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[发明专利]一种集成SBD的超结MOSFET-CN202010831004.X有效
发明人：罗小蓉;黄俊岳;宋旭;郗路凡;魏杰;戴恺纬;张森 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成了SBD的超结MOSFET。本发明相对与传统结构，具有以下几个特点：一、器件采用双槽结构，分别为槽栅结构和肖特基槽型结构，肖特基槽型结构的槽侧壁引入肖特基接触，能够有效节省版图面积和增大续流能力；二、双槽下方引入横向伸长的P型屏蔽层对双槽进行保护，可以抑制集成肖特基二极管的反向泄漏电流，并避免肖特基接触和槽栅底部提前击穿，有效提高击穿电压；三、漂移区采用了超结结构，有效地克服了P型屏蔽层带来的小电流能力问题。
一种集成 sbd mosfet

[发明专利]底部阳极肖特基二极管的结构与形成方法-CN200810214822.4有效
发明人：安荷·叭剌;雷燮光;苏毅 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2008-08-26 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种底部阳极肖特基器件，其承载在半导体衬底上，具有一作为阳极的底面，以及具有一覆盖在阳极上并和阳极具有相同的掺杂导电率的磊晶层。该底部阳极肖特基器件还包含一肖特基接触金属，该肖特基接触金属设置在若干沟槽中并覆盖在这些沟槽之间的半导体衬底的顶面。底部阳极肖特基器件还包含有若干个掺杂JBS区域，该掺杂JBS区域设置在若干侧壁上及位于前述沟槽的底面下方，并与阳极具有相反的导电类型，且这些掺杂JBS区域与设置在掺杂JBS区域之间的磊晶层构成一结势垒肖特基而底部阳极肖特基器件更包含一超浅N型香农植入层，直接设置在前述掺杂JBS区域之间的磊晶层中以及肖特基接触金属下方。
底部阳极肖特基二极管结构形成方法

[实用新型]一种碳化硅肖特基二极管器件-CN202321111554.X有效
发明人：童彤;刘韵吉;乔纳森·莫尔特;杨敏红 -专利权人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种碳化硅肖特基二极管器件，包括基底和N‑外延层，在N‑外延层上分布PN结；功率SiC型肖特基二极管(SBD)是多单胞结构并联结构，每个单胞均为PN结，PN结分别为肖特基金属区和欧姆接触金属区，欧姆接触金属区、肖特基金属区分别有其面积；肖特基金属区：PN结欧姆接触金属区面积比即SBD:PiN＝3.0:3.25。
一种碳化硅肖特基二极管器件

[发明专利]肖特基半导体装置-CN201710250669.X在审
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种肖特基半导体装置，在漂移层表面设置部分区域设置肖特基势垒结，在肖特基势垒结下部设置第二导电半导体材料区；降低肖特基势垒结反向偏压下表面电势，降低肖特基势垒结反向偏压下漏电流；在漂移层中形成反向偏压下的峰值电场
肖特基势垒结反向偏压半导体装置漂移层肖特基导电半导体材料肖特基势垒表面设置导通电阻峰值电场区域设置漏电流下表面电势

[发明专利]在超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法-CN201110021587.0有效
发明人：金勤海;王永成;陈正嵘 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种在超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法，为在超级结MOSFET中并联集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，肖特基二极管的阳极位于超级结MOSFET元胞区域的源端两个体区之间的漂移区上，肖特基二极管的阳极与超级结MOSFET的源端相连；阳极的漂移区上还设有多个掺杂区，掺杂区的导电类型与漂移区相反，杂质浓度大于漂移区的杂质浓度，掺杂区也与超级结MOSFET的源端相连；肖特基二极管的阴极共用位于衬底背面的所述超级结本发明的方法，可降低肖特基二极管的反向漏电。
超级 mosfet 集成肖特基二极管方法

