专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]支持DDR2和DDR3双内存模式的AMD平台主板-CN200820235926.9无效
  • 王武 - 深圳市先冠电子有限公司
  • 2008-12-29 - 2009-10-21 - G06F15/76
  • 本实用新型涉及一种支持DDR2和DDR3双内存模式的AMD平台主板,该支持DDR2和DDR3双内存模式的AMD平台主板包括至少一个的DDR2内存插槽、至少一个的DDR3内存插槽、判断内存槽插使用状态的内存槽状态判断模块、DDR2内存BIOS单元和DDR3内存BIOS单元,该内存槽状态判断模块分别与DDR2内存插槽的DDR3内存插槽、DDR3内存插槽的接地脚、DDR2内存BIOS单元和DDR3内存BIOS单元连接,该支持DDR2和DDR3双内存模式的AMD平台主板能够自动判断该内存的规格,从而调用和启动相应的DDR2内存的BIOS或DDR3内存的BIOS进行工作,确保该AMD平台主板自动识别DDR2内存和DDR3内存,并分别支持DDR2内存和DDR3内存。
  • 支持ddr2ddr3内存模式amd平台主板
  • [实用新型]DDR2转DDR3子卡-CN201020695903.3无效
  • 王武 - 深圳市先冠电子有限公司
  • 2010-12-31 - 2011-10-05 - G06F1/16
  • 本实用新型提供一种DDR2转DDR3子卡,其包括:DDR2对接接口、与DDR2对接接口电性连接的DDR3接口、及与DDR3接口电性连接的转换电路模块;该DDR2对接接口包括数个DDR2信号管脚,DDR3接口包括与数个DDR2信号管脚分别对应的通用信号引脚、事件信号引脚、复位输入信号引脚、及数个DDR3电压信号引脚,该数个通用信号引脚分别与其对应的DDR2信号管脚电性连接,事件信号引脚、复位输入信号引脚、及数个DDR3电压信号引脚分别与转换电路模块电性连接。本实用新型提供的DDR2转DDR3子卡,其具有内存规格转换功能,可以实现在DDR2规格的主板平台上使用DDR3规格的内存,对终端的客户更具使用价值。
  • ddr2ddr3
  • [发明专利]DDR频率的切换方法及装置-CN202011278272.X在审
  • 张盛仕;朱国钟 - 珠海全志科技股份有限公司
  • 2020-11-16 - 2022-05-17 - G11C7/10
  • 本发明公开了一种DDR频率的切换方法及装置,包括:DDR频率切换设备根据DDR的运行情况,确定所述DDR的需求工作频率;所述DDR频率切换设备判断所述DDR的当前工作频率与所述需求工作频率是否匹配;当判断出所述DDR的当前工作频率与所述需求工作频率不相匹配时,所述DDR频率切换设备将所述DDR的当前工作频率切换为所述需求工作频率。可见,本发明能够实现根据实际应用场景灵活地切换DDR工作频率,从而同时兼顾对DDR的功耗控制以及DDR的工作性能。
  • ddr频率切换方法装置
  • [发明专利]SoC芯片及SoC芯片的快速启动方法-CN202210205448.1在审
  • 林启春;王效;辛辉;陈楚君;张赞 - 浙江驰拓科技有限公司
  • 2022-03-02 - 2023-09-12 - G06F15/78
  • 本发明提供一种SoC芯片,其包括:可断电区和不断电区,其中可断电区包括系统总线、DDR控制器和非易失性存储器,DDR控制器与系统总线和SoC外部的DDR连接,用于在上电以及DDR配置失效时,对DDR执行校准及训练,得到配置DDR所使用的DDR设定值,并根据DDR设定值对DDR进行配置,还用于配置好DDR之后,控制系统总线和DDR之间的数据传输;非易失性存储器与系统总线连接,用于存储DDR设定值。本发明利用非易失性存储器保存校准及训练得到的DDR设定值,后续启动可实现低功耗快速启动。
  • soc芯片快速启动方法
  • [发明专利]DDR信号布线封装基板以及DDR信号布线封装方法-CN201210324768.5有效
  • 胡晋;丁亚军;金利峰;李川;王玲秋;王彦辉 - 无锡江南计算技术研究所
  • 2012-09-05 - 2012-11-28 - H01L23/498
  • 本发明提供了一种DDR信号布线封装基板以及DDR信号布线封装方法。在芯片上对称放置多个DDR存储控制模块。在芯片之外的区域中,与多个DDR存储控制模块相对应地对称布置多个存储控制信号引脚。利用对称布置的多个DDR信号线将多个DDR存储控制模块之一分别相对应地连接至多个存储控制信号引脚之一。DDR信号布线封装基板包括依次层叠的地平面层、第一介质层、DDR信号层、第二介质层、以及DDR接口电源平面层;其中DDR接口电源平面层和地平面层同时选择作为DDR信号的参考平面层。通过对称布置的多个DDR信号过孔,将多个DDR存储控制模块之一分别相对应地连接至多个存储控制信号引脚之一。参照多个DDR信号过孔的位置相应地对称布置多个地孔。
  • ddr信号布线封装以及方法
  • [发明专利]DDR调试方法及系统、可读存储介质、电子设备-CN202011349030.5有效
  • 王文超;唐月林 - 展讯通信(上海)有限公司
  • 2020-11-26 - 2022-09-27 - G06F11/22
  • 一种DDR调试方法及系统、可读存储介质、电子设备。运行于片上系统的DDR控制器中,所述DDR控制器通过片上系统的DDR物理层接口与DDR直接连接;所述方法包括以下至少一种:在向所述DDR发送读操作调试指令以后,多次接收所述DDR输出的数据信号及数据选通信号,得到读操作对应的DDR眼图,并基于所述读操作对应的DDR眼图,得到最佳读操作参考电压值及最佳读操作相位值;在向所述DDR发送写操作调试指令以后,多次向所述DDR发送数据信号及数据选通信号,得到写操作对应的DDR眼图,并基于所述写操作对应的DDR眼图,得到最佳写操作参考电压值及最佳写操作相位值。应用上述方案,可以提高DDR的调试效率。
  • ddr调试方法系统可读存储介质电子设备
  • [发明专利]一种自动生成DDR芯片测试标准报告的方法及系统-CN201811625935.3在审
  • 贺春生 - 深圳市共进电子股份有限公司
  • 2018-12-28 - 2020-07-07 - G06F11/34
  • 本发明属于芯片技术领域,公开了一种自动生成DDR芯片测试标准报告的方法,包括:获取测试DDR芯片实际应用的时钟频率;计算所述时钟频率对应的DDR数据时钟;根据所述DDR数据时钟查询DDR数据表,获得与所述DDR时钟匹配的测试标准指标;其中,所述DDR数据表用于存储多个常规DDR数据时钟,以及与每个常规DDR数据时钟对应的测试标准指标;生成包含所述测试标准指标的DDR芯片测试标准报告。相应的,本发明还公开了一种自动生成DDR芯片测试标准报告的系统。实施本发明,可以规避之前人工手动查找测试标准的所有弊端,报告质量较好,成本较低,可以适用于所有研发阶段的DDR芯片测试标准的查找。
  • 一种自动生成ddr芯片测试标准报告方法系统

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