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[发明专利]氮化物系半导体发光元件-CN201180013144.5有效
发明人：小谷靖长 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2011-03-03 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明的氮化物系半导体发光元件具有基板、和在所述基板上夹着活性区域而层叠的n型半导体层及p型半导体层，所述活性区域包含用于构成多重量子阱构造的阻挡层；以及最终阻挡层，该最终阻挡层的膜厚比所述阻挡层的膜厚厚，且设置在与所述p型半导体层最近的一侧，在构成所述多重量子阱构造的阻挡层中，与所述最终阻挡层邻接的2个阻挡层的平均膜厚比其他的阻挡层的平均膜厚薄。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]LED器件外延结构及其制作方法-CN201810181170.2在审
发明人：沈学如 -专利权人：澳洋集团有限公司
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED器件外延结构，包括依次形成于衬底上的未掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和p型掺杂的GaN层，所述电子阻挡层包括依次叠加的第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层为Al组分自下向上渐变增加的AlxGa1‑xN层，0＜x≤0.15，所述第二阻挡层为Al0.15Ga0.85N层。本发明的电子阻挡层，通过Al组分的渐变设计，可以大大增加量子阱有源区的空穴浓度，增强电子约束能力，减小电子阻挡层和量子阱层之间的极化效应。
电子阻挡层阻挡层外延结构渐变空穴量子阱有源区多量子阱层极化效应量子阱层依次叠加约束能力未掺杂衬底减小制作申请

[发明专利]一种带阻挡层巨磁阻抗效应复合丝及其制备方法-CN200310109545.8无效
发明人：袁望治;王新征;吴士蓉;赵振杰;阮建中;杨燮龙 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2003-12-19 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种带阻挡层巨磁阻抗效应复合丝及其制备方法，属于磁传感存储和信息功能材料及其制备技术领域。该复合丝由金属丝(1)、阻挡层(2)和软磁层(3)组成，阻挡层(2)是绝缘层，软磁层(3)是GMI软磁材料层，阻挡层(2)依附在金属丝(1)表面，软磁层(3)依附在阻挡层(2)表面。制备时，在金属丝(1)表面涂敷阻挡层(2)，再在阻挡层(2)上用化学法镀一层软磁层(3)，退火后得成品，带阻挡层巨磁阻抗效应复合丝。
一种阻挡磁阻效应复合及其制备方法

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN202210792526.2在审
发明人：松仓勇介;希利尔·贝诺 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：氮化物半导体发光元件具备：活性层，其具备至少1个阱层；p型半导体层，其位于活性层的一侧；以及电子阻挡层叠体，其位于活性层与p型半导体层之间。电子阻挡层叠体具有：第1电子阻挡层；以及第2电子阻挡层，其位于比第1电子阻挡层靠p型半导体层侧的位置，并且Al组成比小于第1电子阻挡层的Al组成比。在将活性层中的阱层的总数设为N，第1电子阻挡层的膜厚设为膜厚d[nm]，第2电子阻挡层的Al组成比设为Al组成比x[％]时，第1电子阻挡层的膜厚d满足0.1N+0.9≤d≤0.2N+2.0的关系，且第2电子阻挡层的Al组成比x满足10N+40≤x≤10N+60的关系。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]一种双大马士革结构中铜阻挡层的淀积方法-CN02137195.4无效
发明人：李铭 -专利权人：上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2002-09-27 - 公布日： 2003-04-30 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明是一种双大马士革结构铜阻挡层的沉积方法。铜作为新的连线材料运用在集成电路制造工艺中。由于铜对半导体器件的危害性，所以淀积铜之前，应先淀积一层阻挡层，以防止铜的扩散。目前一般采用离子化物理气相淀积工艺淀积阻挡层。阻挡层在介质层与铜之间，起到了阻止铜扩散的作用。但是，阻挡层也存在于上下两层铜之间，且阻挡层的电阻率比铜大很多，因此增加了两层铜之间的接触电阻。本发明利用现有的I－PVD工艺，将阻挡层淀积分成两步，使用不同的衬底偏压、金属靶功率和氩气流量，从而有效地减少上下两层铜之间的阻挡层厚度，并增加介质层侧壁上的阻挡层厚度，同时保证介质层上方有足够的阻挡层
一种大马士革结构阻挡方法

