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[发明专利]混气装置及半导体工艺设备-CN202210554343.7有效
发明人：郑波;朱磊;魏景峰;佘清;刘建民;纪红;何中凯 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B01F25/42 文献下载
摘要：本发明提供一种混气装置，其混气部件中，第一进气通道和第二进气通道的进气端分别与第一进气管路和第二进气管路的出气端连通；第一进气通道和第二进气通道的出气端均与环形混气通道连通；环形混气通道的出气端用于与半导体工艺设备的工艺腔室连通；第一进气通道和第二进气通道的出气方向被设置为能够使分别从第一进气通道和第二进气通道的出气端流入环形混气通道中的气体在混合时，均沿环形混气通道的周向上的同一方向旋转流动。本发明提供的混气装置及半导体工艺设备，其不仅可以缩短混气时间，提高混气效率，而且可以有效提高混合均匀性，提高产品性能。
装置半导体工艺设备

[发明专利]一种金属膜层沉积方法和金属膜层沉积设备-CN201710536931.7有效
发明人： 何中凯;荣延栋;刘菲菲;夏威;丁培军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种金属膜层沉积方法和金属膜层沉积设备。该金属膜层沉积方法用于通过磁控溅射沉积方法在基片表面的外延层上沉积金属膜层，包括：在预设时间内，向靶材加载射频功率，在外延层上沉积金属缓冲层；向靶材加载直流功率，直至在外延层上沉积预定厚度的金属膜层。该金属膜层沉积方法，通过在沉积开始的预设时间内向靶材加载射频功率，能够在相同输入功率下使靶材上的负偏压显著降低，靶材电压的降低能减小金属膜层沉积过程中溅射粒子对基片表面外延层的损伤；从而使外延层与金属膜层之间形成良好的欧姆接触，提升LED芯片的良率；通过后续阶段向靶材加载直流功率，能提高金属膜层的沉积速率，提高LED芯片的产能。
一种金属膜沉积方法设备

[发明专利]用于填充孔洞或沟槽的薄膜沉积方法-CN201811026751.5有效
发明人： 何中凯;荣延栋;傅新宇 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种用于填充孔洞或沟槽的薄膜沉积方法，包括：在孔洞或沟槽表面沉积形成成核层；其中，在孔洞或沟槽表面沉积形成成核层的步骤包括：在孔洞或沟槽表面沉积形成子成核层，子成核层的厚度小于成核层的目标厚度；对子成核层的表面进行表面处理；依次重复进行上述步骤，直到叠置的子成核层的厚度达到成核层的目标厚度。本发明实施例将沉积成核层的步骤分多步完成，并且辅以表面等离子体的处理，能够使成核层具有更优秀的保形性，在孔洞或沟槽的开口和底部，厚度均匀一致的成核层将为后续的钨填充提供良好的种子层。
用于填充孔洞沟槽薄膜沉积方法

[发明专利]一种气液分离装置及用于气液分离装置的降耗方法-CN201910806608.6有效
发明人：赵卫东;牛明勇;刘文东;邓雄;任军平;隋志成;王相飞;何中凯;张景山;马文宏;李思;周东生 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： E21B43/34 文献下载
摘要：本发明提供一种气液分离装置及用于气液分离装置的降耗方法，用于对原油进行脱气处理，气液分离装置包括：分离器本体、入口检测单元、气相检测单元和液相检测单元；入口检测单元、气相检测单元和液相检测单元分别用于检测入口管路、气相出口管路和液相出口管路内液体或者气体的状态参数，以便于对分离器本体内的运行参数进行优化，本发明提供一种气液分离装置及用于气液分离装置的降耗方法，解决了现有的油气分离器难以以最优的运行参数进行分离作业，从而造成油气分离器分离效率低，能耗高的技术问题。
一种分离装置用于降耗方法

[发明专利]反应腔室-CN202010161690.4有效
发明人： 何中凯;荣延栋 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种反应腔室，包括：腔体和设置在腔体内的基座，基座包括用于承载基片的承载部和环绕承载部的边缘部，承载部的上表面的高度大于边缘部的上表面的高度，其中，反应腔室还包括：第一挡环，所述第一挡环设置在所述边缘部的上表面且环绕所述承载部设置，且所述承载部的上表面高于所述第一挡环的上表面；第二档环，第二挡环设置在第一挡环背离边缘部的一侧，且包括：本体部和设置在本体部远离第一挡环一侧的遮挡部，遮挡部突出于第二挡环靠近承载部的表面，遮挡部用于遮挡基片的边缘。本发明可以使基片所在区域的工艺气体流速更均匀，提高基片整体的膜厚均匀性。
反应

