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[发明专利]一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET的制造方法-CN202210792038.1在审
发明人：张长沙;李昀佶;单体伟 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET的制造方法，包括在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔区域内部进行氧化形成栅极纵向通道的纵向绝缘层；在纵向绝缘层内的区域淀积金属或者多晶硅形成栅电极延伸区；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔进行离子注入形成基区、源区；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对该区域进行氧化形成横向绝缘层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻，形成源极金属层及栅极金属层；去除所有阻挡层，并在碳化硅衬底上淀积金属，形成漏极金属层，降低器件的开关速度，从而提高抗EMI性能。
一种低速 emi 碳化硅 mosfet 制造方法

[发明专利]氮化物半导体元件-CN200510125404.4有效
发明人：小崎德也 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2001-07-06 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体元件，具有以p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层夹着具有由包含In的氮化物半导体构成的井层和由氮化物半导体构成的阻挡层的量子井结构的活性层的结构，其特征在于：所述活性层作为所述阻挡层，具有配置在最接近所述p型氮化物半导体层的位置上的第一阻挡和与该第一阻挡层不同的第二阻挡层，并且，所述第一阻挡层实质上不包含n型杂质，所述第二阻挡层包含n型杂质，所述第一阻挡层的膜厚比所述第二阻挡层的膜厚大
氮化物半导体元件

[发明专利]聚烯烃结构-CN200980136563.0无效
发明人：哈里·厄于斯伯;马库斯·加尔艾特纳;卡尔·伊萨克·斯凯于;盖尔·莫滕·约翰森 -专利权人：博里利斯股份公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： B32B27/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚烯烃结构，包括至少一层聚烯烃(PO)层、所述聚烯烃层的阻挡层以及所述PO层和阻挡层的增容剂，所述增容剂使所述PO层和阻挡层能够粘在一起，因此所述阻挡层包括所述增容剂；本发明还公开了一种共混的阻挡层聚合物和由其形成的阻挡层
烯烃结构

[发明专利]一种OLED器件的封装结构及其制备方法、金属掩膜板-CN201710099805.X在审
发明人：李文杰 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种OLED器件的封装结构及其制备方法、金属掩膜板；该OLED器件的封装结构包括在OLED器件上方的若干层交替的阻挡层和缓冲层，至少一层所述阻挡层为图案化结构；所述缓冲层填充在所述阻挡层的图案化区域内将阻挡层设置为图案化结构，并将缓冲层填充在阻挡层的图案化区域内，当OLED器件发生弯曲时，通过阻挡层的图案化区域内填充的缓冲层释放阻挡层承受的弯曲应力，减小阻挡层承受的弯曲应力，使OLED器件能够弯曲更大的幅度
一种 oled 器件封装结构及其制备方法金属掩膜板

[发明专利]内连线结构-CN202210031627.8在审
发明人：黄心岩;罗廷亚;李劭宽;邓志霖;李承晋;张孝慷;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：内连线结构包括介电层、第一导电结构、导电层、第一阻挡层、第二阻挡层及支撑层。第一导电结构位于介电层中；导电层位于介电层上。导电层包括相邻的第一部分与第二部分，且导电层的第二部分位于第一导电结构上。第一阻挡层接触导电层的第一部分；第二阻挡层接触导电层的第二部分；支撑层接触第一阻挡层与第二阻挡层。气隙位于第一阻挡层与第二阻挡层之间，且介电层与支撑层暴露至气隙。
连线结构

[发明专利]具有非动力能量层的被褥结构及远红外线纤维-CN201910609331.8有效
发明人：梁添寿;梁舒涵;梁舒婷;吴胜堂;蒙恩;程君弘;麦昌盛;李文生;张淑贞;王佳瑜 -专利权人：绿能奈米科技有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： A47G9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有非动力能量层的被褥结构及远红外线纤维，包含一保温层、一第一阻挡层、一第二阻挡层、一第一布料层以及一第二布料层。第一阻挡层及第二阻挡层分别设置于保温层的两相对侧。第一布料层相对保温层设置于第一阻挡层或第二阻挡层其中之一上，且第二布料层相对保温层设置于第一阻挡层或第二阻挡层其中之另一上。其中，保暖层、第一布料层与第二布料层至少其中之一包含一远红外线纤维。
具有动力能量被褥结构红外线纤维

[实用新型]具有非动力能量层的被褥结构-CN201921054369.5有效
发明人：梁添寿;梁舒涵;梁舒婷;吴胜堂;蒙恩;程君弘;麦昌盛;李文生;张淑贞;王佳瑜 -专利权人：绿能奈米科技有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： A47G9/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有非动力能量层的被褥结构，包含一保温层、一第一阻挡层、一第二阻挡层、一第一布料层以及一第二布料层。第一阻挡层及第二阻挡层分别设置于保温层的两相对侧。第一布料层相对保温层设置于第一阻挡层或第二阻挡层其中之一上，且第二布料层相对保温层设置于第一阻挡层或第二阻挡层其中之另一上。其中，保暖层、第一布料层与第二布料层至少其中之一包含一远红外线纤维。
具有动力能量被褥结构

