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[发明专利]真空配管阱装置、真空配管阱系统以及配管清理方法-CN201910857270.7有效
发明人： 堀冈佑吉;初春 -专利权人：河南一轮电子科技有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：本发明涉及的真空配管阱装置、真空配管阱系统以及配管清理方法能够防止粉尘爆炸，同时高效地捕集氧化硅粉尘，并降低清理作业所需要的精力或时间。真空配管阱系统(9)具备：上框体(21)；下框体(22)，其与该上框体(21)能够分离地连结，收纳捕集由于单晶生长而产生的粉尘的捕集筒(29)；以及旋转过滤器(70)，其收纳在所述捕集筒(29)内，其中，通过圆筒(66)和条状的多个阻燃性叶片过滤器(BF)来构成该旋转过滤器(70)，圆筒(66)枢设在捕集筒(29)的底部，条状的多个阻燃性叶片过滤器(BF)被配设成从该圆筒(66)的周面沿着径向延伸。
真空配管阱装置系统以及清理方法

[发明专利]大口径CZ单晶的生长装置及其生长方法-CN201810203214.7有效
发明人： 堀冈佑吉;藤原航三;福田哲生 -专利权人： FTB研究所株式会社;国立大学法人东北大学;国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：将温度传感器的光路设置成通过结晶生长炉的观察窗，瞄准坩埚内面与熔融液表面相内接的边界部位，在结晶生长进行的期间监视经过光电变换的来自传感器的电信号，获取该边界部位的温度变化，由此将该部位的温度抑制在一定范围，以便能进行稳定的结晶生长。对于结晶生长，过冷的推进使得始于坩埚(8)的壁的结晶生长变得不适合于大型结晶生长。对于坩埚(8)的壁与熔融液(13)的边界线(9)的温度，使温度传感器(1)通过观察窗(11)瞄准边界线(9)来监视温度，在始于坩埚(8)的壁的结晶生长开始的温度区域跟前，通过从控制部(4)对电源(5)发送信号来对炉温度进行升温，能够抑制始于坩埚(8)的壁的结晶生长，安全地生长大口径结晶。
口径 cz 生长装置及其方法

[发明专利]结晶材料的真空储存方法及装置-CN201180072961.8在审
发明人： 堀冈佑吉;梶原治郎;真田浩嗣 -专利权人：三菱综合材料技术株式会社
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明的目的在于单晶硅生长的过程中的炉内碳零件的劣化的防止、生长结晶中的碳浓度降低、以及单晶的多晶化比例的改善。再者，系为解决炉开放时，水分会吸附于炉内零件、烧结金属材料、或半导体结晶原料所致的炉的随时间变化或结晶的差排等问题。本发明的技术手段系包含真空抽取步骤，将填充有烧结金属的原料的模板，或是填充有砷化镓结晶以及用以进行半导体结晶生长的原料的坩埚的开口，以设有供应管及真空排气管的盖子予以闭合，该半导体结晶生长系为单晶硅或多晶硅的半导体结晶生长，且藉由该真空排气管将该模板或该坩埚的内部真空抽取成为10^-4托尔以下的高真空状态；以及升温干燥步骤，藉由该供应管将50℃以上且200℃以下的高温惰性气体填充于该模板或该坩埚的内部，使该原料升温并干燥，其中该原料系储存于为该盖子所覆盖的状态的该模板或该坩埚的内部。
结晶材料真空储存方法装置

[发明专利]硅结晶生长用石英坩埚的涂敷方法及硅结晶生长用石英坩埚-CN201180004906.5有效
发明人： 堀冈佑吉;樱木史郎 -专利权人： FTB研究所株式会社
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：本发明提供一种硅结晶生长用石英坩埚的涂敷方法，该涂敷方法能够将析晶涂层上形成的针孔直径抑制在较小水平。在本发明的涂敷方法中，在硅结晶生长用石英坩埚的内表面形成厚度为80μm以上且4mm以下的无气泡石英层，并且使用碱土金属氢氧化物包覆所述无气泡石英层的表面，然后，加热至上述表面发生析晶的温度以上。上述包覆可以通过使所述内表面浸渍到所述碱土金属氢氧化物的溶液中来进行。此外，上述加热可以在向所述硅结晶生长用石英坩埚中填充熔融原料的固体原料之前进行。
结晶生长石英坩埚方法

[发明专利]晶体生长装置及晶体生长方法-CN200980141358.3无效
发明人： 堀冈佑吉 -专利权人：三菱综合材料技术株式会社
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供使石英坩埚的较长期使用成为可能而且能够改善工作效率的晶体生长装置及晶体生长方法。本发明的晶体生长装置包括具有石英坩埚的晶体生长炉、原料熔融炉、从所述原料熔融炉向所述石英坩埚重复供给熔融原料的供给单元。所述晶体生长炉具有供给所述熔融原料的供给口，所述供给口也可以相对于所述原料熔融炉连接分离自如。另外，在所述原料熔融炉的周围也可以配置有多个所述晶体生长炉。并且，所述原料熔融炉也可以具有不熔解物质分离单元。另外，本发明的晶体生长方法中向石英坩埚填充预先熔化的熔融原料。在本发明的晶体生长方法中，也可以在所述填充之前从所述熔融原料除去不熔解物质。
晶体生长装置方法