层，再刻蚀隧穿层，暴露出第一磁性层；之后，对暴露的第一磁性层进行含氧预处理，并对暴露的第一磁性层进行离子注入，形成掺杂的磁性层，随后刻蚀掉掺杂的磁性层，暴露出第二电极，最后沉积保护层，完成磁性隧道结的制备。本发明的方法在对第一磁性层做预处理时，不会对第二磁性层造成损伤。
一种磁性隧道制备方法

[实用新型]晶圆清洗刷和晶圆清洗装置-CN201520683856.3有效
发明人：谷勋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-09-06 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆清洗刷和晶圆清洗装置，所述晶圆清洗刷包括套筒和设置于套筒外周表面上的若干凸点结构，所述套筒外周表面包括沿套筒轴向分布的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域分别位于套筒的中部和第一区域的两侧，其中，所述第一区域中凸点结构的密度小于第二区域中凸点结构的密度。本实用新型通过将第一区域中凸点结构的密度设置为小于第二区域中的凸点结构密度，避免了因套筒中部变形而导致晶圆的中心区域过度清洗问题。所述第一区域中的凸点结构包括交错排布的第一凸点结构和第二凸点结构，所述第一凸点结构的高度小于第二凸点结构的高度，进一步降低了晶圆的中心区域的清洗频率和清洗强度，保证了晶圆的良率。
晶圆清洗刷清洗装置