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[发明专利]一种超结屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法-CN202310301554.4在审
发明人：刘厚超;黄宇萍;马一洁;张雨;苏亚兵 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种超结屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法，包括：载体，包括第一预定区域和第二预定区域；至少一屏蔽栅沟槽底超结柱区，形成于第一预定区域；至少一屏蔽栅沟槽，形成于第二预定区域，且屏蔽栅沟槽的光刻中心与屏蔽栅沟槽底超结柱区一致；体区，形成于屏蔽栅沟槽的四周的第二预定区域内；源区，形成于体区的上方；介质层，形成于载体的上方；金属层，形成于介质层的上方以及介质层的接触孔内。有益效果：通过在屏蔽栅沟槽的下方形成屏蔽栅沟槽底超结柱区，通过对屏蔽栅沟槽底超结柱区的深度和掺杂浓度的调制，以不同的耐压要求；同时，槽底部分采用硅的P/N结之间深耗尽的方式，大大提升器件Rsp(特征导通电阻)特性。
一种屏蔽沟槽 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种阶梯栅沟槽肖特基势垒二极管器件的制备方法及器件-CN202310098585.4在审
发明人：刘厚超;黄宇萍;马一洁;张雨;苏亚兵;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种阶梯栅沟槽肖特基势垒二极管器件的制备方法及器件，包括：于衬底上形成外延层；进行垫氧化层的生长和肖特基势垒区的注入，去除垫氧化层；刻蚀沟槽，沟槽包括至少一第一沟槽和第二沟槽，并于外延层中形成浮空注入区；生长厚栅氧层，淀积、回刻厚栅氧多晶硅电极；以有源区光罩为阻挡，对厚栅氧层进行预定高度的湿法腐蚀，形成薄栅氧预置区；于薄栅氧预置区的底部和侧壁生长薄栅氧层，淀积、回刻薄栅氧多晶硅电极。有益效果：通过设置肖特基势垒区，调节肖特基势垒和表面电场，通过薄栅氧层的设置增强横向电场，抑制反向漏电；浮空注入区能够延伸电场分布范围，形成另一个截止反向漏电保护锁，提高器件耐压能力。
一种阶梯沟槽肖特基势垒二极管器件制备方法

[发明专利]一种低压超结沟槽MOS器件的制备方法及结构-CN202210924492.8有效
发明人：刘厚超;黄宇萍;马一洁;张雨;苏亚兵;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种低压超结沟槽MOS器件的制备方法及结构，涉及半导体技术领域，包括：步骤S1，于衬底上形成外延层；步骤S2，于外延层中形成至少一个柱区；步骤S3，于外延层中形成浮岛；步骤S4，于外延层中形成浅沟槽，且浅沟槽的底部设有硬掩蔽层，浅沟槽的侧壁设有栅氧化层；以及于外延层中形成深沟槽，深沟槽的底部和侧壁设有场氧化层，浅沟槽和深沟槽内形成多晶硅层；步骤S5，于柱区和浮岛的上方形成体区，然后于体区的上方形成注入区；步骤S6，进行介质层的淀积和多个接触孔的刻蚀，进行金属层的淀积和刻蚀。本发明器件的安全工作区更宽，过电流能力更大，栅极电荷及反向恢复电荷更小，特征导通电阻较低。
一种低压沟槽 mos 器件制备方法结构

[发明专利]一种泮托拉唑钠的制备方法-CN202211186616.3在审
发明人：周胜军;陈辉;陆翠军;聂良邓;郭卫革;黄宇萍 -专利权人：安徽普利药业有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C07D401/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种改进的泮托拉唑钠及其S构型泮托拉唑钠的制备工艺，包括如下步骤，取泮托拉唑粗品加入NaOH水溶液，加入乙醇钠，搅拌反应，保持PH8‑11；将上述反应液加入改性分子筛中，滤液加入不良溶剂析出沉淀，再次重结晶即得，可以依照不同需求使用不同分子筛获得相应产品，结晶形态良好。
一种泮托拉唑钠制备方法

[发明专利]一种左卡尼汀的工业化制备方法-CN202210765087.6在审
发明人：朱逸凡;范敏华;陆翠军;周胜军;陈然;孙冰洋;童晓明;沈利红;刘洁;黄宇萍;郭卫革 -专利权人：安徽普利药业有限公司;海南普利制药股份有限公司;浙江普利药业有限公司;北京普利生物医药有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C07C229/22 文献下载
摘要：本发明涉及医药化工技术领域，具体涉及一种左卡尼汀的工业化制备方法。所述方法为将式2化合物中加入碱金属盐，经过阳离子交换树脂吸附，氨水解吸得到左卡尼汀式3化合物。与现有技术相比，本发明的技术方案可以使反应充分进行，反应彻底，无原料剩余，并且有效去除左卡尼汀制备过程中常见的杂质A，从而得到高收率、高纯度的左卡尼汀成品，收率可达99％，纯度可达100％。除此之外，本发明工艺简单，相关原料所需成本低，工业化应用可产生很好的经济效益。
一种左卡尼汀工业化制备方法

