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[发明专利]膜层沉积装置及膜层沉积方法-CN201911011931.0在审
发明人：江向红 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种膜层沉积装置及膜层沉积方法。所述膜层沉积装置包括：承载部，用于承载晶圆；喷头，设置于所述承载部上方，用于向所述位于所述承载部的表面的所述晶圆喷射反应气体，所述反应气体用于在所述晶圆表面形成膜层；遮蔽结构，用于遮蔽所述喷头的边缘区域本发明一方面，提高了膜层厚度的均匀性；另一方面，使得在后续刻蚀过程中，边缘区域的膜层能够充分被刻蚀，避免了膜层残留，改善了刻蚀质量。
沉积装置方法

[实用新型]固态薄膜电池制造设备-CN202022133154.1有效
发明人：谭志;张艳芳 -专利权人：维达力实业（深圳）有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种固态薄膜电池制造设备，其包括沉积腔，沉积腔中设置有传输机构、第一电极膜层沉积机构、电解质沉积机构、第二电极膜层沉积机构及激光刻蚀机构；传输机构用于承载衬底，其移动路径依次经过第一电极膜层沉积机构、电解质沉积机构和第二电极膜层沉积机构；第一电极膜层沉积机构用于沉积第一电极膜层；电解质沉积机构用于沉积固态电解质膜层；所述第二电极膜层沉积机构用于沉积第二电极膜层；激光刻蚀机构用于刻蚀第一电极膜层形成第一纹路、刻蚀固态电解质膜层形成第二纹路及刻蚀第二电极膜层形成第三纹路。
固态薄膜电池制造设备

[发明专利]膜层结构、膜层结构沉积方法及设备-CN202010002255.7在审
发明人：左明光 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明提供一种膜层结构、膜层结构沉积方法及设备，膜层结构沉积方法包括如下步骤：提供一批次基底；及采用原子层沉积工艺同时于该批次基底上沉积膜层结构。本发明的膜层结构沉积方法通过采用原子沉积工艺同时于一批次基底上沉积膜层结构，在保证产能的前提下，可以在每个沉积周期中均有足够的时间进行通气及吹扫，每个沉积周期中具有足够的时间完成吸附和排气以实现充分的原子沉积，可以降低膜层结构中的正应力，减少膜层结构中的F含量，降低膜层结构的电阻率，提高膜层结构的良率。
结构沉积方法设备

[发明专利]膜层沉积装置-CN201811100613.7在审
发明人：孟昭生;徐文浩;李展信;刘聪 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种膜层沉积装置。所述膜层沉积装置包括：调节部，包括朝向晶圆表面设置的分隔面以及位于所述分隔面的多个喷口，所述喷口用于将反应物传输至所述晶圆表面；控制部，用于分别控制每一所述喷口是否开启，实现所述反应物密度在所述晶圆表面的非均匀分布本发明能够于晶圆表面形成厚度非均匀分布的膜层，实现对晶圆弯曲度分布的平衡，且适用于各种形状的晶圆，有效改善了晶圆产品的质量。
晶圆表面膜层沉积喷口非均匀分布反应物半导体制造技术晶圆弯曲度晶圆产品分隔面晶圆膜层分隔传输平衡

[实用新型]膜层沉积装置-CN201821541698.8有效
发明人：孟昭生;徐文浩;李展信;刘聪 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种膜层沉积装置。所述膜层沉积装置包括：调节部，包括朝向晶圆表面设置的分隔面以及位于所述分隔面的多个喷口，所述喷口用于将反应物传输至所述晶圆表面；控制部，用于分别控制每一所述喷口是否开启，实现所述反应物密度在所述晶圆表面的非均匀分布本实用新型能够于晶圆表面形成厚度非均匀分布的膜层，实现对晶圆弯曲度分布的平衡，且适用于各种形状的晶圆，有效改善了晶圆产品的质量。
晶圆表面膜层沉积喷口本实用新型非均匀分布反应物半导体制造技术晶圆弯曲度晶圆产品分隔面晶圆膜层分隔传输平衡