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202011042965.9在审
发明人：王楚玉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制造方法包括：提供基底；在所述基底上形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽内形成阻挡层，所述阻挡层至少覆盖所述栅极沟槽的内壁；采用等离子体离子注入技术去除所述阻挡层内残留的氯离子，并使所述阻挡层形成第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的氮离子浓度不同；在所述栅极沟槽内形成栅极结构。本发明通过等离子体注入技术去除阻挡层内的残留的氯离子，防止残留的氯离子引起栅极结构的内部形成的缺陷，以降低栅极结构的电阻，进而提高半导体结构的性能。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201410074423.8在审
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;陈吉星 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：该有机电致发光器件包括导电阳极基底，以及依次层叠在导电阳极基底的阳极层上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极及阻挡层；阻挡层包括层叠于阴极上的无机阻挡层和层叠于无机阻挡层上的有机阻挡层；所述无机阻挡层的材料选自TiI₂O₃、ZrI₂O₃、HfI₂O₃、BIO₂、AlIO₂、GaIO₂、InIO₂及TlIO₂中的一种；所述有机阻挡层的材料为铍的环链烷通过阴极上交替层叠的无机阻挡层和有机阻挡层，致密性高，能显著提高有机电致发光器件的寿命。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]焊垫结构及制作方法-CN201510028304.3有效
发明人：刘文晓 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种焊垫结构及其制作方法，焊垫结构中的焊垫金属层与顶层金属层之间设有两层阻挡层，并使位于第一窗口侧壁上的第一阻挡层的厚度大于其他位置处的第一阻挡层的厚度，可以有效地避免在第一窗口拐角处的阻挡层的厚度较薄的现象，同时，即使顶层金属层所露出部分的表面有凹凸不平，第一阻挡层会将这些凹凸不平的点填平，使得在第一阻挡层上形成的第二阻挡层位于一个比较平整的平面上。两层阻挡层的结构设计，可以大大减小阻挡层破裂的风险，进而阻止了顶层金属层中的金属向焊垫金属层中的扩散。
结构制作方法

[发明专利]集成栅保护机制的平面栅碳化硅MOSFET的制造方法-CN202211646423.1有效
发明人：周海;胡臻;何佳;吴玲琼 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成栅保护机制的平面栅碳化硅MOSFET的制造方法，包括在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，形成基区；在漂移层上重新形成阻挡层，蚀刻、离子注入，形成源区；在漂移层上重新形成阻挡层，蚀刻、淀积金属，形成源极金属；重新形成阻挡层，蚀刻、淀积形成第二栅极保护区；重新形成阻挡层，蚀刻、氧化形成栅隔离层；重新形成阻挡层，蚀刻、淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，蚀刻、淀积形成第一栅极保护区；清除所有阻挡层，在碳化硅衬底上进行淀积金属，形成漏极金属层，在栅极附近构建了齐纳二极管，使得器件可恢复性。
集成保护机制平面碳化硅 mosfet 制造方法

[发明专利]去除阻挡层和介质层中污染物颗粒的方法-CN200910056663.4无效
发明人：潘继岗;彭澎 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除阻挡层和介质层中污染物颗粒的方法，采用明场扫描方法BFI检测出第一阻挡层、第一介质层、第二阻挡层、第二介质层或第三阻挡层中掺杂有污染物颗粒的晶圆后，该方法包括：采用化学机械研磨工艺CMP依次去除第三阻挡层、第二介质层、第二阻挡层、第一介质层和第一阻挡层。
去除阻挡介质污染物颗粒方法

[发明专利]透明导体薄膜的形成-CN201080025800.9有效
发明人：张世昌;黄丽丽;洪承载;仲正中 -专利权人：苹果公司
申请日： 2010-06-07 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：触摸感测系统中基本上透明的导体层可以通过在有机层和基本上透明的导体层之间形成阻挡层来形成。例如，阻挡层可以在有机层之上形成，而且透明的导体层可以在该阻挡层之上形成。阻挡层可以减少或者防止有机层的除气，以便帮助提高透明导体层的质量。在另一个示例中，通过形成透明导体的阻挡层并且在该阻挡层上形成透明导体的第二层，可以在有机层之上形成两种不同类型透明导体的组合层。当形成阻挡层时会发生的除气可能使得阻挡层的透明导体是低质量的，但会得到第二层的较高质量的透明导体。
透明导体薄膜形成

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202211203762.2在审
发明人：王少伟;吴双双;王春阳 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述衬底的部分上表面；在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述刻蚀阻挡层；从所述介质层的顶部向所述刻蚀阻挡层刻蚀，形成暴露所述刻蚀阻挡层的第一通孔；在所述第一通孔内形成第一导电层；从与所述衬底的上表面相对的下表面向所述刻蚀阻挡层刻蚀所述衬底，形成暴露所述刻蚀阻挡层的第二通孔；去除所述刻蚀阻挡层，形成开口；在所述第二通孔及所述开口内形成第二导电层
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]封装的光电子器件及其制造方法-CN201080045746.4有效
发明人： D·S·法库哈;M·S·赫尔措格;C·M·A·赫勒 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2010-06-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种封装的光电子器件，包括：第一阻挡层；配置成耦合到第一阻挡层的电致发光器件，并且电致发光器件包括都定义侧面的衬底和电致发光元件，以及电致发光元件包括部署在衬底上的第一电极、第二电极、以及部署在第一电极与第二电极之间的光电子活性层；配置成耦合到电致发光器件的第二阻挡层；和配置成位于第一阻挡层与第二阻挡层之间并连接它们的粘合剂，其至少耦合到电致发光器件的侧面以将电致发光器件密封在第一阻挡层与第二阻挡层之间；部署在第一阻挡层上的第一导电区域，其位于第一阻挡层与第二阻挡层之间并且配置成电耦合到第一电极并与第二电极和第二导电区域电绝缘；部署在第一阻挡层上的第二导电区域，其位于第一阻挡层与第二阻挡层之间并且配置成电耦合到第二电极并与第一电极和第一导电区域电绝缘
封装光电子器件及其制造方法

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