[发明专利]基于Dex2C与LLVM的Android应用程序保护方法-CN201910394117.5有效
发明人：汤战勇;何中凯;张宇翔;王薇;龚晓庆;陈晓江;房鼎益 -专利权人：西北大学
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： G06F21/14 文献下载
摘要：本发明公开了基于Dex2C与LLVM的Android应用程序保护方法，包括：解压APK获取并解析Dex文件，得到每条汇编指令的能够恢复C代码的所有必要信息，根据评估模型选择是否进行Dex2C的转换，若超过阈值，则进行Dex2C的转换：转换预处理操作，包括查找待保护方法、插入汇编指令语句、建立指令的邻接关系等，逐个根据汇编指令类型选择三套转换逻辑中的一种进行转换；基于LLVM实现编译时虚拟化，若未超过阈值，则直接执行LLVM编译虚拟化模块；通过该框架生成So文件后，进行重打包、签名，生成功能等效的APK。本发明结合了Dex层和本地层的防护方法，一方面能够提高APK的执行效率，另一方面极大的提升了恶意攻击者攻击的难度和成本。
基于 dex2c llvm android 应用程序保护方法

[发明专利]一种半导体设备-CN201711266540.4有效
发明人：丁安邦;师帅涛;陈鹏;史小平;傅新宇;李春雷;荣延栋;何中凯 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备，包括：沉积腔室，用于对衬底进行沉积工艺，形成沉积层；表面处理腔室，用于对沉积层进行表面钝化或刻蚀工艺处理；远程等离子体源，共用于沉积腔室和表面处理腔室，用于向表面处理腔室通入第一等离子体，以对沉积层进行表面钝化处理或刻蚀工艺，以及用于对沉积腔室通入第二等离子体，以对沉积腔室进行清洗。本发明通过设置单独的表面处理腔室进行表面钝化工艺，可简化现有沉积工艺腔室结构，拓宽沉积工艺和表面处理工艺的工艺窗口，并通过使沉积腔室和表面表面处理腔室共用一个远程等离子体源，可提升远程等离子体源的利用率，降低表面钝化或刻蚀工艺腔室的整体成本。
一种半导体设备

[发明专利]反应腔室和半导体工艺设备-CN202011307993.9有效
发明人： 何中凯 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应腔室和半导体工艺设备，包括：腔体，腔体设有进气口，进气口用于通入沉积薄膜的反应气体或用于清洗薄膜的清洗气体；加热基座，加热基座可升降的设置在腔体内；排气通道，排气通道设置于加热基座和腔体的内周壁之间，用于排出反应腔室内的气体；辅助加热组件，辅助加热组件设置于临近排气通道的位置上，用于对排气通道进行加热；从而够提高反应腔室内组件的清洗效率，提高工艺环境的颗粒控制能力，提升工艺性能。
反应半导体工艺设备

[发明专利]空气处理装置-CN202110171839.1有效
发明人：任智慧;焦家海;宋军;王得水;李鸿蔚;何中凯;陈默;陈昕;曾彪;朱正双 -专利权人：珠海格力电器科技有限公司;中国葛洲坝集团房地产开发有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： F24F5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种空气处理装置，包括新风通道、排风通道、换热系统及水路系统。换热系统中的第一换热器设置于新风通道内，将第二换热器设置于排风通道内。制冷时，第二换热器与排风通道内的排风换热，实现对排风中冷量的回收。由第二换热器流入第一换热器冷媒对新风通道内的新风吸热，以降低新风的温度。在除湿时，利用第一换热器使得新风冷凝析出水分，进而导致新风温度较低。储水箱内储藏高温水，高温水进入到第三换热器中，利用第三换热器能够实现新风的再热，保证新风在制冷除湿时温度的稳定。
空气处理装置

[发明专利]挡环组件、半导体腔室及其清理方法-CN202011539748.0有效
发明人：刘胜明;何中凯;郑波;荣延栋 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种挡环组件、半导体腔室及其清理方法。其中挡环组件，包括：上挡环，下表面边缘设有向下突出的上挡环定位脚；下挡环，上表面边缘设有与所述上挡环定位脚配合的下挡环定位槽，所述下挡环定位槽内设有压力检测元件，所述压力检测元件用于检测所述下挡环定位槽与所述上挡环定位脚之间的挤压力。实现监控上挡环定位脚与下挡环定位槽之间的压力大小，避免在定位脚与定位槽之间挤压力较大时将二者分离导致的上挡环定位脚碎裂问题。
组件半导体及其清理方法

