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- [实用新型]一种具有可调键合层的晶圆-CN201320016515.1有效
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李平
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2013-01-11
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2013-09-18
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B81B7/00
- 本实用新型涉及一种具有可调键合层的晶圆，包括晶圆层、键合氧化物层，在所述的晶圆层和键合氧化物层之间设有一层晶圆弯曲度的调节层，所述晶圆弯曲度的调节层为可调节晶圆弯曲度的介质薄膜；所述调节晶圆弯曲度的介质薄膜为氧化物或氮化物或金属化合物在晶圆上生长键合氧化物之前淀积一层调节晶圆弯曲的的介质，然后在该介质上生长键合氧化物。在晶圆上生长键合氧化物之前淀积一层调节晶圆弯曲度的薄膜介质，可以调节晶圆的弯曲度，解决了键合的空洞与扭曲的问题，方便晶圆后续工艺的进行，避免空洞、碎片的产生。
- 一种具有可调键合层
- [实用新型]一种控制晶圆弯曲度的设备-CN202022129472.0有效
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涂文骏;陈松超;董洪旺;楚明;张高升
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长江存储科技有限责任公司
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2020-09-24
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2021-05-04
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H01L21/67
- 本实用新型实施例提供的一种控制晶圆弯曲度的设备，包括：至少两个反应腔体，每个反应腔体内均设置有承载装置，承载装置用于承载晶圆；供气装置，供气装置用于向每个反应腔体内供给反应气体；每个反应腔体和供气装置之间均设置有控制装置，每一个控制装置分别用于控制供气装置向对应的反应腔体中供给反应气体，以控制晶圆的弯曲度。这样，由于每一个反应腔体具有与之唯一对应的控制装置，每一个控制装置能够单独控制供气装置向各自对应的反应腔体内供给反应气体，避免产能的浪费，而且能够精确控制在反应腔体内的晶圆上形成的薄膜的厚度，进而精确控制晶圆的弯曲度，降低整批晶圆的弯曲度差异。
- 一种控制弯曲设备
- [实用新型]一种控制晶圆弯曲度的设备-CN202121094104.5有效
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涂文骏;陈松超;董洪旺;楚明;张高升
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长江存储科技有限责任公司
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2020-09-24
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2021-11-05
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H01L21/67
- 本实用新型实施例提供的一种控制晶圆弯曲度的设备，包括：至少两个反应腔体，每个反应腔体内均设置有承载装置，承载装置用于承载晶圆；供气装置，供气装置用于向每个反应腔体内供给反应气体；每个反应腔体和供气装置之间均设置有控制装置，每一个控制装置分别用于控制供气装置向对应的反应腔体中供给反应气体，以控制晶圆的弯曲度。这样，由于每一个反应腔体具有与之唯一对应的控制装置，每一个控制装置能够单独控制供气装置向各自对应的反应腔体内供给反应气体，避免产能的浪费，而且能够精确控制在反应腔体内的晶圆上形成的薄膜的厚度，进而精确控制晶圆的弯曲度，降低整批晶圆的弯曲度差异。
- 一种控制弯曲设备
- [发明专利]一种半导体机台-CN202011373446.0有效
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周毅;张贝
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长江存储科技有限责任公司
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2020-11-30
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2022-05-27
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H01L21/677
- 本发明提供一种半导体机台，包括：晶圆承载平台和至少一个机械手臂，每个机械手臂包括：主体部、与主体部的第一端连接的第一叉臂部，第一叉臂部的末端相对于主体部具有翘曲度。机械手臂用于抓取晶圆并将晶圆搬运至晶圆承载平台上，晶圆承载平台用于承载晶圆。由于机械手臂的第一叉臂部相对于主体部具有翘曲度，第一叉臂部能够更好的与弯曲晶圆贴合在一起，减小第一叉臂部与弯曲晶圆之间的缝隙，使得机械手臂能够抓取弯曲晶圆，并将弯曲晶圆搬运至晶圆承载平台上，提高晶圆的搬运效率
- 一种半导体机台
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