[实用新型]膜层沉积装置-CN201921792439.7有效
发明人：江向红 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种膜层沉积装置。所述膜层沉积装置包括：承载部，用于承载晶圆；喷头，设置于所述承载部上方，用于向所述位于所述承载部的表面的所述晶圆喷射反应气体，所述反应气体用于在所述晶圆表面形成膜层；遮蔽结构，用于遮蔽所述喷头的边缘区域本实用新型一方面，提高了膜层厚度的均匀性；另一方面，使得在后续刻蚀过程中，边缘区域的膜层能够充分被刻蚀，避免了膜层残留，改善了刻蚀质量。
沉积装置

[实用新型]膜层沉积设备-CN201920970118.5有效
发明人：林立;俞雷;张雷;曾圣翔;郭松辉;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：该实用新型涉及一种膜层沉积设备，包括：腔室；晶圆放置位，设置于腔室内；泵口，设置于腔室内，位于晶圆放置位旁，连通至泵，用于抽取腔室内的气体；泵罩，罩设于泵口，且泵罩顶面密封，侧面设置有通孔，泵通过通孔抽取腔室内的气体由于在腔室内的泵口处罩设了一个泵罩，在通过泵对腔室内的气体进行抽取时，气流要经过泵罩侧边设置的通孔进入泵口，因此被泵罩所缓冲，不会被泵直接大流量的一次性所抽取，气流更加平缓均匀，因此在这样的腔室内沉积的晶圆表面的膜层，不会由于泵的过猛的抽气作用而使得沉积气体向晶圆边缘分布，不会出现沉积的膜层边缘厚、中心薄的现象，能够沉积出平整度理想的膜层，从而提高晶圆进行膜层沉积加工时的良率。
沉积设备

[发明专利]解决电子束沉积多层膜龟裂的临界层应力的调控方法-CN201710380376.3有效
发明人：朱美萍;曾婷婷;易葵;柴英杰;许诺;孙建;王建国;邵建达 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种解决电子束沉积多层膜龟裂的临界层应力的调控方法，综合采用电子束沉积技术和离子束辅助沉积技术，采用离子束辅助沉积技术沉积应力临界层，采用电子束沉积技术沉积应力临界层之外的其他膜层。本发明能够解决电子束沉积较厚膜层时，因膜层张应力太大导致的膜层龟裂问题，且不会增加膜系设计难度和实际制备工艺难度。
解决电子束沉积多层龟裂临界应力调控方法

[发明专利]一种金属膜层沉积方法和金属膜层沉积设备-CN201710536931.7有效
发明人：何中凯;荣延栋;刘菲菲;夏威;丁培军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种金属膜层沉积方法和金属膜层沉积设备。该金属膜层沉积方法用于通过磁控溅射沉积方法在基片表面的外延层上沉积金属膜层，包括：在预设时间内，向靶材加载射频功率，在外延层上沉积金属缓冲层；向靶材加载直流功率，直至在外延层上沉积预定厚度的金属膜层。该金属膜层沉积方法，通过在沉积开始的预设时间内向靶材加载射频功率，能够在相同输入功率下使靶材上的负偏压显著降低，靶材电压的降低能减小金属膜层沉积过程中溅射粒子对基片表面外延层的损伤；从而使外延层与金属膜层之间形成良好的欧姆接触，提升LED芯片的良率；通过后续阶段向靶材加载直流功率，能提高金属膜层的沉积速率，提高LED芯片的产能。
一种金属膜沉积方法设备

[发明专利]一种深紫外波段宽带分束薄膜膜层的制备方法-CN201711461422.9有效
发明人：邓文渊;李春;金春水;姚舜 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外波段宽带分束薄膜膜层的制备方法，所述制备方法包括：获取所述深紫外波段宽带分束薄膜中膜层的目标沉积厚度；依据所述目标沉积厚度，对所述膜层进行实验沉积；在所述膜层沉积完成后，获取所述膜层的测量误差值；依据所述目标沉积厚度和所述测量误差值，获取所述膜层的实际沉积厚度；依据所述实际沉积厚度，对所述膜层进行沉积。所述制备方法消除了各个膜层沉积过程中产生的热扰动所导致的晶振厚度测量误差对深紫外波段宽带全介质分束薄膜性能产生的影响。
沉积膜层深紫外波段分束薄膜宽带制备膜层沉积测量厚度测量全介质热扰动中膜层晶振