[实用新型]基于无人机摄像的土地利用信息查询的显示系统-CN202120432075.2有效
发明人：易浪;莫京龙;黄宇萍;郭峰;冯健;姜济舟 -专利权人：湖南经地科技发展有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B64D47/00 文献下载
摘要：本申请属于无人机摄像的领域，涉及一种基于无人机摄像的土地利用信息查询的显示系统，包括位于机体上的安装板，所述安装板上设置有显示器，所述安装板上设置有用于罩住所述显示器的防雨组件，所述防雨组件包括均呈圆弧状的固定罩和滑动罩，所述固定罩固定连接于所述安装板上表面，所述滑动罩转动连接于所述固定罩内部，所述滑动罩和所述固定罩的外侧壁均开设有导水槽，本申请具有能改善显示器被雨水淋湿的情况，从而方便工作人员观察显示器的效果。
基于无人机摄像土地利用信息查询显示系统

[实用新型]可调水位的高效型滤池反冲洗结构-CN201921944488.8有效
发明人： 黄宇萍;房思美 -专利权人：广东玮霖环保科技有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C02F3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种可调水位的高效型滤池反冲洗结构，其在设置有滤层的滤池上配置水位调节阀；对于滤池反冲洗过程，通过计算该反冲洗各个阶段滤层的膨胀高度来确定滤池所需的最佳水位高度，据此调整水位调节阀，使滤池内水位被控制在所需的最佳水位上；如此，通过对滤池的水位控制以满足不同反冲洗阶段的水位需求，进而确保反冲洗效果，节水节能，同时避免滤料流失；其结构简单操作方便，既适用于新建工程，也适用于旧池改建工程。改建时只需将原洗水槽拆除，配置水位调节阀即可，只需很少改动；因此，适合普遍推广应用，实用性强。
可调水位高效滤池冲洗结构

[发明专利]可调水位的高效型滤池反冲洗方法及结构-CN201911100248.4在审
发明人： 黄宇萍;房思美 -专利权人：东莞市玮霖环保科技有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C02F3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种可调水位的高效型滤池反冲洗方法及结构，其在设置有滤层的滤池上配置水位调节阀；对于滤池反冲洗过程，通过计算该反冲洗各个阶段滤层的膨胀高度来确定滤池所需的最佳水位高度，据此调整水位调节阀，使滤池内水位被控制在所需的最佳水位上；如此，通过对滤池的水位控制以满足不同反冲洗阶段的水位需求，进而确保反冲洗效果，节水节能，同时避免滤料流失；其结构简单操作方便，既适用于新建工程，也适用于旧池改建工程。改建时只需将原洗水槽拆除，配置水位调节阀即可，只需很少改动；因此，适合普遍推广应用，实用性强。
水位滤池水位调节阀反冲洗滤池反冲洗滤层改建滤料流失水位控制高效型洗水槽旧池可调配置节能膨胀拆除节水

[发明专利]超势垒二极管的加工方法和超势垒二极管-CN201510363885.6有效
发明人：李理;黄宇萍 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供了一种超势垒二极管的加工方法和超势垒二极管，所述加工方法包括：在N型衬底上依次形成N型外延层、场氧化层、多晶硅层和绝缘层；在绝缘层上形成图形化掩膜层后，对绝缘层进行各向同性刻蚀，以形成绝缘层掩膜结构；以形成的绝缘层掩膜结构为掩膜，依次对多晶硅层和场氧化层进行各向异性刻蚀，以暴露出用于制作体区的外延层的指定区域；在外延层的指定区域形成P型体区；在经过刻蚀的场化层的边缘下方的外延层中形成P‑型区域，在P‑型区域的上方对应的多晶硅层形成P型多晶硅结构；在形成P型多晶硅结构的P型体区中，形成与P‑型区域分离的N+型区域和电极。通过本发明的技术方案，提升了超势垒二极管的可靠性。
超势垒二极管加工方法

[实用新型]一种种子隔菌萌发皿-CN201720081019.2有效
发明人：傅淑;杨广;刘昭霞;黄宇萍;陈金芝;尤民生 -专利权人：福建农林大学
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： A01C1/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种种子隔菌萌发皿，包括上方开口中部具有空腔的底槽，所述底槽的空腔内置放有隔离各个种子隔菌框架，所述隔菌框架包括封闭围合的外壁，所述外壁内设有多个交错设置的横向隔菌板及纵向隔菌板，所述横向隔菌板及纵向隔菌板交错形成相互隔离的萌发皿空间，隔菌框架的上表面设有覆盖在各个萌发皿空间上方开口使萌发皿空间封闭的封膜。本实用新型专利利用单独设置的萌发皿空间，使得单颗种子有独立的空间萌发生长，这样就避免了病原菌在种子间相互传染；由于种子在萌发及前期生长阶段可以不需要瓶外空气供给，所以采用顶端具有封口措施，这样就达到了防止外界病原菌的侵染。
一种种子萌发

