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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]微机电系统MEMS微镜及其制备方法、探测装置-CN202180044455.1在审
发明人： 李展信;李梅;卢璐 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01J3/14 文献下载
摘要：一种微机电系统MEMS微镜及其制备方法、探测装置，涉及微机电系统技术领域，用于解决温度对MEMS微镜测量结果造成的影响。MEMS微镜包括镜面部(1)、环状的线圈部(2)、连接线圈部(2)和镜面部(1)的部分转轴(3)、位于线圈部(2)远离镜面部(1)一侧且与线圈部(2)连接的另一部分转轴(3)。镜面部(1)被线圈部(2)围绕，转轴(3)包括依次层叠设置的第一硅层(301)、第一介质层(401)以及第一半导体层(501)。第一半导体层(501)包括至少一个电阻(311)，至少一个电阻(311)中含有压敏电阻。
微机系统 mems 及其制备方法探测装置

[发明专利]平衡晶圆弯曲度分布的方法-CN201811101351.6有效
发明人：孟昭生;徐文浩;李展信;刘聪 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种平衡晶圆弯曲度分布的方法。所述平衡晶圆弯曲度分布的方法包括如下步骤：提供一晶圆；获取所述晶圆的弯曲度分布；根据所述弯曲度分布调整反应物在所述晶圆表面的密度分布，于所述晶圆表面形成厚度非均匀分布的膜层。本发明能够于晶圆表面形成厚度非均匀分布的膜层，实现对晶圆弯曲度分布的平衡，且适用于各种形状的晶圆，有效改善了晶圆产品的质量。
平衡弯曲分布方法

[发明专利]MEMS惯性传感器、惯性测量单元及惯性导航系统-CN202010195682.1在审
发明人：胡启方;徐景辉;李展信;孙丰沛 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G01C21/18 文献下载
摘要：本申请提供了一种MEMS惯性传感器，可用于智能汽车、新能源汽车、传统汽车、高铁列车、无人机、智能机器人、摄像稳定平台、智能手机等载体中。所述MEMS惯性传感器包括：衬底；传感组件，所述传感组件包括MEMS悬浮框架，以及，内嵌于所述MEMS悬浮框架内的MEMS功能结构；第一支撑臂，所述第一支撑臂分别与所述MEMS悬浮框架和所述衬底固定连接，所述第一支撑臂用于使所述传感组件悬浮于所述衬底上。本申请提供的MEMS惯性传感器能够阻断封装应力通过衬底、盖板耦合到MEMS惯性器件功能结构上，提升了MEMS惯性传感器的稳定性，并且有利于提升导航的定位精度。
mems 惯性传感器测量单元导航系统

[发明专利]半导体结构的表面修正方法以及3D存储器件的制造方法-CN201810971943.7有效
发明人：颜元;王孝进;李军辉;董凯;李春龙;朱宏斌;李展信;徐文浩;张双兵 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本申请公开了半导体结构的表面修正方法以及3D存储器件的制造方法。该修正方法包括：测量半导体结构的表面翘曲；根据翘曲的方向性设计掩膜图案；以及进行离子注入，在所述晶片和所述栅叠层结构中的至少一层薄膜中形成缺陷以释放应力，从而恢复至平整的表面。该修正方法为后续的覆盖层提供了平整的表面，适用于各种方向性的表面翘曲，从而可以提高3D存储器件的良率和可靠性。
半导体结构表面修正方法以及存储器件制造

[实用新型]膜层沉积装置-CN201821541698.8有效
发明人：孟昭生;徐文浩;李展信;刘聪 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种膜层沉积装置。所述膜层沉积装置包括：调节部，包括朝向晶圆表面设置的分隔面以及位于所述分隔面的多个喷口，所述喷口用于将反应物传输至所述晶圆表面；控制部，用于分别控制每一所述喷口是否开启，实现所述反应物密度在所述晶圆表面的非均匀分布。本实用新型能够于晶圆表面形成厚度非均匀分布的膜层，实现对晶圆弯曲度分布的平衡，且适用于各种形状的晶圆，有效改善了晶圆产品的质量。
晶圆表面膜层沉积喷口本实用新型非均匀分布反应物半导体制造技术晶圆弯曲度晶圆产品分隔面晶圆膜层分隔传输平衡

