专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种多芯片堆叠结构-CN201922327924.3有效
  • 孙鹏;孙立明 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2019-12-20 - 2020-09-22 - H01L25/18
  • 本实用新型属于封装技术领域,具体涉及一种多芯片堆叠结构。该结构包括基板;若干芯片,沿垂直于所述基板的方向堆叠设置,且相邻芯片间设置有支撑结构;所述芯片和所述基板电互连;该多芯片堆叠结构通过支撑结构可以实现多个正装芯片重复堆叠,分别与基板实现电互连,有效减小该多芯片堆叠结构的体积,进一步减小封装产品的尺寸;该多芯片堆叠结构可用于传统正装芯片封装中,且其对封装工艺的精度要求和成本均较低。
  • 一种芯片堆叠结构
  • [实用新型]一种紧凑型BGA封装结构-CN202222219155.7有效
  • 陈学芹 - 力成科技(苏州)有限公司
  • 2022-08-23 - 2023-01-06 - H01L25/18
  • 本实用新型公开了一种紧凑型BGA封装结构,包括堆叠主体、以及成型于堆叠主体上的塑封料,堆叠主体包括基板、底层芯片组、上层芯片组、控制芯片和DDR芯片,底层芯片堆叠于基板上,上层芯片组错位堆叠于底层芯片组上,该上层芯片组与基板之间于底层芯片组旁侧形成间隙,控制芯片堆叠于基板上,且位于间隙内,DDR芯片堆叠于控制芯片上,且上端与上层芯片组下端相抵接。本实用新型上层芯片组错位堆叠于下层芯片组上,且与基板之间形成间隙,将控制芯片和DDR芯片同时堆叠于上层芯片组的下方,且DDR芯片抵接于上层芯片组的下端,减小了芯片封装结构的横向空间。
  • 一种紧凑型bga封装结构
  • [发明专利]一种堆叠封装结构及LED显示装置-CN202110666557.9在审
  • 李年谱;秦快;郭恒;欧阳小波;赵强;陈红文;王军永;李碧波 - 佛山市国星光电股份有限公司
  • 2021-06-16 - 2021-10-22 - H01L25/075
  • 本申请实施例属于LED封装技术领域,涉及一种堆叠封装结构及LED显示装置。本申请提供的技术方案包括线路板和若干芯片堆叠结构,所述芯片堆叠结构设于所述线路板上,所述芯片堆叠结构包括至少三个芯片,至少三个所述芯片中的至少一个为倒装芯片,至少一个为垂直芯片,至少一个所述倒装芯片的至少一个电极上设有电连接结构,至少一个所述垂直芯片设于所述倒装芯片上,所述垂直芯片通过所述电连接结构与所述倒装芯片电连接,以形成至少两层堆叠式组合芯片。对现有芯片和线路板进行优化,对至少三个芯片进行堆叠,形成至少两层堆叠式组合芯片,能够缩小芯片摆放空间,实现芯片排布优化,能够实现R/G/B三色的单独控制。
  • 一种堆叠封装结构led显示装置
  • [发明专利]一种交错堆叠DDR模组及其热分析方法-CN202110140717.6在审
  • 孙海燕;张琦 - 南通大学
  • 2021-02-02 - 2021-06-11 - H01L25/065
  • 本发明提供了一种交错堆叠DDR模组,包括:一基板;一多芯片交错堆叠结构,由多个芯片交错堆叠而成,其中,多芯片交错堆叠结构通过第一粘着层与所述基板连接,所述多芯片交错堆叠结构各个芯片之间通过第二粘着层连接;以及一封装体,包覆所述多芯片交错堆叠结构。本发明还提供了一种交错堆叠DDR模组的热分析方法,该方法通过改变堆叠芯片之间的交叠长度来改变交叠接触区的热阻,进而提高传热路径上散热能力,降低芯片结温,提高三维封装散热可靠性。
  • 一种交错堆叠ddr模组及其分析方法
  • [发明专利]一种堆叠式多芯片集成封装结构及封装方法-CN202210996575.8在审
  • 张云忠 - 上海鲁深电子科技有限公司