[发明专利]形成浅沟槽隔离结构的方法和形成浅沟槽的刻蚀方法-CN200710094466.2有效
发明人：刘乒;陈海华;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种形成浅沟槽隔离结构的方法，包括：提供依次带有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；在腐蚀阻挡层上形成掩膜层，所述掩膜层上形成有与浅沟槽位置对应的开口；以掩膜层为罩幕，沿开口刻蚀腐蚀阻挡层至露出垫氧化层；以掩膜层和腐蚀阻挡层为罩幕，刻蚀垫氧化层和半导体衬底，形成浅沟槽；去除掩膜层后，在浅沟槽内侧沉积衬氧化层，并将绝缘氧化层填充满浅沟槽；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。本发明在腐蚀阻挡层上形成刻蚀过程中保护腐蚀阻挡层的掩膜层，使刻蚀气体对腐蚀阻挡层不会产生影响，腐蚀阻挡层的厚度也不发生变化，从而使浅沟槽隔离结构的隔离效果提高。
形成沟槽隔离结构方法刻蚀

[发明专利]一种针对小线宽要求的硅通孔互连铜线阻挡层优化方法-CN201910883203.2有效
发明人：赵毅强;傅晓娟;叶茂;宋凯悦 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种针对小线宽要求的硅通孔互连铜线阻挡层优化方法，包括步骤：采用Ta和TaN双层作为通孔阻挡层，制备不同厚度的Ta‑TaN阻挡层，测量不同厚度下互连体系电阻电阻电迁移性能，选择具备预期电迁移能力和低互连电阻的适宜厚度的Ta‑TaN阻挡层薄膜作为目标阻挡层。本发明采用Ta和TaN双层作为通孔阻挡层，通过制备不同厚度的Ta‑TaN阻挡层，测量不同厚度下的互连体系电阻电迁移性能，最终获得具备预期电迁移能力和低互连电阻的适宜厚度的Ta‑TaN阻挡层薄膜。
一种针对小线宽要求硅通孔互连铜线阻挡优化方法

[发明专利]一种LED芯片及其制造方法-CN201711027110.7在审
发明人：邬新根;刘英策;刘兆;李俊贤;吴奇隆 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片电极结构及其制造方法，该LED芯片电极包括外延层、透明导电层、电流阻挡层以及电极，其中，外延层置于衬底之上，透明导电层设置在外延层上。电流阻挡层设置在透明导电层上，电极设置在电流阻挡层上，且，电极的面积大于电流阻挡层的面积。相较传统结构，本设计方案电流阻挡层面积小于电极面积，避免了低折射率电流阻挡层夹在高折射率的氮化镓与透明导电层之间而影响光出射效率，能够提升芯片外量子效率。同时由于电流阻挡层图形与电极图形相近，可以使用多层沉积的方式实现电极与电流阻挡层同一道光刻制作图形，降低芯片制造成本。
一种 led 芯片及其制造方法

[发明专利]具有阻气性能的聚氨酯‑聚乙烯耐脱层管材-CN201380043388.7有效
发明人： P·布儒瓦;S·穆尼氏 -专利权人：德尼培股份有限公司
申请日： 2013-08-15 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： A61M39/08 文献下载
摘要：一种管，其包含内层、外层和位于该内层和外层之间的阻挡层，其中该阻挡层是通过位于该外层和阻挡层之间的粘结剂层而结合到该外层上的，并且该阻挡层是通过位于该内层和阻挡层之间的粘结剂层而结合到该内层上的，其中该内层包含聚乙烯，该外层包含热塑性聚氨酯和该阻挡层包含充当气体阻碍的材料。
具有性能聚氨酯聚乙烯耐脱层管材