[发明专利]匀气装置和半导体处理设备-CN201811268107.9有效
发明人：李进;傅新宇;何中凯;荣延栋;魏景峰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种匀气装置和半导体处理设备。包括进气件、匀流件和排气件，进气件上设置有至少两个进气通道；匀流件的第一表面上设置有至少一个第一分配部以及若干个第一匀流部，第一分配部分别连通对应的进气通道和第一匀流部；第二表面上设置有至少一个第二分配部以及若干个第二匀流部，第二分配部分别连通对应的进气通道和第二匀流部；排气件上设置有若干个第一排气部以及若干个第二排气部，第一排气部用于分别连通对应的第一匀流部和工艺腔室，第二排气部用于分别连通对应的第二匀流部和工艺腔室。可以达成至少两种工艺气体相互独立且均匀输送、均匀分布到工艺腔室的效果。
装置半导体处理设备

[发明专利]基座调节装置及腔室-CN201811444994.0有效
发明人：李进;傅新宇;何中凯;荣延栋;魏景峰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供的基座调节装置及腔室，基座调节装置包括：第一调节件、第二调节件以及推拉组件；推拉组件分别连接第一调节件和第二调节件，其中，第一调节件用于固定基座，第一调节件与第二调节件连接并且能在推拉组件的驱动下相对第二调节件沿第一水平方向移动；其中，第二调节件与腔室底壁连接并且能在推拉组件的驱动下相对腔室底壁沿第二水平方向移动。通过推拉组件以推拉的方式分别驱动第一调节件和第二调节件移动，仅需要调节两次即可完成基座的水平位置的调整，整体调节性高，操作简单。
基座调节装置

[实用新型]一种半导体工艺腔室-CN202122278742.9有效
发明人： 何中凯 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体工艺腔室，包括腔体和设置在腔体中用于承载晶圆的基座，其下方设置有升降机构，升降机构通过穿过腔体底部通孔的升降轴与基座底部连接，半导体工艺腔室还包括第一吹扫组件、吹扫管路和底吹扫气盘，用于通过底部通孔向腔体中提供第一吹扫气体，底吹扫气盘环绕升降轴设置在腔体中，底吹扫气盘的外侧壁上具有多个环绕底吹扫气盘的轴线分布的导气孔，吹扫管路与底吹扫气盘连接，且用于向底吹扫气盘提供第二吹扫气体，以使第二吹扫气体通过多个导气孔流入腔体中。在本实用新型中，底吹扫气盘能够将第二吹扫气体通过多个导气孔吹入腔体中，在腔体的底部形成沿水平面向外围辐射状吹扫的气流场，提高对基座下方空间的吹扫效率。
一种半导体工艺

[发明专利]空气处理装置-CN202110171847.6在审
发明人：任智慧;焦家海;宋军;王得水;李鸿蔚;何中凯;陈默;陈昕;曾彪;朱正双 -专利权人：珠海格力电器科技有限公司;中国葛洲坝集团房地产开发有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： F24F7/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种空气处理装置，室内的空气由全热交换芯体的排风入口进入到排风风道内，使得室外的新风由新风入口进入到新风风道内，使得新风风道内的空气与排风风道内的空气进行热交换，实现对排风风道内热量的回收。在低温环境中使用，制热使室内温度升高，并高于室外的温度。通过将排风件的第一过风口与新风风道形成新风入口的一端连通，排风件的第一排风进口位于室内，进而室内的温度较高的空气能够由第一排风进口进入到第一通道内，并由第一过风口与进入到新风风道内的空气混合，有效提高进入到新风风道内的空气的温度，避免进入到新风风道内的新风温度过低，避免全热交换芯体结冰，保证空气处理装置正常使用。
空气处理装置

[实用新型]架空楼板外保温结构-CN202020609100.5有效
发明人：于昌勇;张鑫;何中凯;王得水 -专利权人：中国葛洲坝集团房地产开发有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： E04B1/80 文献下载
摘要：本实用新型提供一种架空楼板外保温结构，包括石墨聚苯板加真空保温板形成的复合保温板，所述石墨聚苯板的上表面开设有凹槽，用于放置真空保温板，二者之间采用胶粘剂进行粘接固定。石墨聚苯板的尺寸长1000‑1500mm，宽500‑1000mm，厚60‑150mm，石墨聚苯板上开设有两个凹槽，分别为第一开槽处和第二开槽处，两个开槽处的开槽尺寸与石墨聚苯板底边距离不小于100mm，与侧边距离不小于200mm，使得放置的两块真空保温板之间距离不小于200mm。本实用新型采用石墨聚苯板加真空保温板的复合材料来取代石墨聚苯板，简单轻便，极大减轻了保温材料的自重荷载，安全稳定，与建筑同寿命。
架空楼板保温结构

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