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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]非挥发性存储器-CN201611102968.0有效
发明人：徐德训 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开一种非挥发性存储器，包括以下构件。浮置栅极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管设置于基底上且彼此串接。应力释放晶体管位于浮置栅极晶体管与选择晶体管之间。应力释放比的下限值由进行编程操作时，非选定的非挥发性存储器的应力释放晶体管的可承受漏极侧电压所决定。应力释放比的上限值由进行读取操作时，选定的非挥发性存储器的可读取漏极电流所决定。所述非挥发性存储器可有效地降低选择晶体管所承受到的应力。应力释放比＝应力释放晶体管的通道长度/应力释放晶体管的栅介电层厚度 (1)。
挥发性存储器

[发明专利]非挥发性存储器-CN201110041908.3有效
发明人：曾俊元;李岱萤 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非挥发性存储器。上述非挥发性存储器包括一下导电层；一电阻转态层，设置于上述下导电层上；一氧缺缓冲层，设置于上述电阻转态层上；以及一上导电层，设置于上述氧缺缓冲层上。
挥发性存储器

[发明专利]非挥发性存储器-CN201510620869.0有效
发明人：徐德训 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开一种非挥发性存储器，包括基底、浮置栅极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管。浮置栅极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管设置于基底上且彼此串接。应力释放晶体管位于浮置栅极晶体管与选择晶体管之间。所述非挥发性存储器可有效地降低选择晶体管所承受到的应力。
选择晶体管非挥发性存储器浮置栅极晶体管应力释放晶体管基底有效地串接

[发明专利]非挥发性存储器-CN201410612033.1有效
发明人：陈冠勋;黄士展 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2014-11-03 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开一种非挥发性存储器，其设置于包括周边电路区与存储单元区的基底上。非挥发性存储器包括浮置栅极晶体管、晶体管、自对准阻障层、拉伸层以及接触蚀刻终止层。浮置栅极晶体管设置于存储单元区。
挥发性存储器

[发明专利]非挥发性存储器-CN201710377579.7有效
发明人：李翊宏;罗明山;黄正达 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开一种非挥发性存储器，包括多个存储单元。各个存储单元包括基底、浮置栅极结构、选择栅极结构与第一掺杂区。浮置栅极结构设置于基底上。选择栅极结构设置于基底上，且位于浮置栅极结构的一侧。相邻两个存储单元之间的第一掺杂区相邻且彼此分离。上述非挥发性存储器可有效地防止在相邻的存储单元之间产生编程干扰。
挥发性存储器

[发明专利]多功能非挥发性存储器-CN200410053895.1无效
发明人：林明耀 -专利权人：上海中策工贸有限公司;林明耀
申请日： 2004-08-20 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： G06K19/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种多功能非挥发性存储器，属于非挥发性存储器和无线标签技术领域。目前各种非挥发性存储器使用普遍，如各种闪存、MMC、SD卡、miniSD、记忆棒(包括PRO)、记忆棒Duo(包括PRO)、CF、USB、微型硬盘以及智能媒体及各种非挥发性存储器。本发明在非挥发性存储器加上多种无线标签。本发明具有无线读取非挥发性存储器内容，防盗，保护非挥发性存储器资料，扩大非挥发性存储器用途的优点。
多功能挥发性存储器

[发明专利]资料保护方法及应用其的存储器-CN201010001491.3有效
发明人：张坤龙;郭乃萍;谢明志 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-01-12 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： G06F12/14 文献下载
摘要：一种资料保护方法，用以对存储器中的笔资料进行保护。存储器包括挥发性(Volatile)存储器及非挥发性(Non-volatile)存储器，非挥发性存储器储存一笔资料保护信息。首先，将非挥发性存储器中的该笔资料保护信息加载至挥发性存储器。之后，根据挥发性存储器中的该笔资料保护信息保护储存于非挥发性存储器中的该笔资料。
资料保护方法应用存储器

[发明专利]微控制器、微控制器解密方法和解密系统-CN201911364351.X在审
发明人：涂结盛 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G06F21/51 文献下载
摘要：本发明提供了一种微控制器、微控制器解密方法和解密系统，微控制器包括一控制器、一第一非挥发性存储器、一挥发性存储器、一第二非挥发性存储器，以及一处理器。控制器通过一通讯接口从一烧录装置取得一解密程序和一加密数据。第一非挥发性存储器耦接上述控制器，以及储存上述解密程序。挥发性存储器耦接上述控制器，以及储存上述加密数据。第二非挥发性存储器储存解密数据。处理器耦接上述第一非挥发性存储器、上述第二非挥发性存储器和上述挥发性存储器，以及根据上述解密程序解密上述加密数据，以产生上述解密数据。
控制器解密方法系统