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201110357976.0在审
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：所述形成方法包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成粘合层、刻蚀阻挡层和介质层，所述刻蚀阻挡层的介电常数位于2.2～2.5；依次刻蚀所述介质层、刻蚀阻挡层和粘合层至露出所述半导体衬底，形成沟槽；在所述沟槽中填充满金属层。所述半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的粘合层、刻蚀阻挡层和介质层，所述刻蚀阻挡层的介电常数位于2.2～2.5；位于半导体衬底上且贯穿介质层、刻蚀阻挡层和粘合层的金属布线层或导电插塞。本发明中刻蚀阻挡层可以减小半导体器件的RC互连延迟；且在刻蚀阻挡层和半导体衬底之间设置的粘合层可以提高刻蚀阻挡层和半导体衬底之间的结合力。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法-CN202210191723.9在审
发明人：程龙;曾家明;印从飞;刘春杨;胡加辉 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，涉及发光二极管技术领域，该发光二极管外延片包括衬底；在衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、缺陷阻挡层、N型GaN层、发光层、电子阻挡层、P型GaN层及接触层；其中，缺陷阻挡层依次包括第一缺陷阻挡层、第二缺陷阻挡层及第三缺陷阻挡层，第一缺陷阻挡层为AlaGa1‑aN薄膜层，第二缺陷阻挡层为BN薄膜层，第三缺陷阻挡层为AlaGa1‑aN薄膜层。本发明能够解决现有技术中衬底与外延层晶格失配较大，造成外延层位错密度提高，影响发光二极管外延片发光效率及光电性能的技术问题。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种P型SiC LDMOS功率器件的制造方法-CN202210436825.2在审
发明人：张瑜洁;张长沙;何佳 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供了一种P型SiC LDMOS功率器件的制造方法，准备一具有外延层的碳化硅衬底；在外延层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对外延层进行离子注入，形成隔离区；通过重新形成阻挡层、蚀刻、离子注入，分别形成承压区、源区欧姆接触区和漏极欧姆接触区；清除所有的阻挡层，进行氧化或者淀积形成绝缘层；在绝缘层上形成阻挡层，并对阻挡层以及绝缘层蚀刻形成通孔，之后淀积源极金属层以及漏极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层以及绝缘层蚀刻形成通孔，淀积栅极金属层；清除阻挡层，完成制造；降低了器件工作在反向耐压情况下的耐压区的空穴浓度，在不改变器件耐压的情况下，减少器件横向尺寸。
一种 sic ldmos 功率器件制造方法

[发明专利]扩散阻挡层和带扩散阻挡层的半导体器件-CN01103434.3有效
发明人：斯蒂芬·A·科恩;蒂莫西·J·多尔顿;约翰·A·费兹西蒙斯;斯蒂芬·M·盖兹;莱恩·M·基格纳克;保罗·C·詹米森;康－吾·李;辛帕斯·帕鲁舒塔曼;达尔·D·利斯坦诺;伊万·西蒙尼;霍雷肖·S·威尔德曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-02-09 - 公布日： 2001-08-15 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：提供了一种带扩散阻挡层的半导体器件,该半导体器件包括,至少一个带导电金属元件的半导体衬底;还有加在至少一部分衬底上的一个扩散阻挡层,其接触导电金属元件,该扩散阻挡层有一个上表面、一个下表面和一个中间部分,由硅、碳、氮和氢形成,氮在整个扩散阻挡层中是非均匀分布的。因此,与扩散阻挡层的中间部分相比,氮在层的上表面和下表面附近浓度更大。还提供了制造这种半导体器件的方法。
扩散阻挡半导体器件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710169123.1有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成介质阻挡层结构，在形成所述介质阻挡层结构的过程中，采用第一硅源气体在所述介质阻挡层结构中掺杂硅，所述第一硅源气体包括：三硅基氮；在所述介质阻挡层结构上形成功函数层；在所述功函数层上形成栅极阻挡层结构，在形成所述栅极阻挡层结构的过程中，采用第二硅源气体在所述栅极阻挡层结构中掺杂硅，所述第二硅源气体包括：三硅基氮；在所述栅极阻挡层结构上形成栅极层
半导体结构及其形成方法

[发明专利]显示面板、电子设备及显示面板的制造方法-CN201911113350.8在审
发明人：王涛;王程功;姜博;顾杨;李静静 -专利权人：成都辰显光电有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：显示面板包括：驱动背板，驱动背板上具有多个发光器件；第一阻挡层，第一阻挡层位于驱动背板具有发光器件的一侧；多个色彩单元，色彩单元贯穿第一阻挡层，且每一色彩单元与每一发光器件位置相对；第二阻挡层，第二阻挡层位于第一阻挡层远离驱动背板的一侧，第二阻挡层内具有开口，且开口与色彩单元位置相对，第一阻挡层的光密度小于第二阻挡层的光密度。
显示面板电子设备制造方法

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