“太田宗吾”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]摄像装置-CN202180071448.0在审
发明人： 太田宗吾;平濑顺司 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：摄像装置具备：第1光电转换部，将光转换为电荷；第1电荷积蓄部，积蓄所述电荷；第1电容器；输出电路，与所述第1电容器电连接；以及第1插入晶体管，具有栅极电极、源极及漏极。所述第1电荷积蓄部与所述栅极电极、以及所述源极及所述漏极中的一方电连接。通过所述第1插入晶体管成为导通，所述第1电荷积蓄部与所述第1电容器被电连接。
摄像装置

[发明专利]摄像元件、摄像装置及摄像系统-CN202180038713.5在审
发明人：西谷贵幸;太田宗吾;三宅康夫;佐藤好弘;西村佳寿子;小林努 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：摄像元件(100a)具备半导体基板(109)、第1光电转换部(21)和第2光电转换部(22)。在半导体基板(109)设置有电荷积蓄区域(108)。第2光电转换部(22)位于第1光电转换部(21)与半导体基板(109)之间。第1光电转换部(21)包括第1对置电极(102)、第1像素电极(104)和第1光电转换层(103)。第1光电转换层(103)位于第1对置电极(102)与第1像素电极(104)之间。第2光电转换部(22)包括第2对置电极(105)、第2像素电极(107)和第2光电转换层(106)。第2光电转换层(106)位于第2对置电极(105)与第2像素电极(107)之间。电荷积蓄区域(108)与第1像素电极(104)及第2像素电极(107)电连接。
摄像元件装置系统

[发明专利]超声波清洗装置-CN202080005508.4有效
发明人： 太田宗吾 -专利权人：株式会社海上
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G10K15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种可容易地监视超声波振子的振动状态的、使用附带状态监视功能的超声波振子的超声波清洗装置。本发明的超声波清洗装置经由被施加有超声波振动的清洗液来清洗被清洗物，具有朗之万型的附带状态监视功能的超声波振子(5)，所述超声波振子(5)包括以层叠的方式配置且在层叠方向可伸缩的多个压电元件(10)，多个压电元件的一部分作为激振用压电元件(11)被施加有交流电压而伸缩，多个压电元件的另一部分作为状态监视用压电元件(12)，以通过激振用压电元件的伸缩而可输出用于状态监视的电压的方式构成。
超声波清洗装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200580043444.2无效
发明人： 太田宗吾 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-03-11 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：使晶体管TrA中每个侧壁(105)的厚度薄于晶体管TrB中每个侧壁(105)的厚度。在晶体管TrA中，当从衬底的主表面方向来看时，高浓度杂质扩散层(106)的表面和侧壁(105)的底部部分处在重叠的位置。硅化物层(108)仅仅形成在高浓度杂质扩散层(106)中。通过在形成覆盖晶体管TrB的CVD氧化物膜(111)之后并且在形成硅化物层(108)之前在晶体管TrA中形成高浓度杂质扩散层(106)可以实现这种限制性的形成。通过这种方式，通过简单的结构可以改善截止－泄露特性，并且可以在同一衬底上同时形成硅化物晶体管和非硅化物晶体管。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]固体摄像设备-CN200610111010.8无效
发明人： 太田宗吾 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-08-11 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种固体摄像设备，其包括用于向阱区供应参考电压的阱触点和阱配线，甚至当像素面积减小时，其也能抑制接收到光量的降低。作为阱配线，使用阱主配线4，其是利用与各个晶体管的栅极相同的材料、以与形成各个晶体管的栅极相同的工艺形成的。在像素区(PXR)中，阱配线和阱触点包括阱主配线4、直接在阱主配线4上方的第一配线层10中的阱副配线6、栅电极层9中设置的触点3和5。在第二配线层11上方的配线层中没有形成阱配线和阱触点。
固体摄像设备

[发明专利]固态图像拾取器件-CN200610121345.8无效
发明人： 太田宗吾 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-08-22 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了其中减少了像素灵敏特性的波动布图结构，以及实现高产量和高灵敏性的固态图像拾取器件。像素2a和2b包括的各个部分，例如PD3a和3b的光接收区域20a和20b、传输栅电极4a和4b、以及FD5具有包括在行方向延伸的线和在列方向延伸的线的外部形状。以关于在像素对中的2个像素之间延伸的直线轴对称的方式来设置像素对包括的光接收区域20a和20b、传输栅电极4a和4b、以及FD5。并且FD5以及复位晶体管6和放大器晶体管12的源极区域和漏极区域被设置在列方向上延伸的直线上。
固态图像拾取器件

[发明专利]固体摄像装置-CN200580000710.3无效
发明人： 太田宗吾;内田干也 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-07-01 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种三晶体管CMOS型固体摄像装置，包括包含相邻的第一像素230及第二像素231的多个像素，各个像素中分别设有：将光变换成信号电荷的光电二极管201；用以读出在光电二极管201所产生的信号电荷的传送用晶体管。在第一像素230中设有：一端连接在第一像素230内及第二像素231内的两个光电二极管201上，另一端接收电源电压的重置晶体管；在第二像素231中设有：具有连接在第一像素230内及第二像素231内的两个传送用晶体管上的栅极电极204，在漏极接收电源电压的放大用晶体管。
固体摄像装置

[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法-CN200510009009.X无效
发明人： 太田宗吾 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-02-16 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：半导体基底；设置在所述半导体基底一个主面中的隔离膜；布置在所述隔离膜上的配线；形成在所述半导体基底内并且位于所述隔离膜附近的扩散层；以及在所述半导体基底一个主面上覆盖扩散层的绝缘膜。所述绝缘膜还覆盖靠近于扩散层的隔离膜的一部分，并且与靠近于扩散层的配线的侧部接触。
半导体器件制造方法

[发明专利]固体摄像装置及其制造方法-CN200410005598.X有效
发明人： 太田宗吾;内田干也;松长诚之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-02-20 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：提供一种重放画面上的不均匀较小的高性能固体摄像装置。固体摄像装置具有：在半导体基板上配置成矩阵状的多个像素单元；和为了驱动各像素单元而设置的驱动单元，各像素单元包括：光电二极管和MOS晶体管，以及元件分离部(2)，由挖掘所述半导体基板的STI(Shallow Trench Isolation)形成，用于分离光电二极管和MOS晶体管，在半导体基板(7)上形成导入了导电型与MOS晶体管的源极—漏极区域的导电型相反的杂质的STI泄漏抑止器(1)，以包围元件分离部(2)的侧壁和底面。
固体摄像装置及其制造方法

1
共 9 条