  • 2022-08-19 - 2022-11-18 - H01L23/31
  • 本发明公开了一种堆叠式多芯片集成封装结构,包括塑封结构,所述塑封结构底部连接介质层,顶部连接散热层,塑封结构包括封装体,封装体内部安装有芯片堆叠结构芯片堆叠结构通过布线层连接导电柱,导电柱竖直安装在封装体内部,芯片堆叠结构连接散热块,散热块安装于封装体内部,散热块的顶部连接散热层,底部贴合控制芯片,控制芯片通过布线层连接导电柱,导电柱底部连接介质层。本装置通过导电柱实现多个结构芯片与介质层之间的电连接,避免了打线,同时增大了芯片堆叠数量,保证了结构的稳定性;每个结构芯片和控制芯片均与散热结构直接接触,能够充分快速的散去芯片上的热量,避免了芯片堆叠造成热量聚集和散热困难
  • 一种堆叠芯片集成封装结构方法
  • [发明专利]芯片堆叠结构的连接方法-CN202111351802.3有效
  • 刘天建;田应超;曹瑞霞;谢冬 - 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
  • 2021-11-16 - 2022-02-15 - H01L21/50
  • 本发明提供了一种芯片堆叠结构的连接方法,包括:提供一基板;将至少两个芯片堆叠结构固定在所述基板上,相邻的两个芯片堆叠结构之间具有间隙,每个芯片堆叠结构包括堆叠设置的多层芯片,每层芯片包括衬底、形成于所述衬底上焊盘以及覆盖所述衬底和所述焊盘的介质层,所述间隙暴露所述焊盘的侧面;去除所述间隙侧面的部分衬底和部分介质层,使所述焊盘局部突出于所述介质层;在所述芯片堆叠结构和所述基板表面形成连接材料层,去除所述芯片堆叠结构和所述基板表面的连接材料层,形成连接层,相邻的所述焊盘通过所述连接层连接;以及,填充所述间隙,以使至少两个芯片堆叠结构连接在一起。解了决芯片面积越大,良率越低的问题。
  • 芯片堆叠结构连接方法
  • [发明专利]具有上下对称的多芯片偏移堆叠封装结构-CN200710111046.0有效
  • 周世文;陈煜仁 - 南茂科技股份有限公司
  • 2007-06-13 - 2008-12-17 - H01L25/00
  • 本发明提供一种具有上下对称的多芯片偏移堆叠封装结构,包含:一个由多个成相对排列的内引脚群以及一个芯片承座组成的导线架,芯片承座位于多个相对排列的内引脚群之间,且内引脚群与芯片承座均各自具有上表面及下表面;一个第一多芯片偏移堆叠结构与一个第二多芯片偏移堆叠结构分别固接于芯片承座的上表面及下表面;多条金属导线电性连接第一多芯片偏移堆叠结构与第二多芯片偏移堆叠结构至内引脚群;以及以一个封胶体来包覆第一多芯片偏移堆叠结构、第二多芯片偏移堆叠结构、内引脚群以及芯片承座并暴露出外引脚。
  • 具有上下对称芯片偏移堆叠封装结构
  • [发明专利]一种可堆叠微电子封装结构-CN201911411258.X有效
  • 江林伟 - 温州睿程机械科技有限公司
  • 2019-12-31 - 2020-12-01 - H01L25/16
  • 本发明提供一种可堆叠微电子封装结构,包括:基板,所述基板上端面固定连接有堆叠架。通过堆叠架的设置,当芯片堆叠安装到堆叠架内部时,将芯片组插入堆叠架内,使芯片组与电性连接架电性相接通,然后再通过下侧一个电性连接架底部设置的电性连接棒,使芯片组与基板相接通,然后再将固定机构插入到纵向插槽内部,使芯片组得到限位固定作用,从而使本芯片堆叠封装结构无需使用贴片胶即可将第一芯片和第二芯片及基板之间得到稳固的连接,有效避免了现有芯片堆叠封装结构在热处理的过程中或者在使用的过程中因遇到较高的热量而使得胶液溢出及堆叠芯片松动破裂的现象,提高了本芯片堆叠封装结构的使用寿命。
  • 一种堆叠微电子封装结构

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