[发明专利]有机/金属肖特基结堆栈热电子光电探测器及制作方法-CN201911031383.8有效
发明人：崔艳霞;赵成杰;高琳华;李国辉;翟爱平;王文艳;冀婷;张叶;郝玉英 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明涉及光电探测器制作领域，一种有机/金属肖特基结堆栈的热电子光电探测器，由阳极层、成核诱导层、肖特基结组、阴极层组成，阳极层为铟锡氧化物ITO，单个肖特基结由8纳米±0.05纳米的银金属层和5纳米±0.02纳米的8‑羟基喹啉铝Alq3有机半导体层构成，重复单个肖特基实现多个肖特基结堆栈的结构，阴极层为100纳米±0.2纳米厚的银层。本发明还涉及一种有机/金属肖特基结堆栈的热电子光电探测器制备方法。本发明中设计的光电探测器，在不加偏压的条件下，随着肖特基结数量的增加，暗电流保持在‑4×10‑6安。
有机金属肖特基结堆栈电子光电探测器制作方法

[发明专利]一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制法-CN201010570087.8无效
发明人：刘莹 -专利权人：刘莹
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L31/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法，其结构为：以超白玻璃为衬底，其上设一层起阻挡钝化作用的薄膜，薄膜上设一层N型多晶硅薄膜，其上设栅状或梳状铝电极，在多晶硅薄膜内部设由铝电极渗透到多晶硅薄膜内形成的栅状或梳状肖特基PN结。本发明还公开了制备方法：清洁衬底，依次在其上以真空镀膜方式镀阻挡钝化薄膜，以液相外延或真空镀膜的方式镀制N型多晶硅薄膜，然后印刷栅状或梳状引出电极，用强激光照射铝负极使部分铝渗入多晶硅薄膜内部形成栅状或梳状肖特基结由于PN结为栅状或梳状，有效PN结长度增加，比传统结构的太阳多晶硅薄膜电池提高了转化效率，同时简化了生产过程。
一种肖特基结单面电极多晶薄膜太阳能电池及其制法

[发明专利]一种钯连接的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池及其制备方法-CN202010516129.3在审
发明人：李国强;张志杰;余粤锋;林静 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L31/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种钯连接的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池及其制备方法。该双结GaAs/Si肖特基结太阳电池由下至上依次为Au背电极、Si衬底、石墨烯层、钯纳米颗粒、GaAs衬底、石墨烯层、银浆顶电极。本发明还公开了以上钯连接的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池的制备方法。本发明的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池，不仅制备工艺简单，器件生产成本较低，而且对环境污染较少，具有广阔应用前景。
一种连接 gaas si 肖特基结太阳电池及其制备方法

[发明专利]SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法-CN201110380662.2有效
发明人：白云;申华军;汤益丹;李博;周静涛;杨成樾;刘焕明;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供SiC结势垒肖特基二极管，包括肖特基金属下的P型区，所述肖特基金属下的P型区分别由P+-SiC和P--SiC两个区域构成；所述SiC结势垒肖特基二极管的结终端延伸区域由P--SiC区构成。本发明还提供SiC结势垒肖特基二极管的制作方法。本发明提供的SiC结势垒肖特基二极管的制作方法降低了工艺的复杂度，减小了两次或多次Al离子注入工艺引入不利影响因素的可能性。
sic 结势垒肖特基二极管及其制作方法

[实用新型]一种具有深沟槽的碳化硅超结SBD器件元胞结构-CN201820101695.6有效
发明人：袁俊;黄兴;倪炜江;张敬伟;牛喜平;李明山;徐妙玲;陈欣璐;吕枞;窦娟娟;耿伟;孙安信 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有深沟槽的碳化硅超结SBD器件元胞结构，所述元胞结构的N‑外延层中设置有若干个深沟槽，所述深沟槽的深度为t1，所述N‑外延层的厚度为T＝t1+t2，其中，t1大于t2；深沟槽的侧壁及底部注入一圈PPlus，然后在深沟槽中填入P型掺杂的多晶硅或金属，并与肖特基区的肖特基接触金属相连。本申请通过在碳化硅SBD器件元胞中结合深沟槽结构和与其相连P Plus结构，构造出一种新颖的超结器件，能避免传统超结结构的深注入或多次外延工艺的难度，进一步降低器件正向导通损耗，增强SBD器件的耐压能力
一种具有深沟碳化硅 sbd 器件结构