[发明专利]膜层沉积装置-CN201811100613.7在审
发明人：孟昭生;徐文浩;李展信;刘聪 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种膜层沉积装置。所述膜层沉积装置包括：调节部，包括朝向晶圆表面设置的分隔面以及位于所述分隔面的多个喷口，所述喷口用于将反应物传输至所述晶圆表面；控制部，用于分别控制每一所述喷口是否开启，实现所述反应物密度在所述晶圆表面的非均匀分布。本发明能够于晶圆表面形成厚度非均匀分布的膜层，实现对晶圆弯曲度分布的平衡，且适用于各种形状的晶圆，有效改善了晶圆产品的质量。
晶圆表面膜层沉积喷口非均匀分布反应物半导体制造技术晶圆弯曲度晶圆产品分隔面晶圆膜层分隔传输平衡

[发明专利]半导体器件的金属电极制造方法-CN201410018125.7在审
发明人： 李展信;赵永翠;徐振宇 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体器件的金属电极制造方法，包括如下步骤：形成钛钨合金膜；在所述钛钨合金膜上形成金膜；将由所述钛钨合金膜和金膜形成的膜体置于温度大于400℃的环境下，并保持不少于30分钟，然后冷却，最后得到金属电极。本发明将传统的铬替换成钛钨合金，将蒸发铬工艺替换成溅射钛钨合金工艺，工艺过程更加可靠且容易简单，减少和避免了蒸发铬时经常出现炸锅等异常，而且产品相对于传统产品拥有更好的粘附性。
半导体器件金属电极制造方法

[发明专利]氮化硅薄膜的制备方法-CN201310008431.8无效
发明人： 李展信 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化硅薄膜的制备方法，包括在350℃以下的环境温度中通入硅烷、氨气以及稀释气体，以生成并沉积形成氮化硅薄膜的步骤，高频源功率为0.15~0.30kW，低频源功率为0.15~0.30kW。上述氮化硅薄膜的制备方法给出了低温条件下生成高折射率氮化硅薄膜的较佳参数范围以及优选的参数，实现了低温条件下的高折射率氮化硅薄膜的制造，能够更好地满足需要高折射率氮化硅薄膜的场合。
氮化薄膜制备方法

[发明专利]氮化硅薄膜的制造方法-CN201210266307.7有效
发明人： 李展信 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化硅薄膜的制造方法，包括在350℃以下的环境温度中通入硅烷、氨气以及氮气，以生成并沉积形成氮化硅薄膜的步骤，其中通入硅烷的速率为300~350sccm、通入氨气的速率为1000sccm、通入氮气的速率为1000sccm；高频源功率为0.15~0.30KW，低频源功率为0.15~0.30KW；反应压力为2.3~2.6Torr；反应持续时间为4~6s。上述氮化硅薄膜的制造方法给出了低温条件下生成低应力氮化硅薄膜的较佳参数范围以及优选的参数，实现了低温条件下的低应力氮化硅薄膜的制造，能够更好地满足需要低应力氮化硅薄膜的场合。
氮化薄膜制造方法

[发明专利]AZO薄膜、制备方法以及包括其的MEMS器件-CN201210219726.5有效
发明人：谢岩;李展信 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种AZO薄膜、制备方法以及包括其的MEMS器件，属于透明导电薄膜技术领域。该AZO（铝掺杂氧化锌）薄膜，其形成于衬底之上，所述AZO薄膜的铝掺杂浓度在薄膜厚度方向上逐渐递增。该制备方法中使用溶胶-凝胶法制备形成该AZO薄膜。该MEMS（微机电系统）器件使用该AZO薄膜并在该AZO薄膜之上化学气相沉积成膜形成复合薄膜层。该AZO薄膜导电性能好，且能与复合薄膜层晶格匹配良好，热膨胀也相匹配，并且AZO薄膜成本低、无毒、无污染、制备简单。
azo 薄膜制备方法以及包括 mems 器件

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