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[发明专利]固体摄像设备-CN200610111010.8无效
发明人：太田宗吾 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-08-11 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种固体摄像设备，其包括用于向阱区供应参考电压的阱触点和阱配线，甚至当像素面积减小时，其也能抑制接收到光量的降低。作为阱配线，使用阱主配线4，其是利用与各个晶体管的栅极相同的材料、以与形成各个晶体管的栅极相同的工艺形成的。在像素区(PXR)中，阱配线和阱触点包括阱主配线4、直接在阱主配线4上方的第一配线层10中的阱副配线6、栅电极层9中设置的触点3和5。在第二配线层11上方的配线层中没有形成阱配线和阱触点。
固体摄像设备

[发明专利]真空配管阱装置、真空配管阱系统以及配管清理方法-CN201910857270.7有效
发明人：堀冈佑吉;初春 -专利权人：河南一轮电子科技有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：本发明涉及的真空配管阱装置、真空配管阱系统以及配管清理方法能够防止粉尘爆炸，同时高效地捕集氧化硅粉尘，并降低清理作业所需要的精力或时间。真空配管阱系统(9)具备：上框体(21)；下框体(22)，其与该上框体(21)能够分离地连结，收纳捕集由于单晶生长而产生的粉尘的捕集筒(29)；以及旋转过滤器(70)，其收纳在所述捕集筒(29)内，其中，通过圆筒(66)和条状的多个阻燃性叶片过滤器(BF)来构成该旋转过滤器(70)，圆筒(66)枢设在捕集筒(29)的底部，条状的多个阻燃性叶片过滤器(BF)被配设成从该圆筒(66)的周面沿着径向延伸。
真空配管阱装置系统以及清理方法

[发明专利]半导体存储装置-CN02130214.6无效
发明人：新居浩二 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-08-16 - 公布日： 2003-03-12 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：虽然能够提高SRAM的集成度，但是第二金属配线a2、b2必须与第一金属配线a1、b1等在不同的层配线。从而增加了配线层，导致制造工序增加、制造工期延长以及制造成本增加等问题。分割P阱区，NMOS晶体管N1、N3形成于第一P阱区，NMOS晶体管N2、N4形成于第二P阱区。或者，分割N阱区，PMOS晶体管P1形成于第一N阱区，PMOS晶体管P2形成于第二N阱区。
半导体存储装置

[发明专利]真空排气系统的清洗装置-CN202180045029.X在审
发明人：桦泽刚志 -专利权人：埃地沃兹日本有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： F04B37/16 文献下载
摘要：具备：能够冷却含有升华成分的气体而令堆积物产生的冷却阱（13）；配设在冷却阱（13）的上游的至少一个的第一真空泵（11）；连接第一真空泵（11）和冷却阱（13）的至少一个的第一配管（21）；配设在冷却阱（13）的下游的至少一个的第二真空泵（16）；连接第二真空泵（16）和冷却阱（13）的至少一个的第二配管（22），将第一真空泵（11）和第一配管（21）的至少一部分加热到升华成分的升华温度以上，并且将冷却阱
真空排气系统清洗装置

[发明专利]半导体存储装置-CN02126204.7无效
发明人：新居浩二 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-07-15 - 公布日： 2003-05-21 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：具有可以缩短位线的配线长度的低功耗型SRAM存储单元的半导体存储装置。NMOS晶体管N1、N3和N4在一方的P阱区域PW0内形成，NMOS晶体管N2、N5和N6在另一方的P阱区域PW1内形成，将位线BL1、BL2(位线BL12、BL22)的配线方向(第2方向)设定在与P阱区域P阱区域PW0和P阱区域PW1将N阱区域夹在中间，分别在相反侧形成。
半导体存储装置