[发明专利]一种获取肖特基二极管结参数的方法-CN200610034222.0无效
发明人：黄云 -专利权人：信息产业部电子第五研究所
申请日： 2006-03-13 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种获取肖特基二极管结参数的方法，它包括如下步骤：用等效电路来模拟肖特基势垒结；对肖特基势垒结的正向I－V曲线，用双指数函数解析式进行模拟，该双指数函数解析式中包含有反映肖特基势垒结特性和质量的结参数；通过对所述双指数函数解析式的转换和对相关实验数据的换算处理以获取所述结参数的值。本发明的结参数提取方法能为器件特性和参数的稳定性与退化研究提供实用可行的分析手段。利用结电流在不同区间对并联电阻和串联电阻的不同敏感程度，可以通过对I－V特性的定量分析来研究肖特基势垒结质量。本发明为研究和分析肖特基势垒结的质量和可靠性提供了一种新的实用可行的分析技术和手段。
一种获取肖特基二极管参数方法

[发明专利]一种肖特基结电爆换能元及其制备方法-CN201310292192.3有效
发明人：朱朋;胡博;沈瑞琪;叶迎华;付帅;李东乐;梁振华 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： F42B3/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基结电爆换能元，所述电爆换能元包括：硅基衬底、SiO2绝缘层、金属铝层、肖特基结桥区层；本发明与现有技术相比，其显著优点在于每一个肖特基结都有一定的击穿电压，通过控制肖特基结的数量实现换能元的激发能量可控；肖特基结具有反向击穿特性，使换能元能够抗杂散电流，具有本质的安全性；Al和CuO能够发生氧化还原反应，实现换能元的输出能量增加。
一种肖特基结电爆换能元及其制备方法

[发明专利]一种双场调控的肖特基结-CN201811490966.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：金华伏安光电科技有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明涉及一种双场调控的肖特基结，包括N型半导体，以及与N型半导体相连的金属体，所述N型半导体的表面设置有等间隔排列的不同高度的金属条；该双场调控的肖特基结，解决现有的肖特基结在调控肖特基势垒的方式方面，比较单一，这极大的限制了肖特基结的功能应用的问题，通过改变N型半导体的局部温度，从而使得N型半导体形成一个温度梯度，使得N型半导体内部的载流子发生定向移动，从而形成一个微电流，达到调控肖特基结的肖特基势垒的目的
肖特基结调控肖特基势垒载流子等间隔排列表面设置定向移动功能应用温度梯度金属体金属条微电流

[实用新型]一种沟槽肖特基管结构及半导体器件-CN201520461970.1有效
发明人：余强;张小辛;郑晨焱 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种沟槽肖特基管结构及半导体器件，所述沟槽肖特基管结构至少包括：分区域制备于外延片表层的第一沟槽型肖特基结构和第二沟槽型肖特基结构；其中，所述第一沟槽型肖特基结构包括岛状肖特基结阵列及围绕于各岛状肖特基结周围的连续网状沟槽单元；所述第二沟槽型肖特基结构包括分离沟槽单元阵列及围绕于各分离沟槽单元周围的连续网状肖特基结。本实用新型的沟槽肖特基管结构降低了沟槽总面积，使得沟槽型功率肖特基器件的有效面积增加，同时具有高反向击穿电压，低正向压降和高电流通过能力。
一种沟槽肖特基管结构半导体器件

[实用新型]集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件-CN202220117251.8有效
发明人：于霄恬 -专利权人：海科（嘉兴）电力科技有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件，用以解决现有的结势垒肖特基元胞和MOSFET元胞，在共同占用器件的有源区部分时存在冲突的技术问题。器件包括：外延层与在外延层的第一侧表面分布的复合元胞；复合元胞包括：阱区、源极区域、第一高掺杂P型区域及结势垒肖特基区域；结势垒肖特基区域包含肖特基区域以及第二高掺杂P型区域；阱区环绕区域形成结型场效应管JFET区域；阱区与外延层间形成第一PN结，与源极区域间形成第二PN结，第二高掺杂P型区域与外延层间形成第三PN结；JFET区域与肖特基区域的宽度的取值范围均在相同的预设区间。本申请通过上述器件解决了结势垒肖特基元胞和MOSFET元胞，在共同占用器件的有源区部分时存在冲突的问题。
集成结势垒肖特基二极管平面功率 mosfet 器件