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910302873.0在审
发明人：宋以斌;王彦;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成待刻蚀层结构；在待刻蚀层结构上形成底部掩膜材料层和位于底部掩膜材料层上的图形化的顶部掩膜层；以顶部掩膜层为掩膜，进行多次沉积刻蚀步骤，刻蚀底部掩膜材料层，形成底部掩膜层；其中，沉积刻蚀步骤包括：进行沉积处理，在顶部掩膜层表面沉积保护层；在沉积处理之后，以顶部掩膜层和保护层为掩膜对底部掩膜材料层进行刻蚀处理；形成底部掩膜层后，以顶部掩膜层和底部掩膜层为掩膜刻蚀待刻蚀层结构沉积处理中形成的保护层在刻蚀处理中保护顶部掩膜层，使得顶部掩膜层不易被消耗，从而以顶部掩膜层和底部掩膜层为掩膜刻蚀待刻蚀层结构后，提高了目标图形结构的图形精度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种钙钛矿器件的制备方法-CN202211390196.0在审
发明人：毕恩兵;汪勇;巴前凯 -专利权人：宣城先进光伏技术有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿器件的制备方法，包括以下步骤：采用干法工艺沉积金属卤化物膜，干法工艺包括第一沉积阶段和第二沉积阶段，第一沉积阶段沉积得到第一子膜层，第二沉积阶段沉积得到位于第一子膜层表面的第二子膜层，第一沉积阶段的第一沉积速率大于第二沉积阶段的第二沉积速率，第一子膜层的厚度大于第二子膜层的厚度，第二子膜层的厚度为20nm‑50nm；采用湿法工艺在金属卤化物膜的表面形成有机液膜，有机液膜中含有甲眯基团或胺基团；对有机液膜进行退火得到钙钛矿膜。钙钛矿膜兼具较大的金属卤化物转化程度和平整表面，有利于提高钙钛矿器件的性能。
一种钙钛矿器件制备方法

[发明专利]层叠体及阻气膜-CN201680021107.1有效
发明人：堀池乔文;佐藤尽;高岛菜穗 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： B32B27/36 文献下载
摘要：本发明提供一种层叠体，其具备：基材；原子层沉积膜，其配置于所述基材的至少一面上且由无机材料形成；以及保护膜，其以覆盖所述原子层沉积膜的方式贴附于所述原子层沉积膜，并具有与所述原子层沉积膜接触的粘合层。
层叠阻气膜

[发明专利]薄膜制备装置、方法及系统-CN201910001693.9有效
发明人：唐浩;周全国;程久阳;兰荣华;周丽佳;王志东;鲁彦成 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：该装置包括：设置在镀膜腔室内的传递机构和至少两个膜层沉积机构，该传递机构包括至少两个传递件；每相邻两个膜层沉积机构之间设置有至少一个传递件，该至少一个传递件用于在相邻两个膜层沉积机构之间传输薄膜基带；该每个膜层沉积机构用于在薄膜基带上沉积一层膜层，且各个膜层沉积机构所沉积的膜层不同。本发明提供的薄膜制备装置可以通过镀膜腔室内的至少两个膜层沉积机构制备功能性薄膜，提高了功能性薄膜的制备效率，降低了制备成本。
薄膜制备装置方法系统

[发明专利]在多晶CZT上沉积DLC膜的方法及CZT半导体探测器-CN201810040325.0有效
发明人：廖斌;欧阳晓平;王宇东;吴先映;张旭;罗军 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种在多晶CZT上沉积DLC膜的方法及CZT半导体探测器，其中，该在多晶CZT上沉积DLC膜的方法包括：采用磁过滤阴极真空弧沉积方法，在多晶CZT的晶体表面沉积第一层DLC膜；在所述第一层DLC膜之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法沉积用于释放内应力的薄膜过渡层；在所述薄膜过渡层之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法沉积第二层DLC膜。通过实施本发明，在多晶CZT上沉积DLC膜能够保护多晶CZT，减小漏电流。
沉积多晶磁过滤阴极真空弧沉积半导体探测器第一层过渡层薄膜晶体表面漏电流减小释放

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