[发明专利]半导体装置-CN200910000170.9无效
发明人：藤井理子;大林茂树;森野直纯;平岩笃;渡会慎一;吉田岳司;越久和俊;杉山雅夫;近藤由宪;江川雄一;金子义之 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种在具有三重阱构造的半导体装置中可以提高制造成品率及产品可靠性的技术。本发明的半导体装置，在p型基板1内形成的深n型阱200内具备逆变器电路INV1，该逆变器电路INV1是由浅p型阱252内形成的n通道型场效应晶体管254n以及浅n型阱251内形成的p通道型场效应晶体管254p构成，且对于电路动作并无贡献，将浅p型阱252使用第1层配线253(M1)与基板1接线，将p通道型场效应晶体管254p的栅电极及n通道型场效应晶体管254n的栅电极使用最上层的配线255(M8)与浅n型阱
半导体装置

[发明专利]空调系统-CN201880057103.8在审
发明人：白崎铁也;吉见敦史 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： F24F1/32 文献下载
摘要：空调系统(100)在制冷剂回路(RC)中进行冷冻循环，其中，该空调系统(100)具备室外单元(10)、多个室内单元(40)以及液体侧连通配管(La)，该液体侧连通配管(La)在室外单元(10)及室内单元液体侧连通配管(La)具有包括支管组(88)的液体侧分支部分(BPa)和阱部(T1)。支管组(88)是与任一室内单元(40)连通的多个支管(80)。阱部(T1)设置于至少任一支管(80)。阱部(T1)充满气体状态的制冷剂。
空调系统

[发明专利]半导体存储装置-CN201610080725.5有效
发明人：前嶋洋 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备第1导电型的第1阱(21)、设置在第1阱(21)的上方且包含第1存储元晶体管(MT)的存储元阵列(111)以及与第1存储元晶体管(MT)连接的第1配线。在擦除第1存储元晶体管的数据时，对第1配线施加正的第1电位，且在擦除数据时，第1阱(21)在电浮动状态下上升到正的第2电位。
半导体存储装置

[发明专利]电阻变化型存储器装置及其操作方法-CN201010149797.3有效
发明人：大塚涉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-04-08 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种电阻变化型存储器装置及其操作方法，电阻变化型存储器装置包括：存储器单元，所述存储器单元各自具有其中存储元件和存取晶体管串联连接的电流路径，其中所述存储元件的电阻根据所施加的电压而变化；第一配线，所述第一配线各自连接到所述电流路径的一端；第二配线，所述第二配线各自连接到所述电流路径的另一端；阱，所述阱是其中形成所述存取晶体管的半导体区域；以及驱动电路。
电阻变化存储器装置及其操作方法

[发明专利]电容性半导体元件-CN202010324914.9有效
发明人：田矢真敏;川村昌靖;夏目秀隆;藤井康博 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：电容性半导体元件(1)包括硅衬底(Sub)和层叠在硅衬底(Sub)的表面上的配线区域(LA)，其中，配线区域(LA)具有电容性区域(CR)；硅衬底(Sub)包括：阱区域(P型阱)；STI区域，其形成在硅衬底(Sub)的表面上，并与阱区域(P型阱)及配线区域(LA)相接；以及硅区域(D)，其形成在硅衬底(Sub)的表面上，且在STI区域以外的区域，与阱区域(P型阱)及配线区域(LA)相接，硅区域(D)包括极性与阱区域(P型阱)相反的杂质。
电容半导体元件

[发明专利]半导体装置、全波整流电路和半波整流电路-CN200510023006.1无效
发明人：五岛一智;斋藤博;福田良之;中泽务 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-09-22 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在二极管中流有正向电流时，防止向半导体基板泄漏浪费的电流的半导体装置。在P型半导体基板(31)的表面上形成有N型阱区域(32)，在N型阱区域(32)中，再形成有P型阱区域(33)。在P型阱区域(33)外的N型阱区域(32)的表面上形成有N+型扩散层(34)。在P型阱区域(33)的表面上，形成有P+型扩散层(35)和N+型扩散层(36)。利用由铝等构成的配线(37)，电连接形成在N型阱区域(32)的表面上的N+型扩散层(34)、和形成在P型阱区域(33)的表面上的P+型扩散层(35)，该配线(37)上连接着阳极电极(38)。
半导体装置整流电路

