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[实用新型]空气桥尺寸各异的太赫兹倍频肖特基二极管-CN201620478189.X有效
发明人：王俊龙;冯志红;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;邢东 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种空气桥尺寸各异的太赫兹倍频肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括肖特基二极管本体，所述肖特基二极管本体包括四个以上连成一串的肖特基二极管结，每个肖特基二极管结的阳极与阴极之间通过空气桥连接，所述肖特基二极管结中空气桥的长度从中间向两边逐渐增加。所述肖特基二极管的空气桥自中间到两端的尺寸逐渐增大，充分考虑电磁场的横向分布，用于倍频时不易烧毁，可以改善二极管的耐用性。
空气尺寸各异赫兹倍频肖特基二极管

[发明专利]一种多沟道横向超结肖特基势垒二极管及其制备方法-CN202211143842.3在审
发明人：赵胜雷;艾月;张进成;刘爽;宋秀峰;黄永;陈兴;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种多沟道横向超结肖特基势垒二极管及其制备方法，包括：衬底以及依次堆叠在衬底上的超结结构、第一功能层和第二功能层；超结结构由偶数个交替堆叠的p型缓冲层和n型缓冲层构成第一功能层包括叠设的第一沟道层和第一势垒层，第二功能层包括叠设的第二沟道层和第二势垒层；位于第二功能层上的阴极，且阴极与第二势垒层形成欧姆接触；位于第二功能层远离阴极的一端的阳极，且阳极的下表面延伸至第一沟道层内部，并与第一沟道层形成肖特基接触本申请实施例能够解决现有的横向肖特基势垒二极管容易发生雪崩效应使得器件发生提前击穿的问题。
一种沟道横向肖特基势垒二极管及其制备方法

[发明专利]基于肖特基结的线偏振光探测器及其制备方法-CN201910706871.8有效
发明人：赵凯;魏钟鸣;李京波;宗易昕;邓惠雄;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于肖特基结的线偏振光探测器及其制备方法，属于光探测器的制备技术领域。所述基于肖特基结的线偏振光探测器，包括：漏电极、源电极、二氧化硅衬底以及有源层；所述漏电极、有源层以及源电极从左至右依次位于所述二氧化硅衬底上方；所述有源层的材料为N型半导体纳米线；所述漏电极和源电极的材料均为金属材料本发明提供的基于肖特基结的线偏振光探测器，通过使用半导体纳米线作为有源层，而源、漏电极均为金属材料，使半导体和金属的交界面为肖特基结，肖特基结可以使有源层本身只能吸收可见光延伸至红外光。
基于肖特基结偏振光探测器及其制备方法

[发明专利]大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构-CN202011085010.1有效
发明人：张立森;梁士雄;杨大宝;宋旭波;徐鹏;吕元杰;顾国栋;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，属于半导体器件技术领域，包括多个串联单元，串联单元的数量为偶数，每个串联单元包括多个同向串联的肖特基结；多个串联单元反向并联。本发明提供的大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，利用串联电路和并联电路的原理，采用多个同向串联肖特基结进行反向并联的形式，通过增加肖特基结个数，使得倍频器可以承受更大的输入功率，从而得到更大的输出功率
大功率宽带赫兹倍频肖特基二极管结构

[发明专利]一种集成沟槽肖特基的MOSFET-CN201610481044.X有效
发明人：李泽宏;李爽;陈文梅;陈哲;曹晓峰;李家驹;罗蕾;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术，特别涉及一种集成沟槽肖特基的MOSFET。该集成沟槽肖特基的MOSFET为在MOSFET中集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，肖特基结由金属层与N型轻掺杂环接触形成，位于MOSFET槽型栅极下方，其肖特基二极管的阳极电位通过阳极引出金属与本发明的肖特基二极管与MOSFET二极管的集成更为紧凑，位于体内的肖特基结减小了占用的芯片面积。
一种集成沟槽肖特基 mosfet

[发明专利]一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法-CN201710052574.7在审
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区、上电极金属层和下电极金属层。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触超势垒整流器及其制造方法

[实用新型]一种肖特基势垒接触的超势垒整流器-CN201720104249.6有效
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基势垒接触的超势垒整流器。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区、上电极金属层和下电极金属层。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触超势垒整流器

[发明专利]一种基于锗烯的二维肖特基异质结模型的构建方法-CN202011291774.6有效
发明人：张瑞;郝国强;张文静;叶晓军;李红波 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G16C20/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于锗烯的二维肖特基异质结模型的构建方法：建立WSe2体材料模型；建立Germanene模型；将WSe2体材料模型均切晶面得到单层WSe2，将Germanene模型均切晶面得到Germanene薄层；根据Germanene薄层建立Germanene的超胞，根据单层WSe2建立WSe2的超胞，将Germanene的超胞垂直叠加在WSe2的超胞上，得到Germanene/WSe2异质结模型。
一种基于二维肖特基异质结模型构建方法

[实用新型]集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件-CN202220120501.3有效
发明人：于霄恬 -专利权人：海科（嘉兴）电力科技有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件，用以解决现有的结势垒肖特基元胞和MOSFET元胞，在共同占用器件的有源区部分时存在冲突的技术问题。器件包括：外延层，以及在外延层的第一侧表面分布的复合元胞；复合元胞包括：阱区、源极区域、高掺杂P型区域及肖特基区域；高掺杂P型区域环绕肖特基区域；高掺杂P型区域与肖特基区域为同心正四边形结构；在阱区环绕的区域形成结型场效应管JFET区域；阱区与外延层间形成第一PN结，阱区与源极区域间形成第二PN结；JFET区域的宽度的取值范围与肖特基区域的宽度的取值范围均在相同的预设区间。本申请通过上述器件解决了结势垒肖特基元胞和MOSFET元胞，在共同占用器件的有源区部分时存在冲突的问题。
集成结势垒肖特基二极管平面功率 mosfet 器件