[发明专利]于记忆装置中进行编程管理的方法、记忆装置及控制器-CN201710965790.0有效
发明人：许哲玮;曾新翔 -专利权人：慧荣科技股份有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用来于一记忆装置中进行编程管理的方法以及所述记忆装置及其控制器。所述记忆装置包括一非挥发性存储器，且所述非挥发性存储器包括多个非挥发性存储器组件。所述方法包括有：于编程所述多个非挥发性存储器组件中的一目标非挥发性存储器组件之前，所述控制器检查所述多个非挥发性存储器组件中的另一非挥发性存储器组件是否处于一忙碌状态或一非忙碌状态；以及当所述另一非挥发性存储器组件进入所述非忙碌状态时，所述控制器编程所述目标非挥发性存储器组件。
记忆装置进行编程管理方法控制器

[发明专利]一种含异常非挥发性存储器的叠封芯片处理装置和方法-CN201610548009.5有效
发明人：马英;潘荣华 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种含异常非挥发性存储器的叠封芯片处理装置和方法，其中的处理装置包括PAD值定义非挥发性存储器地址映射模块，用于PAD值定义非挥发性存储器地址映射，还包括修改地址映射模块，用于非挥发性存储器叠封芯片被测试确认内含异常非挥发性存储器时，对每一个单独的非挥发性存储器的地址映射进行修改。本发明通过对含异常非挥发性存储器叠封芯片修改地址映射，将每一个单独非挥发性存储器的地址重新映射，使该叠封片的容量由大改小，得以继续使用，从而提高芯片的利用率。
一种异常挥发性存储器芯片处理装置方法

[发明专利]于记忆装置中进行编程管理的方法、记忆装置及控制器-CN202111407494.1在审
发明人：许哲玮;曾新翔 -专利权人：慧荣科技股份有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用来于一记忆装置中进行编程管理的方法以及所述记忆装置及其控制器。所述记忆装置包括一非挥发性存储器，且所述非挥发性存储器包括多个非挥发性存储器组件。所述方法包括有：于编程所述多个非挥发性存储器组件中的一目标非挥发性存储器组件之前，所述控制器检查所述多个非挥发性存储器组件中的另一非挥发性存储器组件是否已完成编程；以及当所述另一非挥发性存储器组件已完成编程并进入一非忙碌状态时，所述控制器编程所述目标非挥发性存储器组件。
记忆装置进行编程管理方法控制器

[发明专利]非挥发性半导体存储器的擦除方法-CN201110051557.4无效
发明人：葛晓欢 -专利权人：中颖电子股份有限公司
申请日： 2011-03-03 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种非挥发性半导体存储器的擦除方法，该方法通过在对非挥发性半导体存储器进行光线擦除时将所述非挥发性半导体存储器置于一电场中，所述电场使得所述非挥发性半导体存储器中被所述光线激发出的电子向所述半导体衬底运动，从而避免了所述电子向所述非挥发性半导体存储器的控制栅运动，从而避免了所述非挥发性半导体存储器的最低工作电压被抬高，提高了非挥发性半导体存储器的性能。
挥发性半导体存储器擦除方法

[发明专利]无沟槽隔离转角的非挥发性存储器结构-CN03145865.3无效
发明人：易成名;陈辉煌;陈鸿祺 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-07-11 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明揭示一种具有无沟槽隔离转角的非挥发性存储器结构。本发明是使用一无沟槽隔离转角结构来分隔一沟槽隔离装置与一非挥发性存储器结构，进而可以提升所述非挥发性存储器结构的可靠度。此外，根据耦合比的定义，藉由所述的无沟槽隔离转角结构，可以改变所述非挥发性存储器的有效操作宽度，进而可以让所述的非挥发性存储器发挥更高的效率。所以，本发明不仅可以提升非挥发性存储器的可靠度，还可以提高非挥发性存储器的效率。
沟槽隔离转角挥发性存储器结构

[发明专利]存储装置以及用来存取非挥发性存储器的存储器控制器-CN200910226406.0无效
发明人：袁国华;陈肇男 -专利权人：智微科技股份有限公司
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明是一种存储装置以及用来存取非挥发性存储器的存储器控制器。该存储器控制器耦接于该非挥发性存储器，并用来存取该非挥发性存储器，且该存储器控制器与该非挥发性存储器分别设置于两个独立的芯片中；当一外部数据欲写入至该非挥发性存储器时，该存储器控制器对该外部数据进行压缩，并将压缩后的外部数据储存至该非挥发性存储器中。
存储装置以及用来存取挥发性存储器控制器

[发明专利]非挥发性存储器-CN201210574551.X有效
发明人：张文岳 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非挥发性存储器。上述非挥发性存储器包括一底电极，其具有一第一晶格常数；一电阻转态层，设置于上述底电极上方，其具有一第二晶格常数；一顶电极，设置于上述电阻转态层上；一分隔层，设置于上述底电极和上述电阻转态层之间，其具有不同于上述第一晶格常数和上述第二晶格常数的一第三晶格常数
挥发性存储器

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