[发明专利]半导体装置-CN200710096164.9有效
发明人：广岛崇;五嶋一智 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2007-04-18 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有二极管元件的半导体装置，其目的在于防止由纵向型寄生双极晶体管引起的漏电流并提高电流效率。该半导体装置在N阱层(2)上设置元件分离绝缘膜(3a)，在由元件分离绝缘膜(3a)包围的N阱层(2)上形成第一P+层(4)和与第一P+层(4)分离开的第二P+层(5)。在第一P+层(4)和第二P+层(5)之间的N阱层(2)上形成电极层(10)。在元件分离绝缘膜(3a)、(3b)之间的N阱层(2)上形成接触用的N+层(3)。第一P+层(4)与阳极配线(8)连接，电极层(10)、第二P+层(5)及N+层(13)与阴极配线(12)连接。这样，在半导体基板(1)上形成利用横向型PNP双极晶体管(60)的二极管元件。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201910295529.3有效
发明人：吉田拓弥 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：半导体基板(6)具有单元区域、终端区域以及配线区域，该终端区域配置于单元区域的外周。IGBT设于单元区域。在配线区域，绝缘膜(16)设于半导体基板(6)之上。p阱层(15)在终端区域设于半导体基板(6)的表面。二极管设于配线区域。二极管具有：p基极层(8)，其设于半导体基板(6)的表面；以及n阴极层(21)，其设于半导体基板(6)的背面。p基极层(8)共通地设于配线区域和单元区域，与p阱层(15)相比杂质浓度低、深度浅。
半导体装置

[实用新型]三甲基铟接收装置-CN201520757196.9有效
发明人：谢贤清;王志龙;徐明;马玉峰;黄建 -专利权人：江西佳因光电材料有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： B65G69/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三甲基铟接收装置，该三甲基铟接收装置包括解配釜(1)、真空缓冲罐(3)和手套箱(5)，手套箱中设有粗品接收罐(2)和冷阱(7)，粗品接收罐设置在冷阱中，粗品接收罐通过料管(17)连接解配釜并通过抽气管(18)连接真空缓冲罐，料管的靠近粗品接收罐的一端设有接收阀(12)，料管的靠近解配釜的一端设有出料阀(11)，抽气管与粗品接收罐之间设有抽气阀(13)，并且料管和抽气管中均设有加热丝(6)。通过在料管和抽气管中设有加热丝，并使用真空缓冲罐抽吸粗品接收罐中的尾气，使得避免三甲基铟接收装置的料管堵塞，又由于三甲基铟的接收过程均在密封的手套箱中进行，使得实现三甲基铟的安全接收。
甲基接收装置

[发明专利]一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法-CN201811471118.7在审
发明人：张婷婷;邹时兵;李栋宇;徐兵 -专利权人：岭南师范学院
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法，属于纳米晶材料及发光二极管制备技术领域；具体制备方法为通过高温热注入法制备粒径在2.6nm左右的CdS核量子点；将提纯后的量子点在高温下与配位溶剂混合，通过高温热注入法，滴加阳离子与阴离子的混合前驱体，得到包覆有CdSe壳层的CdS/CdSe量子点；继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdS/CdSe/CdS量子阱；从下往上依次设置的玻璃基体、正电极、空穴传输层、CdS/CdSe/CdS量子阱发光层、电子传输层、负电极得到CdS/CdSe/CdS量子阱发光二极管；该发明方法制备的CdS/CdSe/CdS量子点量子阱最终发光效率达到100％，将CdS/CdSe/CdS量子阱作为发光二极管的发光层时，可以大大提高发光二极管的外量子效率。
量子阱发光二极管量子点制备发光层高荧光产率滴加制备技术领域电子传输层混合前驱体空穴传输层纳米晶材料外量子效率玻璃基体发光效率反应合成配位溶剂依次设置阴阳离子负电极前驱体阳离子阴离子正电极注入法提纯包覆壳层粒径

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