[实用新型]一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件-CN202220117141.1有效
发明人：于霄恬 -专利权人：海科（嘉兴）电力科技有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，属于半导体制造领域，用于解决在MOSFET器件的外部并联肖特基二极管的方式导致集成了MOSFET器件的芯片尺寸增大、制作成本增多的技术问题。器件包括：外延层，以及外延层的表面排布的复合元胞；复合元胞包括阱区、源极区域第一高掺杂P型区域以及结势垒肖特基区域；结势垒肖特基区域包括多层环状高掺杂P型区域，以及每层环状高掺杂P型区域之间形成的肖特基区域；结势垒肖特基区域环绕阱区，源极区域位于阱区内部，源极区域环绕第一高掺杂P型区域；每四个结势垒肖特基区域之间具有一个第二高掺杂P型区域，尺寸为[0μm～20μm]；所述第二高掺杂P型区域的离子掺杂浓度与所述第一高掺杂
一种集成结势垒肖特基 mosfet 器件

[发明专利]用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管及半导体器件-CN202011085015.4有效
发明人：张立森;梁士雄;杨大宝;宋旭波;吕元杰;顾国栋;徐鹏;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管及半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括多个同向并联的肖特基结。本发明提供的用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管，采用多个同向肖特基结并联的形式，进而增加总电容数值，提高电容测试精度，通过测试多个二极管电容的准确值，再进行线性拟合得到单结二极管的准确结电容。
用于赫兹频段电容测试肖特基二极管半导体器件

[发明专利]一种具有异质结的结势垒肖特基器件-CN202110955608.X在审
发明人：李茂宾 -专利权人：江苏芯唐微电子有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有异质结的结势垒肖特基器件，涉及肖特基器件领域，该结势垒肖特基器件在具有第一掺杂类型的半导体外延层的表面形成有第二掺杂类型的变掺杂区，变掺杂区内部设置有贯穿变掺杂区的表面至底部的具有第二掺杂类型的多晶硅层；当该结势垒肖特基器件正向偏置时，电流通过多晶硅层及其外部的变掺杂区与半导体外延层的接触界面形成的异质结，以及阳极金属层与半导体外延层的接触界面形成肖特基结流向漂移区，电流密度相对较大，由于半导体外延层整体的掺杂浓度不变，而且相同的变掺杂区同样可以夹断台面，使得肖特基势垒被屏蔽在高电场之外，所以，在有较优的正向导通特性的基础上，该结构的反向击穿特性也不会受到严重影响。
一种具有异质结结势垒肖特基器件

[发明专利]一种基于IGZO肖特基二极管动态调控超材料的方法-CN201910893666.7有效
发明人：张翼飞;凌昊天;宋爱民;王卿璞 -专利权人：山东大学
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于IGZO肖特基二极管动态调控超材料的方法，IGZO肖特基二极管包括由下自上依次生长的衬底、肖特基电极、非晶铟镓锌氧有源层、欧姆电极，包括步骤如下：(1)将超材料作为肖特基电极，并使非晶铟镓锌氧有源层完全覆盖超材料中的电容性结构，超材料中的电容性结构与非晶铟镓锌氧有源层结合形成肖特基势垒；(2)通过步骤(1)处理后的IGZO肖特基二极管动态调控超材料。本发明实现了对超材料包括透过率、反射率和吸收率在内的电磁特性大幅动态调制，同时不影响超材料结构设计的共振频率，可以被应用到各类超材料器件和具有超材料结构的等离激元器件当中，实现对空间传输的电磁波和表面传输的电磁波的动态调控
一种基于 igzo 肖特基二极管动态调控材料方法

[发明专利]一种氧化镓超级结肖特基二极管及其制备方法-CN202110758698.3在审
发明人：李京波;王小周;赵艳;高歌;李翎 -专利权人：浙江芯国半导体有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓超级结肖特基二极管及其制备方法，所述制备方法包括：选取衬底并在衬底上生长N型外延层；在N型外延层的上表面预定区域注入离子，形成两个N型注入区；在两个N型注入区之间的N型外延层的上表面注入离子该肖特基二极管结合了超结结构的耐高电压以及结势垒肖特基二极管的低反向漏电电流，使其有高击穿电压并且减少了表面电场。
一种氧化超级结肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量的方法-CN201310191038.7有效
发明人：崔昊杨;李志锋;许永鹏;曾俊冬;唐忠;杨俊杰;汤乃云;朱武;陈琳 -专利权人：上海电力学院;中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量的方法，采用超快脉冲激光照射光伏型碲镉汞薄膜探测器，探测器输出信号呈现脉冲形式的光伏响应信号，数字存储示波器采集并储存光伏信号，探测器光伏响应信号为一个峰值时，为欧姆电极；当探测器光伏响应信号存在两个峰值时，判断电极界面存在肖特基接触，第一个光伏峰值由电极界面肖特基接触形成，第二个光伏峰值由pn结形成，分别计算肖特基接触形成和pn结形成的脉冲光伏的峰值，判断电极质量
一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量方法