[发明专利]恒流二极管的制造方法和恒流二极管-CN201410324088.2在审
发明人： 黄宇萍;赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种恒流二极管的制造方法和一种恒流二极管，其中，恒流二极管的制造方法，包括：在形成有沟槽的衬底表面生长栅氧化层，并在所述栅氧化层的表面淀积多晶硅层；对所述多晶硅层进行回刻，并在经过回刻处理之后的衬底表面生长第一介质层；对所述第一介质层进行光刻、刻蚀，以得到接触孔；向形成有所述接触孔的衬底表面注入掺杂离子并做退火处理，以形成阱区；在形成有所述阱区的衬底表面生长金属层，以得到所述恒流二极管。本发明的技术方案使得恒流二极管与肖特基二极管可以采用相同的工艺平台进行开发，降低了半导体器件的生产成本，并且有效扩展了半导体器件的生产线。
二极管制造方法

[发明专利]一种新型小型的气水反冲洗过滤池-CN201310013543.2有效
发明人： 黄宇萍 -专利权人：东莞市科达环保工程有限公司
申请日： 2013-01-15 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： B01D36/02 文献下载
摘要：本发明公开一种新型小型气水反冲洗过滤池，包括有一池体，可分为2~6个滤格，每个滤格过滤面积不大于30m2；该滤格设置有进水区、过滤区以及配水配气区，通过本发明人对滤头的优化设计，可有效地防止滤头堵塞，大大地延长滤池的翻修周期；其翻修周期可达5年以上。通过本发明人对池体各个部位的优化设计，可提高反洗效果，节能降耗且能有效防止滤料流失；由于取消V型滤池专用的进水分配槽、堰板和V形槽，只采用进水总管加进水支管的形式向各滤格分配原水，可基本达到均匀进水的要求，简化了池体结构；由于反洗水通过池底配水配气区均布，反洗气则通过池外的配气歧管均布，又进一步简化池体结构，占地缩小，造价降低。
一种新型小型气水反冲洗滤池

[实用新型]上向流反冲洗滤池-CN201320019102.9有效
发明人： 黄宇萍 -专利权人：东莞市科达环保工程有限公司
申请日： 2013-01-15 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： B01D36/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种上向流反冲洗滤池，包括有一滤池本体，所述滤池本体可分为若干滤格，每一滤格从上到下分为滤水区、过滤区以及配气配水区，该配气配水区设置有一原水进水口、一反冲洗进气口以及一反冲洗进水口，该滤水区设置有一出水口，所述出水口通过管道与清水池连通，所述滤水区中设置有至少一个洗水槽，该洗水槽通过管道与一废水池连通，该出水口与滤层之间设置有一可将滤水区的滤液排出的电动闸门，该电动阀门与上述出水口连通，该电动闸门下缘与滤层顶面的距离为10cm。通过电动闸门的设计既能收集滤层上方的滤液，又能提高反冲洗效果，达到节能降耗的目的；在每滤格的底部设置一个正洗阀门，避免滤池翻修所导致的巨大损失。
冲洗滤池

[实用新型]一种新型小型的气水反冲洗过滤池-CN201320019089.7有效
发明人： 黄宇萍 -专利权人：东莞市科达环保工程有限公司
申请日： 2013-01-15 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： B01D36/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型小型气水反冲洗过滤池，包括有一池体，可分为2~6个滤格，每个滤格过滤面积不大于30m2；该滤格设置有进水区、过滤区以及配水配气区，通过本发明人对滤头的优化设计，可有效地防止滤头堵塞，大大地延长滤池的翻修周期；其翻修周期可达5年以上。通过本发明人对池体各个部位的优化设计，可提高反洗效果，节能降耗且能有效防止滤料流失；由于取消V型滤池专用的进水分配槽、堰板和V形槽，只采用进水总管加进水支管的形式向各滤格分配原水，可基本达到均匀进水的要求，简化了池体结构；由于反洗水通过池底配水配气区均布，反洗气则通过池外的配气歧管均布，又进一步简化池体结构，占地缩小，造价降低。
一种新型小型气水反冲洗滤池

[实用新型]滤头-CN201320019090.X有效
发明人： 黄宇萍 -专利权人：东莞市科达环保工程有限公司
申请日： 2013-01-15 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： B01D29/31 文献下载
摘要：本实用新型公开一种滤头，包括有一用于过滤水的滤帽和与该滤帽连接的滤管，所述滤帽为一圆柱筒体，该圆柱筒体内设置有一顶盖、一筒壁和由该顶盖和筒壁合围形成的一内腔，该圆柱筒体底部设置有一开口，该开口与滤管连通，该圆柱筒体绕筒壁均匀分布设置有若干条过滤间隙；所述过滤间隙为长方形孔，该过滤间隙的宽度为0.8mm、长度为16mm；通过该滤头的优化设计，同时将所述过滤间隙设计为长方形，且该过滤间隙的宽度为0.8mm，长度为16mm；从而使得该滤头不易堵塞积泥，提高出水质量和产水量；反冲洗时，布气布水均匀，无死水区，使反冲洗更为彻底，延长了过滤周期，降低滤池运行成本，施工管理也极为方便。
滤头

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